一种高分辨率的负性光刻胶及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118915389A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202410958667.6

    申请日:2024-07-17

    发明人: 陈育 陶青松

    IPC分类号: G03F7/004 H05K3/06

    摘要: 本发明提供一种高分辨率的负性光刻胶,所述负性光刻胶包含以下重量份的原料:1~90份感光树脂、1~99份改性环氧低聚物、3~20份光引发剂、0.5~10份光产酸剂、300~400份有机溶剂、0.5~10份交联剂;其中,所述改性环氧低聚物为琥珀酰亚胺改性环氧低聚物。本发明提供的负性光刻胶是一种具有优良耐热性能和高分辨率的负性光刻胶,固化效率高且深度固化,适于集成电路设计和半导体等领域应用。

    一种高频高速电路板盲孔制作工艺

    公开(公告)号:CN118413953B

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410866105.9

    申请日:2024-07-01

    发明人: 马永浩

    摘要: 本发明涉及高频高速印制电路板制造技术领域,尤其是涉及到一种高频高速电路板盲孔制作工艺,综合运用分步机械钻孔、分批真空层压、等离子表面处理和优化沉铜电镀等多项关键技术。通过精密控制盲孔成型,在相邻导通孔间形成的阶梯状过渡结构,并采用优化的电镀工艺实现盲孔内铜层厚度均匀性达90%以上。在高频传输、可靠性等性能指标上,新工艺制造的高频电路板较常规工艺产品具有显著优势。

    一种PCB生产过程中的电镀蚀刻液及其制备方法

    公开(公告)号:CN118870665A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410842229.3

    申请日:2024-06-27

    申请人: 中南大学

    发明人: 刘久清 陈志荣

    IPC分类号: H05K3/06 C23F1/18 C23F1/02

    摘要: 本发明涉及一种PCB板生产过程中的电镀蚀刻液及其制备方法,其特征在于,所述的一种PCB板生产过程中的电镀蚀刻液包含蚀刻母液、酸液、氧化剂、氯盐、缓蚀剂、稳定剂和表面活性剂。酸液可以为电镀蚀刻液提供酸性环境,将蚀刻母液和酸液混合得到的混合溶液一可以有效地抑制铜离子的水解,防止铜离子生成沉淀而导致溶液变浑浊,进而提高了电镀蚀刻液的化学稳定性;将氧化剂、氯盐、缓蚀剂、稳定剂和表面活性剂均匀混合得到的混合液二使五者能起到很好的协同增效作用,其间存在着相互作用,在本发明的电镀蚀刻液中添加缓蚀剂可使蚀刻速度保持稳定,提高蚀刻系数比及均匀性,同时配合稳定剂可以保持电镀蚀刻液的稳定性,防止电镀蚀刻液的分解和挥发;表面活性剂可以抑制静电和增加蚀刻速度;本发明制备的电镀蚀刻液能够提高蚀刻速率,减少侧蚀率,蚀刻后的PCB板表面整洁、无残留,侧蚀现象不明显。

    一种提高MSAP线路稳定性的方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118870663A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410537739.X

    申请日:2024-04-30

    发明人: 吴勇军

    IPC分类号: H05K3/06 H05K3/02 H05K3/22

    摘要: 本发明公开了提高MSAP线路稳定性的方法,在完成压膜工序以后,将要覆的MSAP板路浸在电沉积光刻胶溶液中,使电流动,电沉积光刻胶溶液中的树脂组分电泳并均匀地沉淀在MSAP板路上,通过化学作用在铜面上附上一层电沉积光刻胶,即电沉积膜,然后再在退膜和闪蚀工序后,将所述电沉积膜褪除。本发明利用电沉积膜工艺,通过化学处理将膜沉积于铜面,在闪蚀时因有沉积膜的存在,使其药水不对铜面造成攻击,实现铜厚及阻值不受影响,能够有效提高产品稳定性,降低报废率。

    一种具有限位结构的大尺寸印制电路板蚀刻用送料装置

    公开(公告)号:CN118660395B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202411144704.6

    申请日:2024-08-20

    IPC分类号: H05K3/06 H05K3/00

    摘要: 本发明涉及电路板加工技术领域,提供一种具有限位结构的大尺寸印制电路板蚀刻用送料装置,包括喷淋架和限位输送机构,所述喷淋架设置有两个,两个喷淋架之间空有足够电路板通行的间隙,且两所述喷淋架上均安装喷头,所述喷头均匀分布于所述喷淋架侧壁上,所述限位输送机构包括限位传送带和限位夹块,两所述喷淋架顶部与底部之间均安装有限位传送带,所述限位传送带的宽度与电路板的厚度相适配。本发明通过喷淋架和限位输送机构的设置,利用上下两组限位传送带对电路板进行输送,并通过限位夹块与弹簧的压力对电路板进行夹持,且夹持位置为电路板的边沿,既不会对电路板的蚀刻位置进行遮挡,且两面喷淋的方式也能够使电路板的蚀刻更为均匀。

