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公开(公告)号：CN103295589B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310050770.2
申请日：2013-02-08
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供了一种制造热辅助磁记录头的方法，其包括：准备条状体和多个光源单元，条状体包括多个排列在第1方向上的热辅助磁记录头部，各个所述光源单元包含基体和光源；使1个以上的光源单元分别与1个以上的条状体的热辅助磁记录头部对准，以使基体的第1面与第1方向平行；以及将对准后的基体的第2面经由粘合层与条状体接合。在接合中，通过对基体的第1激光束的照射以及对条状体的第2激光束的照射，使粘合层熔融。
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公开(公告)号：CN103137141A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210506215.1
申请日：2012-11-30
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/314 , G11B5/105 , G11B5/6088 , G11B2005/0021 , Y10T29/49032 , Y10T29/53165
Abstract: 本发明提供一种制造热辅助磁记录头的方法，其包括：准备包括光源的光源单元；准备在其上具有热辅助磁记录头部的基体，该热辅助磁记录头部包含磁极、等离子体发生器和光波导；在光源单元和基体之间插入金属，并且使金属熔融；以及在维持金属熔融的同时，在施加使光源单元和基体互相靠近的方向上的压力下，进行光源单元与热辅助磁记录头部之间的对准。
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公开(公告)号：CN102456355A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110310014.X
申请日：2011-10-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/314 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/1278 , G11B5/3967 , G11B5/6088 , G11B2005/001 , G11B2005/0021 , G11B2005/3996 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/5313 , Y10T29/53191
Abstract: 本发明提供了一种热辅助磁性记录头的制造方法，热辅助磁性记录头包括具有光源的光源单元和具有光学系统的滑块。所述制造方法包括以下步骤：通过抽吸，将单元单元与后保持模具粘合；移动后保持模具，然后在滑块后表面内的方向上，将光源的光发射中心与光学系统的光接收端面对准；使光源单元与滑块后表面相接触，其中，后保持模具的抽吸表面相对于滑块后表面的法线而倾斜；利用加负荷装置向单元基板的负荷施加表面施加负荷，以使光源单元的联接表面与滑块后表面一致；以及将光源单元和滑块接合。该方法可以提高一致性，从而实现充分强的联接以及充分高的位置精度。
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公开(公告)号：CN101667427A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910139071.9
申请日：2009-05-15
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3912 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了具有一对由屏蔽层控制其磁化的磁性层的薄膜磁头。薄膜磁头包含由第一和第二MR磁性层组成的MR层压体、第一和第二屏蔽层以及偏磁场施加层，所述偏磁场施加层被设置在MR层压体的气垫表面(ABS)的相对侧上，以施加垂直于ABS的偏磁场。第一屏蔽层包含第一交换耦合磁场施加层和第一反铁磁性层，并且第二屏蔽层包含第二交换耦合磁场施加层和第二反铁磁性层。将第一反铁磁性层设置为在第一交换耦合磁场施加层的背面与第一交换耦合磁场施加层接触，并且所述第一反铁磁性层与第一交换耦合磁场施加层反磁性地耦合。第二屏蔽层具有与第一屏蔽层相同的构造。
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公开(公告)号：CN101447550A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810182384.8
申请日：2008-11-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B2005/3996 , H01F10/30
Abstract: 本发明涉及CPP型磁阻效应元件和磁盘装置。本发明的CPP结构的磁阻效应元件，具有：磁阻效应部；以及以上下地夹着该磁阻效应部的方式配置形成的第一屏蔽层和第二屏蔽层，在该层叠方向上施加检测电流，构成为磁阻效应部具有：非磁性中间层；和以夹着该非磁性中间层的方式层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层，第一屏蔽层和第二屏蔽层分别通过磁化方向控制单元被控制磁化方向，第一铁磁层和第二铁磁层分别受到第一屏蔽层和第二屏蔽层的磁场作用的影响，被施加作用形成反平行磁化状态，该反平行磁化状态是彼此的磁化方向成为相反方向的状态。能够以简易的构造实现两个铁磁层的反平行的磁化状态，并能够谋求线记录密度的提高。进而，能够谋求可靠性的进一步提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101404319A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810161988.4
