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公开(公告)号：CN1807221A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510112298.6
申请日：2005-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种XeF2腐蚀过程中锚的制作方法，其特征在于将SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料淀积在要保护的锚周围，形成所需要的锚；或者直接采用XeF2气体几乎不腐蚀的材料来制作锚。锚结构有五种：锚由硅材料和覆盖在其周围的保护层材料构成；锚由硅材料、覆盖在其周围的保护层材料及填充层材料构成；锚由保护层材料及填充层材料构成；锚是由保护层材料构成的柱体；锚是由保护层材料构成的薄膜。上述五种锚结构涉及六种制作工艺。本发明的优点在于：一方面可准确控制微结构锚位置，增加单个硅片单元器件的产量，降低生产成本，另一方面还可提高阵列器件(如红外焦平面阵列器件)的占空比，改进器件性能。
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公开(公告)号：CN1792764A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510030805.1
申请日：2005-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机械加速度计圆片级封装工艺，其特征在于，采用粘接键合和深反应离子刻蚀微机械体加工工艺技术相结合，所述的圆片级封装工艺步骤是：使用各向异性腐蚀溶剂氢氧化钾双面同时腐蚀出保护腔体和未穿通的引线通孔；使用干刻蚀型苯丙环丁烯，涂覆于盖板的保护腔体一面的整个正面，即有保护腔体的这一面；使用键合机完成盖板硅片和微机械加速度器件的硅片的键合；利用深反应离子刻蚀技术将铝引线处通孔刻蚀穿通。本发明提供的圆片级封装工艺采用的设备和工艺均为微机械加工的常规工艺和设备，具有通用中性强特点，适用于从低量程微机械加速度计到高冲击微机械加速度计的制作。
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公开(公告)号：CN1716211A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200410025733.7
申请日：2004-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F11/10
Abstract: 本发明提供一种EDAC的交叉正反编码结构及解码的方法，其特征在于它基于概率判决的数据冗余存储编码，其特征在于：当有效信息字段长度M为≥4的偶数时，利用正反码的编码原理得到监督字段，再将信息字段和监督字段进行数据冗余备份，该编码结构中的四个字段交叉构成网状的相互监督的关系。编码结构中的信息字段和监督字段的顺序可依据实际需求进行调整；所得交叉正反码的最小码距为8。其解码方法有按字段解码和按比特操作，本发明提供的交叉正反码差错率极低，可纠错多位错码；高可靠性。
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公开(公告)号：CN1222795C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN02112181.8
申请日：2002-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海联能科技有限公司
Abstract: 一种采用以压电晶片驱动器制作的二维光开关矩阵及其方法，属于光通信领域，其特征在于镜面排列方法由密排发展为非密排；光纤准直器排列方式由原来对准镜面中心发展为对着镜面间隙；双压电晶片驱动器是由两根长条状压电材料相互平行地粘贴在一起，沿粘贴面插入中间电极，而第二电极和第三电极则分布在粘贴面相对的另两个面上，其根部固定在支架上；工作时，不同的电压沿电极加到压电片上，产生弯曲，其弯曲方向和弯曲大小由电压来控制；镜面或插入双压电晶片的自由端开出的定位槽中；或通过粘贴法粘贴在双压电晶片自由端的侧壁上。本发明突破了“不工作镜面中心不允许与准直器中心在同一高度上”限制。
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公开(公告)号：CN1215530C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03141848.1
申请日：2003-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/0673
Abstract: 本发明涉及一种硅纳米线的制作方法，其特征在于利用硅的各向异性腐蚀在介质层上硅材料上加工或硅纳米线方法。所得纳米线的截面为等腰三角形，三角形底上的高等于介质层上的硅材料厚度，控制硅材料厚度，就可得到截面尺度为10-50nm的硅纳米线；且可通过氧化进一步减细以及还可对材料进行掺杂，以制作不同导电类型的纳米线。使用本发明制作的纳米硅线，可用于研究低维半导体性质，还可以做成传感器件，电子器件，甚至发光器件等。且可批量生产，所以应用前景广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1588602A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410066370.1
