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公开(公告)号：CN107902920A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710420865.7
申请日：2017-06-07
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： C03C17/34 , C01B32/186 , C01B32/19 , C01G39/06 , C01B32/194 , B82Y30/00 , G01N27/327
CPC分类号： C03C17/347 , B82Y30/00 , C01B2204/32 , C01G39/06 , C03C17/3441 , C03C2217/231 , C03C2217/288 , C03C2218/11 , G01N27/3278
摘要： 一种二硫化钼-石墨烯复合纳米片的制备及应用，涉及一种二硫化钼-石墨烯复合纳米片的制备方法及其应用。本发明是要解决现有材料在生物传感器中检测左旋多巴灵敏度低的问题。本发明制备方法如下：一、化学气相沉积法；二、液相超声辅助剥离法；三、液相超声分散法；四、自动喷涂法。本发明制备的一种二硫化钼-石墨烯复合纳米片具有比表面积大和电导性能优良等优点，可用于高效、灵敏检测左旋多巴。
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公开(公告)号：CN107673401A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201711011927.5
申请日：2017-10-25
申请人： 广西沙田仙人滩农业投资有限公司
CPC分类号： C01G9/08 , C01P2004/20 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C03C17/22 , C03C2217/288 , C03C2218/11
摘要： 本发明公开了一种纳米级ZnS薄膜的制备方法。以可溶性锌盐、氨水、硫脲为原料，以玻璃为衬底，通过严格控制各原料的浓度，在150-180℃之间进行水热反应，反应时间为20-40min，得到厚度在80-160nm之间的纳米级的薄膜。通过过控制水热反应的温度和时间，可以调控得到不同厚度的纳米级ZnS薄膜，从而满足不同的使用要求。本发明公开的纳米级ZnS薄膜的制备方法，所用原料简单易得，方法步骤少、易于操作，得到的纳米级ZnS薄膜质量好，厚度小，生产成本低，设备要求较低，简便易行，具有较高的推广应用价值。
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公开(公告)号：CN107098597A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201610093014.1
申请日：2016-02-20
申请人： 济南领飞电气设备有限公司
发明人： 刘科高
IPC分类号： C03C17/22
CPC分类号： C03C17/22 , C03C2217/288 , C03C2218/116
摘要： 一种铜铝硫光伏薄膜的制备方法，属于光伏薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤获得，首先清洗玻璃基片，然后将CuCl2·2H2O、Al(NO3)3·9H2O、CH4N2S放入溶剂中，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将此密闭容器进行加热后取出样品并干燥，得到铜铝硫光伏薄膜。本发明不需要高温真空条件、对设备仪器要求低并容易操作、生产成本低、生产效率高等优点。所得铜铝硫光伏薄膜择优取向生长且有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铝硫光伏薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
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公开(公告)号：CN106082691A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610418999.0
申请日：2016-06-15
申请人： 山东建筑大学
IPC分类号： C03C17/22 , H01L31/032
CPC分类号： C03C17/22 , C03C2217/288 , H01L31/0322
摘要： 一种由硝酸铜制备铜镓硫光电薄膜的方法，属于太阳电池用光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将Cu(NO3)2·3H2O、Ga(NO3)3·xH2O、CH3CSNH2放入溶剂中混合均匀，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触，并将装有样品的密闭容器装入烘箱进行加热和保温处理，最后取出样品浸泡24小时后进行干燥，得到铜镓硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜镓硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性，主相为CuGaS2相，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备高性能的铜镓硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
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公开(公告)号：CN106082690A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610418922.3
申请日：2016-06-15
申请人： 山东建筑大学
IPC分类号： C03C17/22 , H01L31/032
CPC分类号： C03C17/22 , C03C2217/288 , H01L31/0322
摘要： 一种由硫酸铜制备铜铟硫光电薄膜的方法，属于太阳电池用光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将Cu2SO4·5H2O、In(NO3)3·4.5H2O、CH3CSNH2放入溶剂中混合均匀，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触，并将装有样品的密闭容器装入烘箱进行加热和保温处理，最后取出样品浸泡24小时后进行干燥，得到铜铟硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铟硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性，主相为CuInS2相，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备高性能的铜铟硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
