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公开(公告)号:CN119342932A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202411886622.9
申请日:2024-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: H10F71/00 , H10F77/20 , H10F77/50 , H10F30/225 , H10F39/90 , H01S5/026 , H01S5/183 , H01S5/042 , F16L59/02
Abstract: 本申请提供一种光‑热隔离的共封装结构制备方法和共封装结构,涉及半导体技术领域,包括:获取封装所需的第一转接板;确定热敏感芯片待放置在第一转接板上的第一位置,在第一位置的四周制备热隔离结构,热隔离结构包括:填充聚对二甲苯的第一通孔结构和第二通孔结构,第一通孔结构与第二通孔结构之间的距离小于第一距离;在第一转接板的第一表面上定义第一互连金属电极和第二互连金属电极;将光隔离芯片埋入第一转接板中,并将光隔离芯片的电极连接至第一表面上的所述第一互连金属电极;将热敏感芯片固定在第一位置,通过打线工艺将热敏感芯片连接至第一表面上的第二互连金属电极,得到热敏感芯片‑光隔离芯片共封装结构。
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公开(公告)号:CN119291970A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411833671.6
申请日:2024-12-13
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/1685 , G02F1/167 , G02F1/1673
Abstract: 本发明公开一种可重构单元操控方法、可重构单元、设备和存储介质,涉及可重构电子技术领域,所述方法包括:制备可重构单元,所述可重构单元包括超原子、磁性响应材料和可重构单元主体材料;通过磁场和/或电场操控所述可重构单元在设定流体环境范围内运动。通过制备包含超原子、磁性响应材料和主体材料的可重构单元,创建一种能够在外部磁场和/或电场控制下改变其物理和光学特性的超表面。利用磁场和/或电场操控可重构单元,实现超原子在设定流体环境范围内的精确运动控制。
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公开(公告)号:CN119255618A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202411349257.8
申请日:2024-09-26
Applicant: 北京大学
IPC: H10B80/00 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本申请提供一种基于存算一体芯片的三维集成方法和结构,涉及半导体技术领域,该方法包括:制备存算一体芯片,所述存算一体芯片是由一个存储单元芯片和一个计算单元芯片键合得到的;利用所述存算一体芯片,在第一转接板上制备芯片封装体,所述芯片封装体为埋入式扇出封装体;使多个所述芯片封装体之间通过微凸点进行键合,得到存算一体三维集成结构。
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公开(公告)号:CN119092416A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202411183807.3
申请日:2024-08-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/603 , H01L25/16 , H01L23/367
Abstract: 本申请提供一种基于埋入式扇出封装的POP封装方法和结构,涉及半导体技术领域,该方法包括:基于第一转接板,制备底部封装体,所述底部封装体为埋入式扇出封装体;基于第二转接板,制备顶部封装体;将所述底部封装体上的第一微凸点与所述顶部封装体上的第二微凸点一一对准,在加热加压的条件下进行键合,得到pop封装结构。
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公开(公告)号:CN118458688B
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202410910279.0
申请日:2024-07-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于拉曼光谱成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片,涉及检测芯片技术领域,提供晶圆基底,在其一侧形成原始功能层;在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向和列方向阵列排布的多个第一掩膜图案;以第一掩膜图案为掩膜对原始功能层进行各向同性刻蚀处理,形成多个原始功能结构;去除第一掩膜图案,以原始功能结构为掩膜对晶圆基底进行浅深硅刻蚀处理,形成纳米柱阵列衬底。该方法结合各向同性刻蚀,在晶圆基底上形成阵列排布的多个目标功能结构,有效提升光刻形成的目标功能结构的精度,通过需要掩膜的低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备,进一步应用至拉曼光谱成像中外泌体的检测。
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公开(公告)号:CN117282481B
