- 专利标题： 用于极紫外光刻的反射掩模及EUV光刻设备
- 专利标题（英）： Reflective mask for EUV lithography
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申请号： CN201080064274.7申请日： 2010-12-17
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公开(公告)号： CN102770806B公开(公告)日： 2014-07-16
- 发明人: V.卡梅诺夫 , S.米古拉
- 申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 申请人地址： 德国上科亨
- 专利权人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 当前专利权人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 当前专利权人地址： 德国上科亨
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 邸万奎
- 优先权： 102009054986.2 2009.12.18 DE; 61/305,717 2010.02.18 US
- 国际申请： PCT/EP2010/070171 2010.12.17
- 国际公布： WO2011/073441 EN 2011.06.23
- 进入国家日期： 2012-08-20
- 主分类号： G03F1/52
- IPC分类号： G03F1/52 ; G03F7/20
摘要：
为针对EUV光刻设备的掩模的高反射率而改进EUV光刻设备的掩模，提出了用于EUV光刻的反射掩模，所述反射多层系被构造用于EUV范围内的工作波长且具有在所述工作波长处具有不同折射率实部的至少两种材料的层的层堆，其中所述多层系（V）被构造为使得当所述多层系被固定波长的EUV辐射照射且最小和最大入射角之间的角度区间高至21°时，切趾小于30％。
公开/授权文献
- CN102770806A 用于极紫外光刻的反射掩模 公开/授权日：2012-11-07
