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公开(公告)号:CN102792435A
公开(公告)日:2012-11-21
申请号:CN201180012344.9
申请日:2011-02-24
Applicant: 信越聚合物株式会社
Inventor: 小川统
IPC: H01L21/673 , B65D85/86
CPC classification number: H01L21/67379
Abstract: 提供一种使运送零件相对于容器主体的安装机构的安装作业的作业性提高、能够将运送零件容易从安装机构脱落的可能性排除、抑制在安装机构及运送零件上残留清洗水等液体的基板收存容器。一种基板收存容器,在半导体晶片收存用的容器主体(1)的顶棚(2)上设置安装机构(20),在安装机构(20)上拆装自如地安装作为运送零件(30)的机器人凸缘(31),安装机构(20)具备在顶棚(2)上成对设置的多对支承轨道(21)、设在顶棚(2)上的多个导引片(23)、和形成在各导引片(23)上的干涉卡合部(24),将导引片(23)和干涉卡合部(24)组合,将其前部形成为两股部(25)。此外,运送零件(30)具备支承在多对支承轨道(21)间的零件主体(32),在零件主体(32)上穿孔流体用的流通口(36),并且内置与两股部(25)干涉的可弹性变形的弹性卡合片(35)。
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公开(公告)号:CN102428552A
公开(公告)日:2012-04-25
申请号:CN201080021613.3
申请日:2010-05-17
IPC: H01L21/673 , B65D85/86 , B65G49/06
CPC classification number: B65G49/061 , B65G49/064 , B65G2249/02 , H01L21/67373 , H01L21/67379
Abstract: 提供能简便地密闭和打开底面的卡匣结构。收纳基板(40)的卡匣(100)具备:卡匣主体部(10),其在内部配置基板(40);卡匣开口部(12),其形成于卡匣主体部(10)的侧面;底面开口部(14),其形成于卡匣主体部(10)的底面;底板(20),其封堵底面开口部(14);支撑棒(30),其支撑底板(20)的下面;以及底板按压部(22),其按压由支撑棒(30)支撑的底板(20)的周缘部的上面。
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公开(公告)号:CN101000882B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200610150471.6
申请日:2006-10-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 马丁·R·埃利奥特 , 杰弗里·C·哈德更斯 , 维纳·K·沙
IPC: H01L21/677 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67353 , H01L21/67373 , H01L21/67379 , H01L21/67772 , H01L21/67775
Abstract: 本发明提供了用于打开衬底载具的方法、系统及设备。本发明提供了一种新颖的装载端口,用于从衬底载具传输系统接收衬底载具。该装载端口包括门打开机构,其适于使用真空压力以保持衬底载具门抵靠门打开机构。该装载端口还适于施加气流至衬底载具的外周以防止潜在污染物进入衬底载具。还提供了很多其他特征。
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公开(公告)号:CN1320626C
公开(公告)日:2007-06-06
申请号:CN03806220.8
申请日:2003-05-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 小山胜彦
CPC classification number: H01L21/67369 , H01L21/67373 , H01L21/67379 , Y10S414/14
Abstract: 本发明涉及一种被处理体的收存容器体,其包括:可以收存能保持多枚第一被处理体的开放型盒、并且具有能收存多枚与上述第一被处理体相比大口径的第二被处理体的大小的箱式容器;设置在上述箱式容器的内侧壁、多级地支持上述多枚第二被处理体的支持部;可装卸地设置在上述箱式容器开口部的开闭盖;和,可装卸地设置在上述箱式容器底部的定位卡合部。上述开闭盖可密闭上述箱式容器。上述定位卡合部与设置在上述盒的底部下面的定位部件卡合,可进行该盒的定位。
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公开(公告)号:CN1957456A
公开(公告)日:2007-05-02
申请号:CN200680000266.X
申请日:2006-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 唐泽渉
IPC: H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67379 , H01L21/67775
Abstract: 中转站(10)的内部为基片容纳部(10a),在其相对的侧壁部形成有用于支承多个半导体晶片的支承部(11)。在中转站(10)的两侧形成有基片处理装置侧开口部(12)和搬运装置侧开口部(13),在这些开口部上设有基片处理装置侧开闭机构(14)和搬运装置侧开闭机构(15)。中转站(10)的底面(18)形成为依照SEMI规格的晶圆箍的形状,可加载在用于加载晶圆箍的加载台上。
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公开(公告)号:CN1950928A
公开(公告)日:2007-04-18
申请号:CN200580013972.3