申请日：2008-10-06
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3906 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/307
Abstract: 本发明涉及CPP型磁阻效应(magneto－resistive effect)元件和磁盘装置。本发明是一种具备：分隔层和夹着分隔层层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层、在该层叠方向上施加有检测电流而成的CPP(Current Perpendicular to Plane)结构的巨磁阻效应元件(CPP－GMR元件)，其构成为，第一铁磁层和第二铁磁层以这两层的磁化方向所成的角度对应于外部磁场而相对变化的方式发挥作用，分隔层包含半导体氧化物层，在构成全部或一部分分隔层的半导体氧化物层与绝缘层相接触的位置，插入了含有氮元素的界面保护层，因此，在半导体氧化物层与界面保护层的接合表面上形成了共价成键性高的氮化物，氧从半导体氧化物层向绝缘层的移动受到抑制，即使元件受到加工工艺上的热或应力的影响，也能够抑制元件特性的变动或变差。
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公开(公告)号：CN118670432A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410293316.8
申请日：2024-03-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01D11/00
Abstract: 本发明的一种实施方式的元件阵列电路具备：多根第一布线、多根第二布线和多个阻抗元件。多根第一布线各自包括第一部分。多根第二布线各自包括第二部分，该多个第二部分在与多个第一部分不同的方向上延伸。多个阻抗元件各自连接于多根第一布线中的1根和多根第二布线中的1根的双方。多根第二布线各自是信号流过的读出线，该信号表示连接于多根第二布线各自的多个阻抗元件各自的状态。第一部分是多根第一布线各自的连接有多个阻抗元件的区间部分，第二部分是多根第二布线各自的连接有多个阻抗元件的区间部分。多个第一部分各自的单位长度的电阻值比多个第二部分各自的单位长度的电阻值小。
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公开(公告)号：CN114593829A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111453388.7
申请日：2021-12-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明提供一种提高了热敏电阻元件对电磁波的检测精度的电磁波传感器。其包括：对某特定波长的电磁波(IR)具有透过性的基板(2)；设置于基板(2)的一个面侧的绝缘体层(8)；以与基板(2)的一个面之间具有空间(G)的方式配置的热敏电阻膜(5)；和设置于绝缘体层(8)的内部或表面，并且与热敏电阻膜(5)电连接的配线部(9)，在设置有绝缘体层(8)的层(T)中，与热敏电阻膜(5)相对的部分的电磁波(IR)的透过率相对高于设置了配线部(9)的部分的电磁波(IR)的透过率。
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公开(公告)号：CN110873608B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201910821807.4
申请日：2019-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01J5/24
Abstract: 本发明的电阻元件阵列电路具备多根字线、多根位线、多个电阻元件、选择部、差分放大器和接地端子。多根字线与电源连接。多个电阻元件分别配置在多根字线与多根位线的多个交叉点上。选择部选择任何一根字线，并且选择任何一根位线。差分放大器包括正输入端子、负输入端子和输出端子，正输入端子与多根位线中的被选择部选择的一根选择位线连接，负输入端子与多根位线中的没有被选择部选择的非选择位线和多根字线中的没有被选择部选择的非选择字线的双方连接，输出端子与负输入端子连接。接地端子与正输入端子连接。
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公开(公告)号：CN101447550B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200810182384.8
申请日：2008-11-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B2005/3996 , H01F10/30
Abstract: 本发明涉及CPP型磁阻效应元件和磁盘装置。本发明的CPP结构的磁阻效应元件，具有：磁阻效应部；以及以上下地夹着该磁阻效应部的方式配置形成的第一屏蔽层和第二屏蔽层，在该层叠方向上施加检测电流，构成为磁阻效应部具有：非磁性中间层；和以夹着该非磁性中间层的方式层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层，第一屏蔽层和第二屏蔽层分别通过磁化方向控制单元被控制磁化方向，第一铁磁层和第二铁磁层分别受到第一屏蔽层和第二屏蔽层的磁场作用的影响，被施加作用形成反平行磁化状态，该反平行磁化状态是彼此的磁化方向成为相反方向的状态。能够以简易的构造实现两个铁磁层的反平行的磁化状态，并能够谋求线记录密度的提高。进而，能够谋求可靠性的进一步提高。
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