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公开(公告)号：CN102134052B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010023095.0
申请日：2010-01-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构与实现该压阻结构的自对准加工工艺。用于检测纳米梁位移。该结构用SOI硅片的顶层硅制作纳米梁，用硅衬底作为栅极，腐蚀去除梁与硅衬底间的埋层二氧化硅形成间隙，硅衬底、间隙与纳米梁形成MIS电容结构。在衬底栅极上施加电压使纳米梁下表面形成强反型层，利用反型层与空间电荷区上方的硅作为力敏电阻实现纳米梁振动的压阻检测。通过复合掩模结合各向异性湿法腐蚀可以实现梁上轻掺杂区与衬底栅极的自对准。
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公开(公告)号：CN101795505B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010110083.1
申请日：2010-02-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有网孔结构加热膜的低功耗微型加热器及其制作方法，其特征在于所提供的微型加热器具有特殊形状的网孔按照一定的规则排布形成具有网孔结构的加热膜，加热膜通过支撑悬梁与衬底框架相连，加热电阻丝以折线形式排布在加热膜上并通过支撑悬梁与衬底框架上的引线用电极相连。这种结构不但可以有效减少加热器加热膜区的热量向支撑悬梁的传导，进一步降低器件功耗，而且可以拓展加热器的制作方法。本发明所涉及的加热器特别适合在气体检测领域应用。
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公开(公告)号：CN103035477A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110296168.8
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/308 , B82Y40/00 , G03F1/42
Abstract: 本发明涉及一种制备单晶硅纳米结构的方法，属于纳米加工技术领域。该方法利用硅材料的各向异性腐蚀特性，通过在制作腐蚀窗口时引入晶向偏转角，实现用大线宽腐蚀窗口在单晶硅各项异性湿法腐蚀后直接形成单晶硅纳米结构。本发明中的偏转角通过掩膜版上的晶向对准标记可实现精确控制，整个工艺过程简单高效，可实现大规模制做，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。
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公开(公告)号：CN101917784B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201010278255.6
申请日：2010-09-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 发明涉及一种具有凹槽形加热膜区的三维微型加热器及其制作方法，其特征在于横截面呈“V”字形或倒梯形结构的凹槽形加热膜区通过支撑悬梁与衬底框架相连，加热电阻丝以折线形式排布在加热膜区凹槽的内部并通过支撑悬梁上的引线与衬底框架上的电极相连，在加热膜区和支撑悬梁下方是采用硅各向异性湿法腐蚀形成的隔热腔体。本发明提供的三维微型加热器的加热电阻丝排布在具有三维结构的加热膜区的凹槽内部，对流换热引起的热量散失较小，有利于降低加热器的功耗。凹槽结构使得热量集中并提高了加热效率有利于加热器在红外光源和传感领域的应用。
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公开(公告)号：CN102928153A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210473448.6
申请日：2012-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维真空传感器及其制备方法，该方法制备的热电堆和加热器位于不同的平面上，热电堆位于加热器的下面，可以进一步实现热电型真空传感器的微型化；采用干法腐蚀释放结构，可以避免湿法腐蚀释放过程中存在的结构层与衬底黏连的问题，提高了器件的成品率；增加了硅盖板，即增加了盖板和加热器之间的气体热传导，有利于提高热传导真空计在较高气体压强端的灵敏度。此外，本发明中所采用的半导体衬底、热电堆和微加热器的材料、以及采用的制备工艺都是半导体工艺中常用的，可以很容易与现有CMOS工艺相兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102914749A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210469660.5
申请日：2012-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/028
Abstract: 本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用，所述微机械磁场传感器至少包括：谐振振子对和依次形成于其表面上的绝缘层及金属线圈。本发明利用差分电容激励和电磁感应来测量磁场大小，其中，构成谐振振子对的两个谐振振子结构工作在反相位模式，各该谐振振子结构上的金属线圈环绕方向相反，两个谐振振子结构上的金属线圈产生的感应电动势相互并联；由于驱动信号是差分信号，消除输出信号中的容性耦合信号，以获得单纯的磁场输出信号；同时，本发明利用耦合结构将两个谐振振子结构耦合起来使两个谐振振子结构连接为一体运动；进一步，本发明结构简单，受温度影响小，输出信号大，灵敏度高，检测的准确度高，适合高工作频率。
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公开(公告)号：CN102879608A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210418835.X
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
CPC classification number: G01P15/125 , B81C1/00341 , B81C1/00531 , G01P2015/0871 , G01P2015/0882
Abstract: 本发明提供一种弯折形弹性梁的电容式加速度传感器及制备方法。该传感器至少包括：第一电极结构层、中间结构层及第二电极结构层；其中，第一电极结构层与第二电极结构层分别设置有电极引出通孔；所述中间结构层包括：基于具有双器件层的含氧硅基片所形成的边框、双面对称的质量块、及一边连接边框、另一边连接质量块的弯折形弹性梁，其中，在两质量块的两面对称地设有防过载凸点及阻尼调节槽，且处于不同平面的弯折形弹性梁交错分布、在空间上不重叠。由于弯折形弹性梁的弯折次数、梁总长、梁总宽可基于需要来确定，故本发明能制备不同灵敏度的电容式加速度传感器，灵活性大。
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公开(公告)号：CN102800606A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210288541.X
申请日：2012-08-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种用于圆片级封装应力测量的应力传感器转移方法，包括以下步骤：SOI硅片的顶层硅上制作应力传感器；利用有机胶膜将应力传感器面对面地贴装到与待封装圆片相同尺寸的测试圆片上；腐蚀去除应力传感器衬底硅，将应力传感器芯片单元转移到测试圆片上。本发明将应力传感器在小尺寸硅圆片上制作，小尺寸硅圆片的加工成本显著低于大尺寸硅圆片，并且一片传感器圆片上切割出的芯片可以满足多个测试圆片的用量，使用成本远低于直接制作大尺寸测试圆片。
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公开(公告)号：CN102786023A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110128174.2
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种无盖板的碳纳米管器件结构及其制作方法。该结构包括：(100)单晶硅衬底、碳纳米管以及金属电极；在(100)单晶硅衬底上设有一贯穿整个(100)单晶硅衬底宽度的截面为近菱形的沟槽；碳纳米管跨越所述沟槽并在所述沟槽上保持悬空；金属电极位于所述沟槽两侧并分别覆盖着碳纳米管跨于沟槽两侧的部分，使悬空的碳纳米管与沟槽两侧的金属电极间形成电学连接。该器件结构用于碳纳米管电子器件和传感器中。由于省去了盖板，器件结构制作过程简单，成品率高，适合阵列化生产。
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公开(公告)号：CN102721829A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210236528.X
申请日：2012-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81B7/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种电容式微加速度传感器及其单片制作方法，所述加速度传感器为三明治结构，其制作方法不需要键合工艺，直接由单片双器件层SOI硅片制作形成。该加速度传感器具有双面对称直梁-质量块结构，且所述可动质量块的八个角处的直弹性梁，无需采用凸角补偿的结构就可保证最终的质量块为矩形结构，使得预期的器件结构在完成各向异性腐蚀后，能完整保留，器件具有高度法向的对称性。所述制作方法简化了制作三明治结构电容式加速度传感器的工艺，避免了繁琐的键合工艺，降低了制作工艺的难度，提高了工艺效率和可靠性。同时，该方法极大的降低了制造成本，提高了加速度传感器器件性能及器件成品率。
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