    电路板及其制备方法
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118843261A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202411044285.9

    申请日:2024-07-31

    摘要: 本发明公开了一种电路板及其制备方法。实施例的制备方法包括如下步骤:在导热基板的表面的局部区域预压包括导热树脂层和第一铜箔层的第一复合材料层,预压第一复合材料层时在导热基板上设置具有限位孔的治具板,并利用该限位孔对第一复合材料层进行预压定位;在导热基板的表面上未预压第一复合材料层的区域压合第二复合材料层,同时进一步压合第一复合材料层;其中,第二复合材料层包括半固化片、第二铜箔层或表面设有第二铜箔层的绝缘基板。本发明的制备方法既可以提高第一复合材料层在导热基板上的位置精度以提高电路板生产良率,又可以保证导热树脂层与导热基板的良好连接而提高电路板的导热性能。

    一种基于埋线结构的电路板超小间距金手指制作工艺

    公开(公告)号:CN118338548B

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202410486517.X

    申请日:2024-04-22

    IPC分类号: H05K3/10 H05K3/06

    摘要: 本发明公开了一种基于埋线结构的电路板超小间距金手指制作工艺,依次包括:准备可剥离铜箔支撑板→L1层干膜影像转移→图形电镀→去膜→L2层压合→L2‑L1激光钻孔→L2‑L1填孔电镀→L2层线路制作→L3层压合→L3‑L2激光钻孔→L3‑L2填孔电镀→L3层线路制作→分板→L3层线路处理→快速蚀刻→退膜→阻焊→镀金;本发明中金手指线路结构在表面处理时,表面处理层仅在凹陷处沉积,避免了在手指间距方向的延伸及短路风险,利于超小间距金手指设计方案的实施,埋线结构设计方案优点非常突出,在不增加设备成本及材料成本的条件下,保证了产品的质量同时大大降低指距处的短路风险;降低了化学金/电镀金等表面处理的高均匀性要求,减少了化学金/电镀金设备均匀性维护成本。

    一种柔性线路板外层细线路的制作方法

    公开(公告)号:CN114641143B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202210141512.4

    申请日:2022-02-16

    发明人: 冯志强 胡宗敏

    IPC分类号: H05K3/06

    摘要: 本发明公开了一种柔性线路板外层细线路的制作方法,包括:在外层线路板表面压合至少两层干膜;两层干膜为曝光图形不完全重合的内层干膜和外层干膜;对未曝光的干膜进行显影;蚀刻外层线路板上裸露出的金属层;去除干膜;其中,内层干膜在对应外层线路板上通孔和盲孔以外的位置进行局部曝光;外层干膜和内层干膜同时在对应外层线路板上通孔和盲孔的位置进行曝光,使得内层干膜和外层干膜在线路图形区域形成差异化曝光和固化。叠加双层干膜,实现厚度增厚,增加填充和盖孔能力,同时控制孔内深层干膜的反应程度,易于完成去膜。

    一种新型图案化微纳米铜电路的制备方法

    公开(公告)号:CN118785619A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202310353098.8

    申请日:2023-04-04

    IPC分类号: H05K3/18 H05K3/06 H05K1/03

    摘要: 本发明适用于电路制备技术领域,提供了一种新型图案化微纳米铜电路的制备方法,包括如下步骤:对基底材料进行磁控溅射处理;在磁控溅射表面均匀旋涂光刻胶,并光刻形成光刻胶掩膜和光刻空间;在光刻空间部分进行电镀铜,形成镀铜层,得到化学镀电路版图;去除化学镀电路版图的光刻胶掩膜;微刻蚀除去被光刻胶覆盖的磁控溅射金属层,获得带有金属电路精细微图案化的高分子材料。借此,本发明能够得到边缘整齐光滑且精度非常高、且高深宽比优异的铜金属电路,同时,本发明产生的铜离子废水量少,极大程度上降低对环境的污染程度。

    感光性树脂组合物和抗蚀图案的形成方法

    公开(公告)号:CN118778362A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202410867812.X

    申请日:2019-06-11

    摘要: 本发明提供一种用于在曝光后进行加热,然后进行显影而得到树脂固化物的感光性树脂组合物。本发明还涉及抗蚀图案的形成方法。上述感光性树脂组合物以其总固体成分质量作为基准,包含以下的成分:(A)10质量%~90质量%的碱溶性高分子、(B)5质量%~70质量%的具有烯属不饱和双键的化合物、以及(C)0.01质量%~20质量%的光聚合引发剂。碱溶性高分子(A)的无机性值(I值)为720以下;或碱溶性高分子(A)的溶解度参数(sp值)为21.45MPa1/2以下;或感光性树脂组合物包含以上述感光性树脂组合物中的总固体成分质量为基准计为3质量%以上的碱溶性高分子(A‑1),碱溶性高分子(A‑1)包含52质量%以上的源自作为单体成分的苯乙烯和/或苯乙烯衍生物的结构单元。