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公开(公告)号：CN106299113A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610703472.2
申请日：2016-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1608
Abstract: 本发明提供一种Ge-Sb-Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法，Ge-Sb-Se相变材料为包括锗、锑、硒三种元素的相变材料，Ge-Sb-Se相变材料的化学式为GexSbySez，其中，20≤x≤50，30≤y≤70，5≤z≤25，且x+y+z=100。本发明提供的Ge-Sb-Se系列相变材料可以通过调节三种元素的含量得到不同结晶温度、电阻率和结晶激活能的存储材料，且该体系相变材料相变前后电阻差值大，具有非常强的可调性，从而根据实际所需提供特定的性能。本发明所述的Ge-Sb-Se相变薄膜材料，与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有更好的热稳定性，更强的数据保持力，更快的结晶速度；本发明提供的相变存储材料的制备方法，工艺简单，便于精确控制材料成分。
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公开(公告)号：CN106098721A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610692865.8
申请日：2016-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/16
Abstract: 本发明公开了一种三维1D1R相变存储器单元及其制备方法，属于微电子制造及存储器技术领域。该三维1D1R相变存储器单元包括：二极管层和绝缘层的周期性交替堆叠结构；光刻与刻蚀该堆叠结构所形成的深孔；在该深孔内壁及底部形成相变材料薄膜和顶电极薄膜；以及在该深孔内形成绝缘层，且绝缘介质层充满该深孔，其中，相变材料薄膜的电阻受所对应的二极管单元驱动控制。本发明基于二极管选通相变存储单元作为1D1R结构，采用可三维堆叠的二极管阵列制备方法，实现高集成密度、低工艺成本，能够有效抑制阵列结构中邻近电流串扰的三维可堆叠相变存储器阵列。本发明有效地解决了新一代高速、高密度、嵌入式海量存储的技术难题。
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公开(公告)号：CN106010297A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610445394.0
申请日：2016-06-20
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1436 , H01L21/30625
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝抛光液的制备方法，包括如下步骤：1）将硅烷偶联剂、乙醇和水混合形成水解液；2）在95~110℃加热和搅拌条件下，将水解液加入到氧化铝粉末中，保持边搅拌边加热，直至液体挥发完全获得改性氧化铝；3）将改性氧化铝研磨成粉末分散到水里，调节溶液pH为9.5~10.5即为氧化铝抛光液。使用本发明的氧化铝抛光液可达到pH=13.00时的抛光效率，同时抛光片较少有划痕出现。
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公开(公告)号：CN104556060B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410854330.7
申请日：2014-12-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/141 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及CMP技术抛光领域，特别是涉及一种线形二氧化硅溶胶及其制备方法。本发明提供一种线状二氧化硅溶胶，包括液体介质和溶胶颗粒，所述溶胶颗粒为线状二氧化硅颗粒。本产品的有益效果是：通过特选的酸性溶液与处理方法，形成线状二氧化硅溶胶。由于二氧化硅胶体颗粒为线状，其在芯片上的拖曳面积比单一球状的粒子要显著增大，故而能够提高抛光速率。同时，由于线状二氧化硅颗粒自身有一定的柔软度，对芯片的损伤也较煅烧二氧化硅较小。使用本发明的线状纳米二氧化硅颗粒作为CMP研磨颗粒，能有效提高抛光速率与降低表面损伤。
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公开(公告)号：CN103269231B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310224101.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03M13/15