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公开(公告)号：CN103322501B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310181611.6
申请日：2013-05-16
申请人： 邯郸市盛德技术玻璃有限公司
IPC分类号： F21S11/00
CPC分类号： C09K11/7731 , C03C17/347 , C03C19/00 , C03C2217/288
摘要： 本发明属于光功能玻璃技术领域，涉及一种太阳光型光合转光玻璃平面光源。平面光源由中空玻璃组件及其发光材料薄膜组成，两片玻璃都采用超白压花玻璃工业产品，在其中一片玻璃的压花面上沉积有10微米至80微米厚度的稀土发光材料薄膜，在蓝光和绿光辐照下产生特征波长为660纳米的红光。该光源可以防止转光材料的潮解劣化，容易回收再利用，光辐照均匀，机械强度高，容易实现规模化工业生产。
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公开(公告)号：CN104876425A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510090216.6
申请日：2015-02-27
申请人： 肖特股份有限公司
发明人： 安德烈斯·兰格斯多弗 , 克里斯汀·斯托奇 , 乌尔丽克·斯托尔 , 托马斯·施密蒂 , 鲁迪格·迪特里希 , 安德烈斯·本斯伯格 , 阿明·沃格 , 格哈德·劳特恩施拉格
IPC分类号： C03B18/02
CPC分类号： C03B18/14 , C03B29/06 , C03C3/085 , C03C3/093 , C03C21/002 , C03C21/007 , C03C2203/54 , C03C2217/288
摘要： 本发明涉及一种浮法玻璃板和用于制造浮法玻璃板的浮法工艺，其中，熔融玻璃连续地进给到熔融金属(13)上，并在拉伸方向(8)中拉长，以形成具有面向熔融金属(13)的锡槽侧(15)和背向熔融金属(13)的上侧(16)的预定宽度的玻璃带(14)，以及其中，将玻璃带(14)沿着拉伸区(9)冷却，从熔融金属(13)剥离，并进一步运送入退火窑(12)，其特征在于，将包含O2的气氛(30)设置在拉伸区(9)的从拉伸方向(8)看位于熔融金属(13)下游的A部分中，并且在至少第一位置S1处、优选在进一步的位置Sn处，通过供应包含SO2的气流(35)，A部分中的气氛在上侧(16)的SO2浓度比玻璃带(14)的锡槽侧(15)更高。
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公开(公告)号：CN109650734A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811445693.X
申请日：2018-11-29
申请人： 华夏易能(广东)新能源科技有限公司
发明人： 瞿佳华
IPC分类号： C03C17/22
CPC分类号： C03C17/002 , C03C17/22 , C03C2217/288 , C03C2218/117
摘要： 本发明涉及镀膜技术领域，具体而言，涉及一种水浴法镀膜装置及采用其的镀膜工艺，包括用于容纳反应液的反应槽，所述反应槽内设置有超声波装置和搅拌装置；所述反应槽设置有反应液进入口，所述搅拌装置位于所述反应液进入口处，所述搅拌装置用于加速从所述反应液进入口流出的反应液与所述反应槽内反应液混合，所述超声波装置用于增大反应液中离子运动速率；镀膜装置能够提高CdS薄膜层的质量，提高太阳能电池效率。
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公开(公告)号：CN108807560A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810704336.4
申请日：2018-07-01
申请人： 山东建筑大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18 , C03C17/22 , C23C18/16
CPC分类号： H01L31/02168 , C03C17/22 , C03C2217/288 , C03C2218/116 , C23C18/1658 , C23C18/1676
摘要： 一种用硫粉辅助制备铜铁硫光电薄膜的制备方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将CuCl2.2H2O、FeCl3.6H2O和Na2S2O3.5H2O依次放入溶剂水中，配制澄清透明溶液，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入反应釜内胆的中间层中，同时在涂有前驱体溶液的玻璃片旁边放入硫粉，反应釜内胆的下层放入水合联氨溶液，使前驱体薄膜样品不与联氨直接接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜铁硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铁硫光电薄膜较不加硫粉制得的薄膜均匀性和结晶都要好，这种新工艺为制备高性能的铜铁硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
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公开(公告)号：CN106835062A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710045303.9
申请日：2017-01-22
申请人： 福州大学
CPC分类号： C23C14/5846 , C03C17/22 , C03C2217/288 , C03C2217/289 , C03C2218/152 , C03C2218/17 , C03C2218/32 , C23C14/5813 , C23C14/5866
摘要： 本发明涉及一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，包括以下步骤：（1）提供一基板，将固态M源均匀覆盖于所述基板表面，形成固态M源层，其中 M为过渡金属元素；（2）在气态X源的环境下，用激光束辐照所述基板表面，使得基板表面的M源层瞬间加热，并与其附近的气态X源发生反应，在基板表面形成MX2薄膜，其中X为硫族元素。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单易行，不仅制备的速度快，而且制备的环境相对容易满足要求，在常温常压的隔氧保护环境下就可进行。
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