公开(公告)号：CN101123106A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710128352.5

申请日：2007-07-10

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 阿部浩一 ,  山口准司

IPC: G11B20/10 ,  G11B20/14

CPC classification number: G07C3/04 ,  G11B20/1403 ,  G11B27/34 ,  G11B2020/00057 ,  G11B2020/10759

Abstract: 本发明提供一种再生时间计测电路，其是对以规定频率进行过采样的数字数据的再生时间进行计测的再生时间计测电路，其中具有：计数电路，其在根据规定频率的时钟而输出数字数据的输出缓冲器中存放着数字数据时，对时钟进行计数；再生信号输出电路，其在计数电路输出的时钟计数值成为规定值时输出再生时间信号，其中该再生时间信号表示在与规定值对应的时间内对数字数据进行了再生。从而可以减轻再生时间计测处理的处理负荷。

公开(公告)号：CN101110387A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710127434.8

申请日：2007-07-05

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 野村洋治

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置的制造方法，可解决因受光部上部结构层产生的膜厚差，使开口部底面不平坦而产生受光部面内入射光不均匀的问题。其中利用金属镶嵌法，或通过CMP对形成第一金属层之后层叠的绝缘膜进行研磨而在第一金属层间形成平坦的层。由此，使层叠在受光部上的绝缘膜也平坦地形成。因此，在通过蚀刻对受光部内部进行开口的情况下，可使开口部底面平坦地形成。

公开(公告)号：CN1992151A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610064213.6

申请日：2006-12-28

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  及川贵弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/16145

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。在使用支承体的半导体装置的制造方法中，不使制造工序复杂化，而谋求提高可靠性和成品率。以抗蚀剂层或保护层(20)作为掩模顺序蚀刻除去第二绝缘膜(9)、半导体基板(1)、第一绝缘膜(2)和钝化膜(4)。通过该蚀刻粘接层(5)在该开口部(21)内一部分露出。在此时多个半导体装置分割成各个半导体芯片。接着，如图10所示，通过开口部(21)对露出的粘接层(5)供给溶解剂(25)(例如酒精或丙酮)，通过使粘接力逐渐降低，从半导体基板(1)剥离除去支承体(6)。

公开(公告)号：CN102104358B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN200910261617.8

申请日：2009-12-18

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  北京海华博远科技发展有限公司

Inventor： 本木义人 ,  岛崎努 ,  伍远杰

IPC: H02P8/14

Abstract: 提供一种步进马达的驱动电路。不需要由外部装置生成用于对步进马达的电流设定用基准电压进行切换的控制信号。在步进马达的驱动电路中设有以下部分：移位寄存器(14)，其接收发送时钟信号(A)，根据发送时钟信号(A)来进行移位，在复位后的规定时间之后输出门信号(J)；复位电路(16)，其当接收到用于驱动步进马达的步进信号(B)的输入时，输出将移位寄存器(14)复位的复位信号(D)；以及开关元件(18)，其接收移位寄存器(14)的门信号(J)，对截止状态和导通状态进行切换。

公开(公告)号：CN102056377B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201010540039.4

申请日：2010-11-09

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 竹内琢也 ,  宫尾将德

IPC: H05B37/02

CPC classification number: H05B33/0851

Abstract: 本发明涉及发光元件驱动电路系统以及电子设备。目的是在发光元件驱动电路系统以及具备该发光元件驱动电路系统的电子设备中，能够更适当地使发光元件渐变点亮。其中的发光元件驱动电路系统(10)驱动发光元件(8)，该发光元件驱动电路系统(10)具备：电流电路部，其以预先设定的驱动电流值驱动发光元件；以及电流值设定部，其以如下的方式对驱动电流值进行设定：使驱动电流值在预先设定的过渡期间内从第一电流值向第二电流值进行变化，在预先设定的过渡期间内从第二电流值向第三电流值进行变化，其中，上述第二电流值与第一电流值不同，上述第三电流值与第一电流值和第二电流值都不同。

公开(公告)号：CN101114671B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200710136906.6

