公开(公告)号：CN103928567A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410019541.9

申请日：2014-01-16

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁斗焕 ,  梁周弘 ,  郑一炯 ,  金真阿

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/042

Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。方法的一种实施方式包括以下步骤：在包含第一导电类型的杂质的半导体基板的背面形成包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的射极区域；在所述射极区域上形成包含所述第一导电类型的杂质的钝化层膏；在所述钝化层膏的第一局部区域上选择性地执行热处理以在所述射极区域的局部区域形成包含所述第一导电类型的杂质的背面场区域；在位于所述射极区域上的所述钝化层膏的第二局部区域和位于所述背面场区域的所述钝化层膏的第三局部区域中形成多个开口以形成钝化层；形成连接到所述射极区域的第一电极；以及形成连接到所述背面场区域的第二电极。

公开(公告)号：CN102903768A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210262809.2

申请日：2012-07-26

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁周弘 ,  金真阿 ,  南正范 ,  梁斗焕 ,  郑寅道 ,  郑一炯 ,  权亨振

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的衬底；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起地形成p-n结的发射极区；位于所述发射极区上的抗反射层；电连接到所述发射极区的前电极部；和电连接到所述衬底的背电极部。所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域。位于第一区域中的抗反射层的厚度小于位于第二区域中的抗反射层的厚度。

公开(公告)号：CN104183656B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410214046.3

申请日：2014-05-20

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 南正范 ,  许美姬 ,  李恩珠 ,  郑一炯

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/547

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：第一导电类型的基板；第一掺杂区域，该第一掺杂区域位于基板的第一表面并且含有与第一导电类型不同的第二导电类型的杂质；以及第一电极部，该第一电极部电连接到第一掺杂区域。第一电极部包括热固树脂以及分布在热固树脂中的第一导电粒子和第二导电粒子。第二导电粒子的功函数大于第一导电粒子的功函数，并且第二导电粒子在接触第一掺杂区域的界面处形成硅化物。

公开(公告)号：CN104037243B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201410075991.X

申请日：2014-03-04

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁斗焕 ,  梁周弘 ,  郑一炯 ,  金真阿

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：半导体基板；导电区域，其形成在所述半导体基板处并具有与所述半导体基板的导电类型相同或不同的导电类型；钝化膜，其形成在所述半导体基板上，以覆盖所述导电区域；以及电极，其电连接到所述半导体基板和所述导电区域中的至少一个。所述钝化膜包括：第一层，其形成在所述导电区域上并包括二氧化硅；第二层，其形成在所述第一层上并包括带有负电荷的氧化物；以及第三层，其形成在所述第二层上，并具有与所述第二层的折射率不同的折射率。

公开(公告)号：CN102903768B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210262809.2

申请日：2012-07-26

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁周弘 ,  金真阿 ,  南正范 ,  梁斗焕 ,  郑寅道 ,  郑一炯 ,  权亨振

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的衬底；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起地形成p-n结的发射极区；位于所述发射极区上的抗反射层；电连接到所述发射极区的前电极部；和电连接到所述衬底的背电极部。所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域。位于第一区域中的抗反射层的厚度小于位于第二区域中的抗反射层的厚度。

公开(公告)号：CN103390659A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201310164677.4

申请日：2013-05-07

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑寅道 ,  申太熙 ,  郑一炯 ,  金真阿

IPC: H01L31/0248 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035272 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板，其具有第一导电类型；在所述半导体基板的表面上的发射层，该发射层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；以及电极，其包括电连接到所述发射层的第一电极和电连接到所述半导体基板的第二电极。所述发射层包括与所述第一电极相邻的高浓度掺杂部分以及在不包括所述高浓度掺杂部分的区域中的低浓度掺杂部分。所述低浓度掺杂部分具有比所述高浓度掺杂部分的电阻高的电阻。所述高浓度掺杂部分包括具有第一电阻的第一区域以及具有比所述第一电阻高的第二电阻的第二区域。

公开(公告)号：CN110299418A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910553250.0

申请日：2015-01-29

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑寅道 ,  沈承焕 ,  郑一炯 ,  南正范

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  H01L21/268

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池，包括：半导体基板；位于所述半导体基板上的至少一个导电型区域；位于所述至少一个导电型区域上的保护层；以及电极，该电极被布置在所述保护层上并且电连接至所述导电型区域。

公开(公告)号：CN104934486B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201510116774.5

申请日：2015-03-17

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑寅道 ,  沈承焕 ,  郑一炯 ,  南正范

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开的是一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；导电型区域，该导电型区域包括形成在所述半导体基板的一个表面上的第一导电型区域和第二导电型区域；电极，该电极包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极连接至所述第一导电型区域并且所述第二电极连接至所述第二导电型区域；以及钝化层，该钝化层形成在所述导电型区域上。所述钝化层包括氮化硅和碳化硅中的至少一种。

公开(公告)号：CN104979409B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201510162162.X

申请日：2015-04-08

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金基修 ,  李基源 ,  郑一炯 ,  南正范

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/05 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种太阳能电池。一种太阳能电池包括半导体基板、位于该半导体基板的一个表面上的导电类型区域、以及连接至该导电类型区域的电极。所述电极包括位于所述导电类型区域上的电极层以及位于该电极层上的印刷电极层。

公开(公告)号：CN105322042B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201510445897.3

申请日：2015-07-27

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 沈承焕 ,  郑一炯 ,  郑寅道 ,  尹银彗

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/077 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板掺杂第一导电类型的杂质；正面场区域，该正面场区域位于所述半导体基板的正面并且以高于所述半导体基板的浓度的浓度掺杂所述第一导电类型的杂质；隧穿层，该隧穿层位于所述半导体基板的背面上并且由电介质材料形成；发射极区域，该发射极区域位于所述隧穿层的背面的第一部分并且掺杂与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；以及背面场区域，该背面场区域位于所述隧穿层的所述背面的第二部分并且以高于所述半导体基板的浓度的浓度掺杂所述第一导电类型的杂质。