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公开(公告)号：CN101114671B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200710136906.6
申请日：2007-07-23
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L29/73 , H01L21/331 , H01L21/24
CPC classification number: H01L29/735 , H01L29/1008 , H01L29/167 , H01L29/6625
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。现有的半导体装置例如横型PNP晶体管中，其存在的问题是在维持耐压特性的同时，不增大器件尺寸就难以得到期望的电流放大率。而在本发明的半导体装置中，其在P型单晶硅衬底(3)上形成有N型外延层(4)。在横型PNP晶体管(1)中，外延层(4)作为基极区域使用。而且，在衬底(3)以及外延层(4)上扩散有钼(Mo)。利用该构造能够调整基极电流值、实现横型PNP晶体管(1)的期望的电流放大率(hFE)。
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公开(公告)号：CN101114671A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710136906.6
申请日：2007-07-23
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L29/73 , H01L21/331 , H01L21/24
CPC classification number: H01L29/735 , H01L29/1008 , H01L29/167 , H01L29/6625
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。现有的半导体装置例如横型PNP晶体管中，其存在的问题是在维持耐压特性的同时，不增大器件尺寸就难以得到期望的电流放大率。而在本发明的半导体装置中，其在P型单晶硅衬底(3)上形成有N型外延层(4)。在横型PNP晶体管(1)中，外延层(4)作为基极区域使用。而且，在衬底(3)以及外延层(4)上扩散有钼(Mo)。利用该构造能够调整基极电流值、实现横型PNP晶体管(1)的期望的电流放大率(hFE)。
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公开(公告)号：CN100530683C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610162542.4
申请日：2006-11-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/73 , H01L27/082 , H01L21/331 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L29/735 , H01L21/82285 , H01L27/0826 , H01L29/1012 , H01L29/6625 , H01L29/66272 , H01L29/7322
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，具有难以同时满足功率半导体元件的耐压特性和控制半导体元件的装置尺寸小型化的问题。本发明的半导体装置中，在P型单晶硅基板(3)上形成N型外延层(4)。在基板(3)和外延层(4)上，N型埋入扩散层(9)形成于P型埋入扩散层(6)上。通过这样的结构，能够抑制P型埋入扩散层(6)的爬升，在维持功率半导体元件的耐压特性的同时，能够减薄外延层(4)的厚度。进而，能够将控制用半导体元件的装置尺寸小型化。
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公开(公告)号：CN1983626A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610162542.4
申请日：2006-11-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/73 , H01L27/082 , H01L21/331 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L29/735 , H01L21/82285 , H01L27/0826 , H01L29/1012 , H01L29/6625 , H01L29/66272 , H01L29/7322
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，具有难以同时满足功率半导体元件的耐压特性和控制半导体元件的装置尺寸小型化的问题。本发明的半导体装置中，在P型单晶硅基板(3)上形成N型外延层(4)。在基板(3)和外延层(4)上，N型埋入扩散层(9)形成于P型埋入扩散层(6)上。通过这样的结构，能够抑制P型埋入扩散层(6)的爬升，在维持功率半导体元件的耐压特性的同时，能够减薄外延层(4)的厚度。进而，能够将控制用半导体元件的装置尺寸小型化。
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