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公开(公告)号：CN117812795B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202311810503.0
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种电子回旋共振离子源的强流脉冲离子束产生装置及方法，属于粒子加速器领域，其中该装置包括电子回旋共振离子源和引出电极，引出电极包括等离子体电极和抑制电极，等离子体电极的环上外壁插设并固定在等离子体弧腔的离子出口的内壁上，实现与等离子体弧腔的电连接；抑制电极与等离子体电极通过气隙绝缘，且等离子体电极的环内与抑制电极的内部相连通形成束流通道。其中，抑制电极用于承接变化电压，当抑制电极上的电压高于等离子体电极上的电压时，离子在等离子体弧腔内累积；当抑制电极上的电压低于等离子体电极上的电压时，累积在等离子体弧腔内的离子被释放，形成强流脉冲离子束，强流脉冲离子束最后通过束流通道引出。
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公开(公告)号：CN118675965A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411147116.8
申请日：2024-08-21
Applicant: 温州职业技术学院
Inventor： 黄志宏
IPC: H01J37/08
Abstract: 本发明涉及离子源技术领域，特指一种线形热丝弧离子源，包括阳极组件和阴极组件，其中阳极组件包括基板，且阴极组件设置于基板的一侧；所述阴极组件包括灯丝和两个灯丝安装架，且灯丝安装架包括安装块以及设置在安装块上的U型管和金属棒，其中灯丝两端分别设置于两个金属棒上，且基板、安装块和U型管由金属制成，并且U型管两端穿过基板并露出，且U型管与基板之间设置有绝缘件。因而本发明通过灯丝发射电子，其该电子与气体碰撞可形成线形等离子体，相比较圆形等离子体，线形等离子体的均匀性更好进而可应用涂层，而且由于是热丝弧离子源，并不采用间隔屏幕，故不存在阳极层离子源的问题，即避免了频繁的定期清洁。
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公开(公告)号：CN117896887B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202311839476.X
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种电子回旋共振离子源的脉冲离子束波形调制装置及方法，其中脉冲离子束波形调制装置包括调制盘、调制盘装置和微波机，调制盘装置包括兰盘、支撑金属盘和脉冲电压传导件，调制盘设置在支撑金属盘上，且与等离子体弧腔电连接；脉冲电压传导件穿过法兰盘，且外端伸出法兰盘形成操控端，内端穿过支撑金属盘并伸入至调制盘内；法兰盘上设置有微波接口，微波机与微波接口相连通。等离子体弧腔内流动的离子束在脉冲微波的作用下变成脉冲离子束，脉冲离子束轰击调制盘的过程中，高压和脉冲电压分别通过所述支撑金属盘和脉冲电压传导件传导至调制盘，并在调制盘上相互作用，调制出脉冲离子束波形。
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公开(公告)号：CN118571736A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410484288.8
申请日：2024-04-22
Applicant: 浙江芯科半导体有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本发明涉及离子注入机领域，具体公开了一种提高铝离子源ALN寿命和稳定性的离子注入机设计结构；本发明通过在阴极帽与ALN之间设置金属ALN内衬，让阴极与ALN之间有热屏蔽，进而避免ALN温度过快升高，避免ALN起皮，增加阴极帽端面厚度，避免阴极帽端面因为快速损耗而被击穿，提升阴极帽使用寿命，取消给反射极加外部电位，使得反射极形成自由电位状态，反射极获得电位由阴极发射到反射极电子量决定，具备一定电容特性，使电场更容易稳定，将ALN端部突出阴极帽端面形成ALN凸起，使得ALN匹配阴极帽端面出力最大特点，进一步稳定电场。
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公开(公告)号：CN118400857A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311828106.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司
IPC: H05H1/46 , H01J37/08 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种微波等离子体喷枪，可用于半导体加工技术领域中的离子注入机。本发明的微波等离子体喷枪，包括微波发生器、波导组件、等离子体腔室、工作气体供给装置以及介质管和导电杆。其中，介质管的开口端设置在等离子体腔室的外部并连接至波导组件，封闭端设置在等离子体腔室的内部；导电杆共轴地设置在介质管的内腔，其第一端延伸至介质管的开口端，第二端则延伸至介质管的封闭端。本发明的微波等离子体喷枪，不仅可以大大降低金属污染，而且其提供的电子分布均匀，能够更好地实现电荷中和反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118263074A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311837827.3
