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公开(公告)号：CN114875476A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210632655.5
申请日：2022-06-07
Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司
Abstract: 本说明书实施例提供一种晶体制备装置，用于液相法制备晶体，该装置包括：生长腔体，生长腔体内设置至少一层板组件，其中，至少一层板组件上包括通孔；加热组件，用于加热生长腔体；连接组件，用于连接籽晶托以支撑籽晶；以及动力组件，用于带动连接组件旋转和/或上下运动，以带动籽晶托旋转和/或上下运动。
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公开(公告)号：CN114657631A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210310658.7
申请日：2022-03-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性石榴石单晶膜制备领域，具体提供一种铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜制备方法，用于解决液相外延生长的铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜容易产生晶体缺陷、开裂、剥落等难题，进而提高制备良品率。本发明采用液相外延法在SGGG基片上生长单晶石榴石厚膜，生长过程中，基片的旋转速度采用N阶变化：基片的第一阶旋转速度至第N阶旋转速度依次设置为R1至RN、且RN>RN‑1>…>R1，并以第一阶旋转速度开始在单个阶段变换周期内均匀升高至下一阶旋转速度、直至第N阶旋转速度，再依次均匀降低至第一阶旋转速度，如此交替变化直至生长结束；最终能够制备得到不易产生结晶缺陷、翘曲、裂纹、剥离的高品质(TmLuBi)3Fe5O12单晶石榴石厚膜。
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公开(公告)号：CN114481305A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011157541.7
申请日：2020-10-26
Applicant: 昆明物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种可自动取片的水平推舟式碲镉汞液相外延用石墨舟及方法，该石墨舟包含盖板、工字块、滑块、垫块和基座；滑块用于放置垫块，液相外延生长时衬底放置于垫块上；基座、滑块、工字块、盖板四个部分从下向上依次组装在一起；工字块与滑块接触部分开槽形成方形腔体，当外延材料从垫块上被顶出后，顶出的外延材料被方形腔体卡住，此时滑块继续移动，从而完成外延材料与滑块的分离；基座中心设置成一块楔形结构，当滑块中的垫块经过楔形结构时，该垫块被向上顶出，与工字块中的腔体一起配合完成自动取片。本发明避免了待母液完全冷却再取片给外延薄膜带来的裂纹，提高了碲镉汞外延薄膜的完整性。
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公开(公告)号：CN111118597B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201811287220.1
申请日：2018-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC: C30B19/06
Abstract: 本发明公开了一种用于水平液相外延生长的石墨舟，包括舟底座、设于舟底座内的舟滑块、以及与舟底座相连的舟盖板，所述舟底座底部于左右两侧设有供机械手取放的取放部，两所述取放部之间设有支撑部，所述支撑部下方设有舟托板，所述舟托板顶部设有下凹槽，所述支撑部底部设有上凹槽，所述下凹槽与所述上凹槽配合形成内控热耦放置孔。本发明具有结构简单、使用方便、避免对拉杆和内控热耦反复操作、有利于降低内控热耦和拉杆损坏风险等优点。
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公开(公告)号：CN112064119B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010966462.4
申请日：2020-09-15
Applicant: 北京智创芯源科技有限公司
Inventor： 不公告发明人
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞薄膜材料的石墨舟，包括具有至少两组水平液相外延组件的生长部件，水平液相外延组件逐层设置，每组水平液相外延组件均能够用于生长至少一片碲镉汞薄膜材料，相邻层间的水平液相外延组件相互连通；设置于生长部件下方的底座；设置于生长部件上方的盖板。对于大规模的碲镉汞薄膜材料，只需要在生长部件上增加水平液相外延组件的层数和单个水平液相外延组件能够生长碲镉汞薄膜材料的数量，便能够进一步提高碲镉汞薄膜材料的生长效率。此外，本发明还公开了一种用于碲镉汞薄膜材料的生长系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106103816B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201480077198.1