申请日：2004-09-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种翘曲膜结构的单刀双掷射频和微波微机械开关及其制作方法。由第一基板上的第一凹部、位于第一凹部底部以及第一基板表面上的第一波导线、第一凹部底部的第一吸引电极、第一基板表面上的转换导体、第二基板上的第二凹部、位于第二凹部底部以及第二基板表面上的第二波导线、第二凹部底部的第二吸引电极、悬于第一凹部和第二凹部之间的翘曲弹性介质膜、翘曲弹性介质膜上的驱动导电膜以及其上的第二介质膜构成的复合膜组成。翘曲弹性介质膜内含有不大于100MPa的预置压应力。在稳定状态，复合膜与某一路波导线表面接触，使该路信号保持断开，复合膜与另一路波导线分开，使该路信号保持导通。具有状态锁存功能又无静态功耗特点。
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公开(公告)号：CN1587024A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410066491.6
申请日：2004-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种利用掩膜－无掩膜腐蚀技术实现AFM悬臂梁和探针一次成型的制作方法。其特征在于在腐蚀过程中，探针采用有掩膜腐蚀技术腐蚀，而梁采用无掩膜腐蚀技术腐蚀，当探针针尖的直径达到预定值时，梁的厚度达到设定值。本发明所涉及的各向异性湿法腐蚀工艺一次成型AFM探针和悬臂梁的制作方法具有以下优点。(1)制作工艺简单：仅采用了常规的光刻工艺和湿法各向异性腐蚀工艺，对工艺设备要求较低、简便易行，降低了产品成本，提高了成品率；(2)采用SOI硅片的顶层硅的下表面作为光反射面，与重掺杂自停止腐蚀形成的表面相比更平整，光反射率高；(3)以二氧化硅埋层为腐蚀自停止层，与重掺杂自停止方法相比，对梁厚度的控制更为精确。
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公开(公告)号：CN1400486A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02136625.X
申请日：2002-08-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于光调制热成像系统的芯片及制作方法，属于微电子机械系统领域。该芯片由滤光片、半透镜和微镜阵列组成，其特征在于微镜的反射面和半透镜的反射面构成F－P腔的两个反射面，其之间的距离为入射红外辐射波长的四分之一。其制作特征是选择合适厚度的硅膜、二氧化硅膜的SOI硅片，首先光刻微镜阵列图案，腐蚀硅膜、二氧化硅膜，重新热氧化硅、蒸上铝膜，使得这二层膜的总厚度等于原来SOI硅片中二氧化硅的厚度，而后光刻并刻蚀出微镜图案，随后作一次硅－玻璃键合，把F－P腔的两个面键合在一起。本发明不但保证了F－P腔的两个反射面之间的距离满足要求，同时较为方便地制作出了符合要求的双层镜面。
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公开(公告)号：CN1376925A
公开(公告)日：2002-10-30
申请号：CN02111212.6
申请日：2002-03-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在深反应离子(DRIE)形成的深沟侧面进行半导体杂质扩散来形成加速度敏感梁两个侧面上的压阻敏感电阻的加速度传感器及制造方法。属于硅微机械传感器技术领域。其特征在于为实现电阻间的电绝缘,还采用了在DRIE形成的绝缘深沟内进行绝缘薄膜填充的方法。这种制作方法可以实现硅片内方向挠曲的加速度敏感梁上最大应力的检测从而实现较高灵敏度。同时还克服了(1)采用硅片倾斜方向离子注入的繁琐和不适合批量制造;(2)为实施倾斜离子注入预留的过宽沟槽从而影响敏感梁接触过载保护性能二个缺点。具有制造工艺简单、构思巧妙并适合批量生产各种量程的加速度传感器,同时可以应用到多种压阻惯性传感器技术中,具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115308269B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210937290.7
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种气体传感器的制备方法，包括提供衬底；在衬底上制备至少一个由石墨烯缓冲层和有机柔性绝缘材料缓冲层组成的组合缓冲层；在最顶端的有机柔性绝缘材料缓冲层上制备敏感材料层，敏感材料层为石墨烯传感层；在敏感材料层上形成源极和漏极；进行后处理，在石墨烯缓冲层和有机柔性绝缘材料缓冲层的接触面处引入含氧官能团增加层间的互斥作用，优化敏感材料层的氧化程度。根据本发明的气体传感器及其应用，其用于检测苯类气体。根据本发明的气体传感器，将有机柔性绝缘材料缓冲层放置于两个石墨烯层中间抵消外界作用力，通过简单堆叠石墨烯层的方式增加石墨烯层与层之间的滑动作用，增强石墨烯气体传感器的耐弯折性能。
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