申请日：2023-12-28
Applicant: FEI 公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/08 , H01J37/10 , H01J37/244 , H01J37/26
Abstract: 用于自对准离子柱的方法。本文公开了用于带电粒子束显微镜的校准的系统和方法，该系统包括被配置为生成包括具有已知能量的多个带电粒子的CPB的源；至少一个透镜；检测器；以及控制器。根据各种所公开的实施方案，该控制器能够基于校准特性来确定该CPB显微镜需要重新校准。基于该确定，该控制器能够操作该源以生成校准CPB并且将该至少一个透镜配置为充当带电粒子镜。该控制器能够从与在从该带电粒子镜反射之后的该多个带电粒子相关联的该检测器接收数据。该控制器然后能够分析来自该检测器的该数据并且基于来自该检测器的该数据中的校准特性来自动地重新校准该CPB显微镜。
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公开(公告)号：CN113571401B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202110821872.4
申请日：2021-07-19
Applicant: 粤芯半导体技术股份有限公司
Inventor： 黄家明
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供了一种狭缝组件及离子注入机台，其中，所述狭缝组件包括中心设置有狭缝的基板，所述基板包括至少两个沿所述狭缝的开口方向呈直线排布的导电区，且相邻的两个导电分区之间设置有隔离区，所述狭缝横跨所有的所述导电区。本发明对带状离子束进行分区调速，使带状离子束中同时产生的离子同时到达硅片的表面，从而减少或避免离子注入后硅片表面出现Rs值或TW值分布不对称的情况，提高了离子注入的均匀性。
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公开(公告)号：CN114245930B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202080057911.1
申请日：2020-06-17
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/16 , H01J37/08
Abstract: 本发明描述一种用于离子植入的系统及方法，其包含：气体或包含至少一种可离子化气体的气体混合物，其用来产生离子物种；及电弧室，其包含两种或更多种不同电弧室材料。使用所述系统，在具有衬垫组合的所述电弧室中产生离子物种，且一或多个所要离子物种显示所述经产生的离子物种当中的更高束电流，这通过使用所述不同材料来促进。继而可实现将所述所要离子物种改进地植入到衬底中。此外，所述系统可在系统操作期间最小化金属沉积物的形成，由此延长源寿命且促成改进的系统性能。
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公开(公告)号：CN113196442B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201980083747.9
申请日：2019-12-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卢多维克·戈代 , 约瑟夫·C·奥尔森 , 罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森
IPC: H01J37/305 , H01J37/08 , H01J37/30
Abstract: 本公开内容的方面涉及用于制造波导的装置。在一个实例中，利用成角度的离子源来朝向基板投射离子以形成包括成角度的光栅的波导。在另一个实例中，利用成角度的电子束源来朝向基板投射电子以形成包括成角度的光栅的波导。本公开内容的另外的方面提供了用于利用成角度的离子束源和成角度的电子束源来在波导上形成成角度的光栅的方法。
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公开(公告)号：CN117957629A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280062981.5
申请日：2022-08-26
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 亚当·卡尔金斯 , 杰佛瑞·E·卡兰波特
Abstract: 本发明提供一种处理系统，包含离子源，离子源具有：等离子腔室，用于容纳等离子；提取组合件，沿等离子腔室的一侧安置且包含至少一个提取孔隙；以及天线组合件，延伸穿过等离子腔室。天线组合件可包含介电外壳和延伸穿过介电外壳的多个导电天线，导电天线具有形成于其中的用于将气体递送到介电外壳中的相应气体端口。处理系统可进一步包含温度调节系统，耦合到导电天线且耦合到介电外壳，用于监测介电外壳的温度且调节递送到导电天线的气体，以调节介电外壳的温度。
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