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202311340234.6
申请日:2023-10-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于微纳流体及生化传感技术领域,并具体涉及一种微纳流控芯片及采用所述微纳流控芯片进行的生化标志物分子的富集检测方法,微纳流控芯片包括芯片本体,所述芯片本体上设有第一通道、第二通道和纳流通道,所述第一通道上设有检测区,并与第一注液口连通;所述第二通道与第二注液口连通;所述纳流通道具有离子选择功能,并连通于所述第一通道和所述第二通道之间。通过上述结构,可以实现生化标志物的高倍数富集和高灵敏度检测,具有检测成本低、响应时间快、样品及试剂消耗量少等优势,具有极大的应用价值。
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公开(公告)号:CN118458689B
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410910282.2
申请日:2024-07-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于拉曼成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片,涉及生物分子检测技术领域,包括:提供晶圆基底;在晶圆基底的一侧形成原始功能层;在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向间隔排布的多个第一掩膜图案;基于第一掩膜图案,形成多个第二掩膜图案;去除第一掩膜图案,以第二掩膜图案为掩膜对原始功能层进行第一刻蚀处理,形成沿行方向间隔排布的多个原始功能结构;对原始功能结构进行第二刻蚀处理,形成纳米柱阵列衬底。本申请两次刻蚀处理形成目标功能结构,可以提升光刻形成的目标功能结构的精度,从而通过低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备,提升纳米柱阵列衬底的制备效率,降低制备成本。
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公开(公告)号:CN118366943B
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202410796592.6
申请日:2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供了一种芯片散热结构及加工方法。包括芯片衬底、孔板及供液夹具;芯片衬底的第一表面具有刻蚀形成的多个换热柱及凹槽,换热柱以及换热柱之间的间隔中附着有微纳三维多孔铜结构,多个凹槽间隔分布形成流道,流道围设于换热空间的外侧,芯片衬底的第二表面上集成有电气元件;孔板具有刻蚀形成的多个贯通的流通孔,孔板与所述芯片衬底的第一表面键合连接,流通孔对准换热柱;供液夹具开设有贯通的夹持孔,供液夹具与孔板及芯片衬底密封连接,供液夹具与芯片衬底的第二表面相互背离,夹持孔与流通孔连通,夹持孔用于夹持冷媒输送管道。本申请中的换热柱及流道蚀刻形成于芯片衬底的上表面,减少了接触热阻,提升了散热性能。
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公开(公告)号:CN118320639A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410604490.X
申请日:2024-05-15
Applicant: 北京大学
IPC: B01D69/12 , B01D69/02 , B01D71/64 , B01D67/00 , B01D61/14 , C12N5/09 , C12M1/12 , C12M1/00 , A61M1/36 , A61M1/34
Abstract: 本发明提供了高机械强度微孔阵列复合滤膜、制备方法、应用及装置,涉及生物医学工程技术领域。本发明实施例中提供的高机械强度微孔阵列复合滤膜的微孔阵列的间隙由复合材料形成,该复合材料以高机械强度材料为芯形成滤膜的骨架,然后在此基础上裹了一层生物兼容性材料薄层,可以确保在活体动物在体使用该滤膜时具有良好生物兼容性。能够用于活体动物稀有细胞在体持续捕获及清除,克服了滤膜塑性形变对下游分析造成的困扰,为后续开展在体细胞分析和治疗奠定基础。此外,本发明实施例中,生物兼容性材料薄层的厚度可调,从而可以根据实际需求,通过调整生物兼容性材料薄层的厚度实现孔径的调节。
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公开(公告)号:CN118136498A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202410571582.2
申请日:2024-05-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/50 , H01L25/00
Abstract: 本申请提供一种具有垂直侧壁和平整槽底的芯片基板及其制备方法、功能芯片,涉及电子制造领域,包括:提供第一晶圆;在第一晶圆上形成贯穿第一晶圆的第一通孔;对第一晶圆的第二侧进行第二减薄处理,以使第一通孔沿第一方向的深度减小第一预设尺寸;将第一晶圆的第二侧与第二晶圆进行键合,形成芯片基板,第一通孔的孔壁以及第二晶圆靠近第一晶圆的一侧表面围合形成填埋腔。本申请中填埋腔由第一通孔孔壁和第二晶圆表面围合形成,使得填埋腔的腔底复用第二晶圆的平整表面,有效防止腔底形成“微草”结构;填埋腔侧壁经过第二减薄处理,从而形成垂直的填埋腔侧壁,有效优化了填埋腔的形貌。
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