曝光装置以及曝光方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1244019C

    公开(公告)日:2006-03-01

    申请号:CN01117666.0

    申请日:1997-11-28

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间,可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时,用于相对曝光图形的对位,所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。

    曝光系统
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108267828A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201810150904.0

    申请日:2018-02-13

    IPC分类号: G02B7/02 G03F7/20

    CPC分类号: G02B7/023 G03F7/70216

    摘要: 本发明公开了一种曝光系统,包括曝光腔室、光源组件、投影组件、承载台、固定支撑件、支撑框架;光源组件、投影组件和承载台均设置于曝光腔室内;光源组件用于产生曝光光线;投影组件设置有连杆构件、支撑构件以及驱动机构;驱动机构包括驱动器、滑轮、连接线,驱动器用于摆动透镜并将透镜保持在预定的角度;驱动器包括驱动主体和动力传递轴,圆盘状的滑轮安装在动力传递轴的前端;透镜的透镜主体的边缘部安装有两个轨道部件,第一、第二连接部件分别固定在轨道部件的左右方向的中间部分;支撑构件具有安装台,安装台包括支承构件和支撑部件,驱动器设置在支承构件的板状部的下表面。本发明能调整曝光系统中的投影组件的透镜的朝向。

    制备高比表面积的光刻胶-石墨烯材料的复合体系的方法

    公开(公告)号:CN107367905A

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201710576149.8

    申请日:2017-07-14

    发明人: 邹应全 薛兵

    CPC分类号: G03F7/70216 G03F7/40 G03F7/42

    摘要: 本发明涉及一种制备光刻胶-石墨烯材料的复合体系的方法,其包括:1)提供包含石墨烯材料和光刻胶的混合物;2)采用掩模图形版对由步骤1)得到的混合物进行曝光;和3)用显影液处理由步骤2)得到的曝光的材料以除去未交联部分,得到光刻胶-石墨烯材料的复合体系,其中所述石墨烯材料选自石墨烯、氧化石墨烯及其混合物。本发明方法工艺简单且所得复合体系具有高比表面积。所得复合体系适用于制备催化剂载体、表面吸附材料和微传感器。