本发明适用于电路制备技术领域，提供了一种新型图案化微纳米铜电路的制备方法，包括如下步骤：对基底材料进行磁控溅射处理；在磁控溅射表面均匀旋涂光刻胶，并光刻形成光刻胶掩膜和光刻空间；在光刻空间部分进行电镀铜，形成镀铜层，得到化学镀电路版图；去除化学镀电路版图的光刻胶掩膜；微刻蚀除去被光刻胶覆盖的磁控溅射金属层，获得带有金属电路精细微图案化的高分子材料。借此，本发明能够得到边缘整齐光滑且精度非常高、且高深宽比优异的铜金属电路，同时，本发明产生的铜离子废水量少，极大程度上降低对环境的污染程度。