公开(公告)号：CN1182423C

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN02146377.8

申请日：2002-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴锦雷 ,  张琦锋 ,  薛增泉 ,  刘惟敏 ,  吴全德 ,  王丹翎 ,  龚旗煌

IPC: G02F1/025 ,  H04B10/12

Abstract: 本发明提供了一种金属纳米粒子-半导体介质复合薄膜，该薄膜具有大的三阶光学非线性系数和极快响应速度。该复合薄膜沉积在透明基底的一侧，基质为厚度在100～200nm之间的碱金属氧化物或碱土金属氧化物半导体介质薄膜，其中埋藏有均匀分布的直径为5～20nm的贵金属纳米粒子。其制备方法为：高真空条件下在透明基底的一侧沉积碱金属或碱土金属薄膜，至白光透过率下降至30%时止；氧化金属薄膜至白光透过率基本恢复，得到半导体介质薄膜；在半导体介质薄膜表面沉积贵金属薄膜；再依次进行真空中120℃半小时以上和大气中100℃一小时以上的退火处理。本发明还提供了采用该复合薄膜为克尔介质的全光克尔开关。

公开(公告)号：CN213093225U

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202021940274.6

申请日：2020-09-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  喻茂滔 ,  吴疆 ,  龚旗煌

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/52

Abstract: 本实用新型公开了一种利用填充物抑制功能层分解的封装的钙钛矿光电器件。本实用新型包括：顶部填充层、表面密封层、顶部填充层和密封盖；本实用新型在阻绝外界环境对钙钛矿光电器件的影响的同时，能够抑制钙钛矿光电器件功能层的分解，从而极大地提升了器件稳定性；填补了从物理和化学两个维度入手进行钙钛矿光电器件封装的空白；本实用新型成功封装了钙钛矿光电器件和发光二极管器件，其稳定性或寿命比采用常规封装技术进行封装的同种类器件更优，证明了该方案在光电功能器件封装技术中的兼容性和优势；随着钙钛矿光电器件研究的进一步推进和深入，本实用新型在将来的钙钛矿器件封装中具有巨大潜力。

公开(公告)号：CN207731057U

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201721770358.8

申请日：2017-12-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 李智 ,  廖慧敏 ,  李嘉宇 ,  彭昌南 ,  孙成伟 ,  陈建军 ,  龚旗煌

IPC: G02F3/00

Abstract: 本实用新型公开了一种通用线性光学全光逻辑门。本实用新型采用第一和第二逻辑输入端口以及不变量输入端口分别通过第一至第三分支波导连接至主波导，主波导连接至输出端口，从而形成全光逻辑门结构，分别调节第一至第三激发光的光强，并调节第一至第三激发光之间的相位差，控制第一和第二逻辑输入端口以及不变量输入端口对输出端口所贡献的光场的复振幅，从而在单一的全光逻辑门结构上实现了七种不同的线性光学全光逻辑门；对于或逻辑门、非逻辑门、异或逻辑门、同或逻辑门和与非逻辑门，基于线性光学的全光逻辑门其输出状态为逻辑“1”和逻辑“0”这两种状态下理论上最大的输出信号光强比是无穷大。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN212375375U

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202021644793.8

申请日：2020-08-10

Applicant: 北京大学 ,  费勉仪器科技(上海)有限公司

Inventor： 杨宏 ,  褚赛赛 ,  李小芳 ,  龚旗煌 ,  池彬 ,  赵嘉峰

IPC: C23C14/56

Abstract: 本实用新型提供了一种真空腔进样系统，用于解决现有技术中真空腔进样系统容易破坏其他腔室的真空环境、无法实现大气进样的技术问题；包括：中转腔和真空存样腔；所述真空存样腔包括第一法兰、样品固持装置和第一传样装置；所述第一法兰设置第一阀门；所述中转腔包括第二法兰、第三法兰、真空泵、传样台和第二传样装置；实施本实用新型的技术方案，中转腔连接真空腔体，设置真空存样腔，并通过闸阀隔离中转腔、真空存样腔和外部腔体，可在不破坏外部腔体真空环境的前提下完成进样；设置常压进样门，可实现常压进样；真空存样腔通过CF法兰连接中转腔，可拆卸，并设置手提支架，可实现样品的转移和快速切换。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN204556881U

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201520200390.7

申请日：2015-04-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 李智 ,  廖慧敏 ,  姚文杰 ,  刘尚 ,  孙成伟 ,  陈建军 ,  龚旗煌

IPC: G02B6/14 ,  G02B6/122

Abstract: 本实用新型公开了一种高效表面等离激元模式转换器。本实用新型的表面等离激元模式转换器包括：金属薄膜；在金属薄膜的表面设置有主纳米沟槽；在主纳米沟槽的底部一侧设置有附加纳米沟槽，形成非对称纳米沟槽结构；通过操控共振结构的附加纳米沟槽的深度控制主纳米沟槽中一阶波导模式和二阶波导模式的相互转换系数，从而实现了不同模式表面等离激元的效率可控转换；模式转换的效率最多可以高达90％。本实用新型为进一步通过一阶和二阶波导模式的干涉实现对总的电磁场分布的操控提供了极大的便利；同时还具有几百纳米的超小尺寸，有利于高度集成，因此在超高集成度SPPs光子回路中将获得广泛应用。