申请日:2005-09-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67353 , H01L21/67379
Abstract: 提供了一种第一衬底承载体,其具有适于存储一个或更多衬底的主体;以及(1)具有延伸进入主体的存储区域中的一个或更多耦合特征的底表面或(2)在主体旁边延伸的耦合特征中的一者,使得衬底承载体的整体高度不会因耦合特征的总高度而增加。还提供了很多其他方面。
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公开(公告)号:CN1304254C
公开(公告)日:2007-03-14
申请号:CN02818058.5
申请日:2002-07-15
Applicant: 诚实公司
IPC: B65D85/48
CPC classification number: H01L21/67353 , H01L21/67373 , H01L21/67379 , H01L21/67386
Abstract: 一种保护运送装置,包含一个盖子和一个底座,其通过一个锁紧装置保持在一起。该底座可设置成保持和保护位于储存匣内的半导体晶片或具有晶片的薄膜支架。该底座包含一个锁紧件以及一个限定存储匣的支撑壁。该盖子密封存储匣。一个或两个盖子可容纳用于握紧的凹槽。该盖子可接纳一个或多个防振锁紧孔,锁紧孔具有较窄的锁紧区,其开口优选为“T”形。锁紧件通过T形开口的水平杆部分接合所述盖,当锁紧件移动到T形开口的下支中时,可以脱开接合。本发明的运送装置可以在一通过使用可相互交换的模具插件能够生产运送装置的薄膜支架或晶片容纳结构的模具中制造。
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公开(公告)号:CN1466732A
公开(公告)日:2004-01-07
申请号:CN01816308.4
申请日:2001-08-14
Applicant: 阿西斯特技术公司
Inventor: 雷蒙德·S·马丁
CPC classification number: H01L21/67775 , H01L21/67242 , H01L21/67253 , H01L21/67265 , H01L21/67294 , H01L21/67379
Abstract: 本发明公开了一种能够在装载口监测晶片载体的多个性能特征的系统以及一种用于在大量制造的基础上进行载体管理操作的系统。
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公开(公告)号:CN1465094A
公开(公告)日:2003-12-31
申请号:CN02802611.X
申请日:2002-06-07
Applicant: 埃姆科尔股份有限公司
IPC: H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/4401 , C30B25/08 , C30B25/10 , H01L21/2026 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/67373 , H01L21/67379 , H01L21/67772 , H01L21/67775 , H01L27/1218 , H01L27/1274 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L29/78675
Abstract: 一用来生长外延层的反应器(120)包括一反应室(122),该反应室具有用来将晶片载体(196)插入反应室和从反应室中取出的贯穿开口(144)。该反应器还包括一位于反应室(122)内的圆柱形百叶窗挡板(148),用来有选择地关闭贯穿开口(144)。圆柱形百叶窗挡板(148)在关闭贯穿开(144)的第一位置和打开贯穿开口的第二位置之间移动。圆柱形百叶窗挡板(148)包括一适于接纳冷却液的内部腔(150)和用来将冷却液引导入内部腔(150)的管子(152)。管子(152)永久地固定在百叶窗挡板(148)上,并与其同步地移动。圆柱形百叶窗挡板(148)基本上包围晶片载体(196)的外周缘,由此,最大程度地减小反应气体的温度场和流场的不均匀性的特性。
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公开(公告)号:CN1465093A
公开(公告)日:2003-12-31
申请号:CN02802652.7
申请日:2002-07-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 广岛安
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02686 , C23C16/4401 , C23C16/4411 , C30B25/08 , C30B25/10 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/67373 , H01L21/67379 , H01L21/67772 , H01L21/67775 , H01L27/1218 , H01L27/1274 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供一种半导体薄膜以及半导体装置的制造方法。该方法是在二层硅膜之间设置具有贯通孔的绝缘膜,通过激光照射使硅膜部分熔化,从连接贯通孔的绝缘膜的下层侧的硅膜的至少一部分经过该贯通孔直到绝缘膜的上层侧的至少一部分,形成连续的基本单结晶硅膜。由于绝缘膜的贯通孔直径可以与成为在绝缘膜下层侧的硅膜上生成的多结晶的一个的结晶粒的大小相同或稍小,所以只要比用以往的方法形成的孔的直径大的贯通孔便可充分达到要求。这样就不必要使用昂贵的精密的曝光装置、蚀刻装置。而且能够容易地在如大型液晶显示器等那样的大型基片上形成多个高性能的半导体装置。
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