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公开(公告)号：CN115186462A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210762601.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种基于离子注入技术模拟硅表面氧化层生长的方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括如下步骤：步骤S1：构建单晶硅的模型，在模型中的单晶硅表面设置真空层，采用反应力场分子动力学方法使单晶硅处于初始平衡状态；步骤S2：加热单晶硅至反应温度，间隔预设时间，重复在随机位置将O原子向单晶硅表面发射，至单晶硅表面发生氧化反应；待氧化反应结束并达到平衡状态后，对模型退火，得到氧化层；步骤S3：获取并评估氧化层的组织形态参数，若组织形态参数未满足预设要求，重复并优化步骤S1和步骤S2直到组织形态参数达到预设要求。本发明通过获取的工艺参数指导实际离子注入技术，实现低成本高效率的指导作用。
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公开(公告)号：CN115169208A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210768699.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种重离子辐射诱导PKA计算方法，属于空间环境效应分析技术领域。方法包括：S1、选取敏感几何体，设置模拟参数，进行模拟辐射实验；S2、调用Step函数、Track函数和Event函数，计算得到每一步结束时的粒子类型、动能、坐标信息；S3、设置PKA的原子类型和动能范围以及RecoilCutoff参数，判断每一步结束时产生的粒子类型是否是入射粒子与敏感几何体作用而产生的PKA，如是则输出PKA的动能数据；S4、对输出的动能数据进行归一化处理。本发明通过设置与器件材料对应RecoilCutoff参数进行模拟实验，并根据判断筛选出由入射粒子与基体材料作用产生的PKA信息，可以快速准确地得到重离子的PKA分布，导出合理的PKA能谱用于解释科学问题。
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公开(公告)号：CN115169178A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210759732.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/25 , G06T17/20 , G01N17/00 , G01R31/00 , G06F111/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种模拟空间环境下原子氧或紫外辐照通量的计算方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：获取影响航天器外表面原子氧通量的第一空间环境参数或影响航天器外表面紫外辐照强度的第二空间环境参数；建立航天器的三维模型，并将航天器表面剖分成多个多边形网格单元；将所述第一空间环境参数或所述第二空间环境参数输入到所述三维模型，计算原子氧或紫外辐照模拟粒子碰触的所述多边形网格单元，得到航天器表面原子氧或紫外辐照通量。本发明的模拟空间环境下原子氧或紫外辐照通量的计算方法，操作简单，能够准确、快速地计算不同环境条件下材料表面的原子氧或紫外辐照通量，有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115148311A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210778284.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供一种两组分二维材料非线性光学性质的模拟计算方法，包括：构建六方蓝磷晶胞，并将其中一个磷原子替换为氮原子或砷原子，得到PN体系或PAs体系，对其进行优化；采用QE软件进行一轮非自洽计算，获得PBE近似下的电子带隙；进行GW‑BSE计算，获得光学带隙信息，并得到非线性性质计算所需要的能带修正值；利用Elk软件包，引入能带修正值，计算得到体系的二阶非线性非0响应光谱的所有分量。本发明提供的两组分二维材料非线性光学性质的模拟计算方法能够在不低估带隙的情况下准确的计算得到体系的二阶非线性光学性质，且计算成本较低，计算效率较高。
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公开(公告)号：CN115148310A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210778281.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供一种高稳定性硼烯结构的设计方法，包括以下步骤：建立硼烯晶胞，将不同的原子吸附在所述硼烯晶胞的不同位置上，得到不同的硼烯体系；采用第一性原理计算软件VASP对所述硼烯体系的晶格参数进行isif＝2的优化，然后取其能量最低点的晶格参数，构建得到硼烯结构；计算所述硼烯结构能带结构、声子谱和输运性质，判断所述硼烯结构的性能；筛选得到具有高稳定性、低能量的硼烯结构。本发明通过将不同的原子吸附在硼烯晶胞的不同位置上，从而得到不同的硼烯体系，结构优化和弛豫得到不同硼烯结构，再通过计算这些不同硼烯结构的能带结构、声子谱和输运性质，对结果进行比较，即可快速从中筛选出具有高稳定性、低能量的硼烯结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115146559A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210762679.