申请日：2007-07-23

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 三田惠司 ,  玉田靖宏 ,  大家健太郎

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L21/24

CPC classification number: H01L29/735 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/167 ,  H01L29/6625

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。现有的半导体装置例如横型PNP晶体管中，其存在的问题是在维持耐压特性的同时，不增大器件尺寸就难以得到期望的电流放大率。而在本发明的半导体装置中，其在P型单晶硅衬底(3)上形成有N型外延层(4)。在横型PNP晶体管(1)中，外延层(4)作为基极区域使用。而且，在衬底(3)以及外延层(4)上扩散有钼(Mo)。利用该构造能够调整基极电流值、实现横型PNP晶体管(1)的期望的电流放大率(hFE)。

公开(公告)号：CN101651354B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200910166972.7

申请日：2009-07-01

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 荒井信宏 ,  栗原孝一

IPC: H02J7/00 ,  H02J7/10 ,  H01M10/44

CPC classification number: H02J7/0065 ,  H02J9/005 ,  Y10T307/878

Abstract: 本发明提供一种充电控制装置以及充电装置。充电控制装置包括：电压控制部，其控制根据经由继电器提供的输入电源产生用于电池充电的输出电压和用于控制的电源电压的充电装置中的输出电压和电源电压的产生；以及继电器控制部，其根据电源电压而动作，在检测到未进行电池的充电的待机状态时，驱动继电器以停止对充电装置提供输入电源，并且在电源电压变得比规定电平低时，驱动继电器以对充电装置提供输入电源从而使电源电压上升。由此，减少待机时的消耗功率。

公开(公告)号：CN101861009B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201010149898.0

申请日：2010-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 藤村芳夫 ,  西崎祐介 ,  吉冈悟

IPC: H05B37/02

CPC classification number: H05B33/0815 ,  H05B33/0851

Abstract: 本发明的发光元件的控制电路具备：整流部，将交流电源予以全波整流；开关元件，输入经整流部整流后的电压，并开关流通在进行发光的发光元件的电流；分压电路，将经整流部全波整流后的电压予以分压而获得基准电压Vref；比较器，比较基准电压Vref和与流通在发光元件的电流对应的比较电压Vcmp；以及控制部，依据比较器的比较结果控制开关元件的开关动作。

公开(公告)号：CN101667590B

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN200910168197.9

申请日：2009-09-03

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  土屋尚文 ,  龟山工次郎

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/04 ,  H01L21/329 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/7322

Abstract: 一种既可抑制制造成本，又可谋求与保护环相接的PN接合部的耐压性提升的半导体器件及其制造方法。本发明是在半导体衬底(10)的表面形成N-型半导体层，且在其上层形成P型半导体层。在P型半导体层上形成绝缘膜。之后，形成从绝缘膜至N-型半导体层的厚度方向的途中的多个沟，即第1沟、第2沟及第3沟。多个沟在其中彼此邻接的2个沟中，接近电子元件侧，即接近阳极电极侧的沟形成为比该沟靠外侧的另一沟更浅。之后，在第1沟内、第2沟内及第3沟内充填绝缘材料。之后，将由半导体衬底及叠层于其上层的各层所构成的叠层体，沿着切割线进行切割。

公开(公告)号：CN101686592B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200910176674.6

申请日：2009-09-24

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 西智昭

IPC: G09G3/32 ,  H05B37/02

CPC classification number: H05B33/0815

Abstract: 一种发光元件驱动控制电路，该发光元件驱动控制电路具备有：控制电路，将与发光元件及电感器串联连接从而控制发光元件的驱动电流的增减的晶体管根据控制信号予以导通/切断；最大值检测电路，检测驱动电流的最大值；以及控制信号产生电路，根据最大值检测电路的检测结果产生控制信号，该控制信号在驱动电流小于最大值时使晶体管导通以使驱动电流以因应电源电压的电平的速度增加，而在驱动电流变成最大值时使晶体管切断既定期间以使驱动电流以因应发光元件的顺向电压的电平的速度减少。