Abstract: 本发明提供一种BCH码检纠错方法、电路及容错存储器。根据本发明的方法，先基于已经过BCH编码的待检验BCH数据组的监督矩阵来计算待检验BCH数据组的待比较校正子；随后，若所述待比较校正子不为0，则将所述待比较校正子与多个标准校正子进行比较，并基于与所述待比较校正子不同的数据位数量最少、且所指明的错误位数也最少的标准校正子来校正所述待检验BCH数据组中的相应数据。与BCH码的原纠正能力相比，本发明能更大限度地利用了校验码，提高了纠错能力；且BCH码检纠错电路可由纯逻辑电路构成，不需要时钟，仅存在门延迟，适合应用于SPI接口之类对时序有特别要求的情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103855301B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210517155.3
申请日：2012-12-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多级电阻转换存储单元及存储器。其中，所述多级电阻转换存储单元至少包括：形成于衬底上的层叠结构，该层叠结构由半导体材料层和相变材料层交替层叠而成，总层数为2N层，N为大于等于5的整数，其中，相变材料层的材料为电阻率能随温度变化的材料，优选为锑碲合金。该多级电阻转换存储单元可应用于电编程的电阻转换存储器等领域，由于其电阻值具有随温度变化而出现多级电阻值的特性，从而可以应用到多级电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的多级存储功能。
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公开(公告)号：CN103794245B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410077445.X
申请日：2014-03-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种SPI接口输出电路、相变存储器的读控制电路及方法，包括：将读出时间延长半个至若干个时钟周期，所述方法通过SPI接口输出电路的调整配合以实现。所述SPI接口输出电路包括：寄存数据的数据输入/输出寄存器、内部时钟的产生电路、通过内部时钟控制锁存数据的输出锁存器、用于屏蔽第一个数据的第一数据锁存屏蔽电路以及用于输出数据的输出三态门。本发明提供一种基于SPI接口的相变存储器的读控制电路及方法，给予读出电路合适的使能控制信号，延长半个至若干个时钟周期的读取时间，使SPI接口电路运行在较高的频率时能够提供足够的读出时间，从而提高基于SPI接口的相变存储器的数据传输速率。
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公开(公告)号：CN103618045B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310415207.0
申请日：2013-09-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种低功耗相变存储器结构的制备方法，在硅衬底上的第一电介质层内刻蚀填充圆柱形钨材料下电极；然后在第一电介质层上生长第二电介质层，并刻蚀形成纵向沟槽Ⅰ；在沟槽Ⅰ内生长导电薄膜层、第三电介质薄层和填满沟槽Ⅰ的第四电介质层；进而在填充体上生长第五电介质层，并刻蚀形成横向沟槽Ⅱ；在沟槽Ⅱ内生长相变材料层和第六电介质薄层；然后从沟槽Ⅱ底部垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成横向沟槽Ⅲ；在沟槽Ⅲ内生长填充第七电介质层；然后从填充体上垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成纵向的沟槽Ⅳ，并在沟槽Ⅳ内填充第八电介质层；继而在填充体上生长刻蚀两个横向金属条作为上电极；本方法具有降低器件的功耗、提升良率的特点。
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公开(公告)号：CN103559909B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310534339.5
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一设有字线的衬底，在所述字线上制备若干导电通孔下电极；在所述导电通孔下电极层上制备选择开关器件；继续制备与选择开关器件接触的导电互连通孔电极；接着制备与其接触的半导体激光器；在所述半导体激光器层上制备与其接触的导电透明电极；继续制备与其接触的相变材料层；继续在所述相变材料层上制备导电反射层；接着在所述导电反射层上制备导电通孔上电极并形成位线。该相变存储器单元的特点是利用激光信号实现信息的写入和擦除，利用电信号实现信息的读出，从而充分利用了激光写入的高速特性和电信号读出的高信噪比特性，实现高速的相变存储器。
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公开(公告)号：CN103106147B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310074180.3
申请日：2013-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明提供一种内存分配方法及系统。根据本发明的方法，将包含1个空闲页面的各内存块归为一组空闲内存块组、包含2个空闲页面的各内存块归为一组空闲内存块组、包含空闲页面数量大于等于2i-1+1且小于等于2i的各内存块归为一组空闲内存块组，i为大于或等于2的整数，并基于空闲内存块组内各个空闲块的相关信息建立相应的空闲块索引记录，以便查询，由此能提供包含非2的幂次方个页面的空闲内存块，以满足需求，极大提高内存使用效率。
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