一种Cu1.8S基多晶块体热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108383526B

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN201810167410.3

    申请日:2018-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种Cu1.8S基多晶块体热电材料及其制备方法,所述的热电材料是由包括Cu1.8S和掺杂剂X2Y3的原料制备而成,所述的Cu1.8S与掺杂剂X2Y3的摩尔比为1:0.005~0.07。本发明制备出的热电材料,一方面In掺杂,引入电子,优化载流子浓度,并且引入点缺陷将显著增强短波长声子的散射从而降低高温热导率;另一方面,多余的In2S3形成了一种特殊的纳米结构,即多余的In2S3附着在气孔边缘,这种结构能够大幅降低材料的热导率,优化Cu1.8S材料的热电性能。本发明所涉及到的Cu1.8S基多晶块体热电材料的制备具有所需原料成本低,设备简单,易操作,效果显著的优点。

    一种薄膜型热电器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN112885946A

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN201911208105.5

    申请日:2019-11-30

    Abstract: 本发明涉及半导体器件领域,具体为一种薄膜型热电器件及其制作方法。该热电器件包括贴合于发热源表面的柔性框架和自支撑的热电对阵列,发热源产生的热量通过柔性框架传导到热电对下端,即为热电器件的热端;而自支撑热电对的上端悬空或贴合于其他散热部件,为热电器件的冷端,从而实现了热电对阵列的热并联结构。该热电器件的制作方法:首先利用磁控溅射掩膜沉积技术与高精度物理掩膜版相结合,在碳纳米管薄膜上分别沉积P型热电材料、N型热电材料和电极材料,再利用激光裁剪的方式将其裁剪为电串联热并联的器件所需结构,即可获得所需的热电器件。该热电器件利用薄膜型热电材料的面内性能和面外温差,可使器件的性能达到最优化。

    一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN112113670A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202010996100.X

    申请日:2020-09-21

    Abstract: 本发明属于微机电系统MEMS技术领域,具体涉及一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法。红外探测器由下至上依次包括衬底层、牺牲层、支撑层、圆形吸收区和热电堆;热电堆包括若干根热电偶,若干根热电偶依次电气串联,且中心对称均匀分布在圆形吸收区的四周,形成辐射状的热电堆,每根热电偶从下至上依次包括第二热电偶层、隔离层和第一热电偶层,热电堆通过水平的支撑层布设在牺牲层的上端,且圆形吸收区对应位于隔热空腔的上方,每根热电偶的一端和圆形吸收区连接,另一端位于隔热空腔上端口外侧对应的支撑层上。本发明通过热电偶的堆叠结构与热电堆的辐射分布,提高了传感器表面的利用率,同时也增强了冷端的热传导,因此提高了传感器的整体性能。

    一种原位生成的核壳结构热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111834516A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010727221.4

    申请日:2020-07-27

    Abstract: 本发明涉及一种原位生成的核壳结构热电材料及其制备方法,涉及能量转换材料技术领域。该原位生成的核壳结构热电材料是基体材料经热处理后由许多核壳结构小颗粒构成的块体材料,核壳结构小颗粒包括内核和依附在内核表面的原位生成的外壳,所述外壳可为单质元素,也可是多种单质元素共存。本发明还涉及上述原位生成的核壳结构热电材料的制备方法,必选步骤包括粉碎、热处理、合成块体,可选步骤包括置换反应,后续热处理。相对于非核壳结构热电材料,本发明的一种原位生成的核壳结构热电材料可显著增强热电材料的声子散射,降低热电材料的导热系数,提高热电性能,从而提高热电材料能量转换效率。

    热电元件
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111615754A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN201980008693.X

    申请日:2019-01-17

    Inventor: 成命锡

    Abstract: 本发明公开了一种热电元件,该热电元件包括:第一衬底;多个热电支腿,所述多个热电支腿被布置在第一衬底上;第二衬底,该第二衬底被布置在第一衬底上方的多个热电支腿上;电极,该电极包括布置在第一衬底和多个热电支腿之间的多个第一电极和布置在第二衬底和多个热电支腿之间的多个第二电极;和第一增强件,该第一增强件被布置在第一衬底的侧表面的一部分和下表面上。

    硅体热电转换材料
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111527613A

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN201880081665.6

    申请日:2018-12-26

    Abstract: 提供一种硅体热电转换材料,该材料通过降低硅的热传导率来使热电性能与现有技术相比得到提高。在该硅体热电转换材料为硅单体中,在室温下仅含硅时ZT超过0.2。该硅体热电转换材料具有:多个硅粒,其尺寸在1-300nm;第一孔,其存在于多个所述硅粒中及所述硅粒表面,且平均尺寸1-30nm以下;以及第二孔,其存在于多个所述硅粒之间,且平均尺寸为100-300nm,所述硅粒的长径比小于10。

    一种纳米复合热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111211215A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN202010152314.9

    申请日:2020-03-06

    Applicant: 杨锦祯

    Inventor: 杨锦祯

    Abstract: 本发明提供了一种复合热电材料,所述复合热电材料包含单质Si、单质Mg、单质Sn、SiC,Mg2Si和掺杂N元素,其中,所述复合材料中元素总含量摩尔百分比为20-30%的Si,20-30%的Sn,1-10%的C,0.1-2%的N和余量的Mg,其中SiC和Mg2Si的粒径均小于50nm,SiC与Mg2Si的体积比为10:90-30:70,N与SiC的摩尔比0.05-0.2:1。本发明制备的通过纳米复合非晶/晶态Mg2Si基热电材料,材料的热电性能,力学性能得到了大大提高。

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