申请日：2014-11-27
Abstract: 一种氮化镓晶体的制造方法，其包括：其中通过将氮溶解在包含镓和钠的混合熔体中以生长氮化镓晶体(5)的生长步骤，以及其中使包含镓和钠的合金(51)与使钠离子化的液体(52)反应从而使钠离子和镓(55)从所述合金(51)分离且回收所分离的镓(55)的回收步骤。
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公开(公告)号：CN112064119A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010966462.4
申请日：2020-09-15
Applicant: 北京智创芯源科技有限公司
Inventor： 不公告发明人
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞薄膜材料的石墨舟，包括具有至少两组水平液相外延组件的生长部件，水平液相外延组件逐层设置，每组水平液相外延组件均能够用于生长至少一片碲镉汞薄膜材料，相邻层间的水平液相外延组件相互连通；设置于生长部件下方的底座；设置于生长部件上方的盖板。对于大规模的碲镉汞薄膜材料，只需要在生长部件上增加水平液相外延组件的层数和单个水平液相外延组件能够生长碲镉汞薄膜材料的数量，便能够进一步提高碲镉汞薄膜材料的生长效率。此外，本发明还公开了一种用于碲镉汞薄膜材料的生长系统。
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公开(公告)号：CN111118597A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811287220.1
申请日：2018-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC: C30B19/06
Abstract: 本发明公开了一种用于水平液相外延生长的石墨舟，包括舟底座、设于舟底座内的舟滑块、以及与舟底座相连的舟盖板，所述舟底座底部于左右两侧设有供机械手取放的取放部，两所述取放部之间设有支撑部，所述支撑部下方设有舟托板，所述舟托板顶部设有下凹槽，所述支撑部底部设有上凹槽，所述下凹槽与所述上凹槽配合形成内控热耦放置孔。本发明具有结构简单、使用方便、避免对拉杆和内控热耦反复操作、有利于降低内控热耦和拉杆损坏风险等优点。
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公开(公告)号：CN107513761B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710537755.9
申请日：2017-07-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种石墨舟进出过渡负载锁，包括锁腔、以及用于密封锁腔的外门和内门，所述锁腔内设有滑轨以及用于承载石墨舟的托盘，所述滑轨位于所述外门和内门之间，所述托盘通过一滑块装设于所述滑轨上，所述锁腔上设有用于驱动所述滑轨的驱动机构。一种石墨舟进出上述负载锁的方法，包括以下步骤：打开外门，将托盘沿着滑轨拉出锁腔，将石墨舟放置于托盘上，然后将托盘反向推回锁腔内；关闭外门，将锁腔内抽真空；达到设计指标要求后，打开内门，驱动机构带动滑轨向内门移动，滑轨带动滑块、托盘及石墨舟整体移动直至石墨舟移出锁腔。本发明具有自动化程度高、操作便利、效率高、不影响石墨舟使用寿命等优点。
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公开(公告)号：CN106905951A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710059714.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 苏州科技大学
CPC classification number: C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/185 , C30B19/062
Abstract: 本发明提供一种基于光子晶体的三重态‑三重态湮灭上转换发光体系及其制备方法，其中，所述三重态‑三重态湮灭上转换发光体系包括：上转换溶液与光子晶体膜；所述上转换溶液与光子晶体膜按照如下方式相互作用：所述上转换溶液进入到所述光子晶体膜中形成单层混合体系，并通过所述光子晶体膜的布拉格镜面反射作用增强所述上转换发光体系的上转换荧光。本发明的基于光子晶体的三重态‑三重态湮灭上转换发光体系，其上转换溶液进入到光子晶体膜中形成单层混合体系，通过光子晶体的布拉格镜面发射作用获得弱光上转换效率的提高，解决了现有技术三重态‑三重态湮灭上转换体系发光效率低的问题，上转换效率可达15％，具有显著的技术效果。
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