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/28 , G06F30/25 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种器件辐照缺陷演化分子动力学仿真的注量模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取收敛的单个入射粒子辐照器件产生PKA的数量；对器件进行网格化处理，得到多个含有PKA的网格；构建与网格等大小的体系模型；标定注量的入射粒子分批次辐照器件，基于体系模型，利用分子动力学方法和KMC方法对网格中的PKA进行缺陷演化；统计每个网格中缺陷的种类和数量并归入器件中，改变入射粒子的注量，重复上述步骤，获得不同注量入射粒子与器件中缺陷信息之间的关系。本发明结合分子动力学和动力学蒙特卡罗方法，实现在不同注量下整个半导体器件的缺陷演化过程的模拟计算，且计算逻辑清晰，步骤简单易操作。
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公开(公告)号：CN115146384A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210769915.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/15
Abstract: 本发明提供了一种批量添加辐射探测点的方法，属于空间辐射分析技术领域。方法包括：S1、构建航天器三维模型，选取目标单机所属的几何体，将几何体内部器件删除；S2、构建几何体的包围盒，设定期望添加的探测点的数量；S3、获取包围盒的体积，计算每个探测点占据的体积，S4、将每个探测点占据的体积等效为正方体，计算每个探测点所属正方体的边长，计算包围盒某一边长实际应添加的探测点的数量；S5、计算每个实际应添加的探测点的坐标位置，批量添加探测点。本发明实现了依据几何体结构批量均匀添加辐射探测点的效果，避免了手动逐个定位、按坐标添加探测点的弊端，满足了设计阶段早期估计目标单机内部辐射效应三维分布的需求。
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公开(公告)号：CN115130306A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210762682.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06K9/62 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件中辐照缺陷演化的仿真方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取入射粒子辐射产生的PKA信息；对半导体器件进行网格划分，并统计网格中的PKA信息；建立与网格等大小的体系模型；将网格中的PKA信息作为输入参数，在LAMMPS软件中进行缺陷演化模拟，获得MD时间尺度下的稳态结构；将稳态结构中的缺陷信息作为KMC的输入文件，输出最终稳定态结构；统计最终稳定态结构中的缺陷信息，并对所有网格中的缺陷信息进行汇总，得到半导体器件的综合缺陷信息。本发明基于MD和KMC实现了半导体器件中辐照缺陷产生及演化全过程的时空跨尺度模拟计算，且计算方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。
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公开(公告)号：CN115130305A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210762588.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F9/451 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种基于模拟实际工艺生成单晶硅氧化层的缺陷结构的方法，涉及半导体材料计算模拟技术领域，包括如下步骤：步骤S1：根据实际热氧化工艺的工艺参数，利用缺陷性质仿真模拟软件构建单晶硅氧化层的界面结构；识别并删除所述界面结构空洞中的分子以及真空层中的分子；步骤S2：在需要统计的界面结构的深度范围中截取出独立结构，识别并统计所述独立结构中的结构参数，所述结构参数包括缺陷密度和缺陷类型。本发明通过结构参数掌握该独立结构中的结构特征，有利于准确掌握无序体系的缺陷密度和缺陷类型等重要结构特征，对于建立缺陷等微观结构与宏观制备工艺或半导体器件之间的连接关系具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115083547A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210778442.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种材料力学性质的计算方法，包括以下步骤：根据材料的对称性对其应变矩阵进行优化，保持应变后的材料的高对称性，从而使材料的应变矩阵数目最小，得到优化应变矩阵；针对材料的对称性，施加对应的优化应变矩阵，然后通过第一性原理计算程序包VASP，计算在不同应变之下材料所受的应力，然后将应变和应力数据拟合成一次函数，通过求解所述一次函数，得到弹性常数；使用所述弹性常数计算材料的力学参数。本发明通过在对材料应变时保持其结构的高对称性，能够使材料的应变矩阵数目最小，得到优化的应变矩阵，能够显著提高计算效率，然后根据弹性常数计算材料的各项力学参数，分析材料的力学稳定性以及力学各向异性性质。
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