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公开(公告)号：CN103107210B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210375763.5
申请日：2012-09-29
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池模块。根据本发明的实施方式的太阳能电池模块包括：多个背接触太阳能电池，其均包括基板、均定位在基板的背表面上并且在第一方向上延伸的多个第一电极以及均定位在两个相邻的第一电极之间并且在第一方向上延伸多个第二电极；多个第一导电粘附膜，其均接触两个相邻的背接触太阳能电池中的一个的第一电极中的每一个的一个端部；多个第二导电粘附膜，其均接触两个相邻的背接触太阳能电池中的另一个的第二电极中的每一个的一个端部；以及互连件，其定位在两个相邻的背接触太阳能电池之间。
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公开(公告)号：CN103107210A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210375763.5
申请日：2012-09-29
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池模块。根据本发明的实施方式的太阳能电池模块包括：多个背接触太阳能电池，其均包括基板、均定位在基板的背表面上并且在第一方向上延伸的多个第一电极以及均定位在两个相邻的第一电极之间并且在第一方向上延伸多个第二电极；多个第一导电粘附膜，其均接触两个相邻的背接触太阳能电池中的一个的第一电极中的每一个的一个端部；多个第二导电粘附膜，其均接触两个相邻的背接触太阳能电池中的另一个的第二电极中的每一个的一个端部；以及互连件，其定位在两个相邻的背接触太阳能电池之间。
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公开(公告)号：CN103035763A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210367945.8
申请日：2012-09-28
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/048
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池模块。根据本发明的实施方式的太阳能电池模块包括：多个太阳能电池，每一个太阳能电池包括基板、定位在基板的背表面的第一边缘处并且在第一方向上延伸的第一电极电流收集器以及定位在基板的背表面的第二边缘处并且在第一方向上延伸的第二电极电流收集器；导电粘附膜，其接触多个太阳能电池的第一太阳能电池的第一电极电流收集器，或者接触与第一太阳能电池相邻的第二太阳能电池的第二电极电流收集器，或者接触这两者；以及互连件，其接触导电粘附膜并且将相邻的第一和第二太阳能电池彼此电气连接。
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公开(公告)号：CN102292828A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005253.8
申请日：2010-02-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0368 , H01L31/02167 , H01L31/022466 , H01L31/03682 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/077 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 示出一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体基板；包括晶体部分的第一非晶半导体层；所述半导体基板上的第一电极部分；和所述半导体基板上的第二电极部分。
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公开(公告)号：CN102044579A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010535062.4
申请日：2010-09-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括第一导电类型的基板；位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极区；与所述射极区隔开地位于所述基板上的所述第一导电类型的第一场区；电连接到所述射极区的第一电极；电连接到所述第一场区的第二电极；以及位于所述射极区和所述第一场区中的至少一个上的绝缘区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039536A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710018628.8
申请日：2017-01-11
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/02 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/036 , H01L31/0368 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , H01L31/02008 , H01L31/068 , H01L31/1804
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；保护膜层，该保护膜层形成在所述半导体基板的一个表面上面；第一导电区，该第一导电区被设置在所述保护膜层上面，所述第一导电区具有第一导电类型并且包含晶体半导体；以及第一电极，该第一电极电连接到所述第一导电区。所述第一导电区包括第一部分和第二部分，该第一部分被设置在所述保护膜层上面并且具有第一晶粒尺寸，该第二部分被设置在所述第一部分上面并且具有大于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。
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公开(公告)号：CN104810414A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510023406.6
申请日：2015-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/20
Abstract: 讨论了太阳能电池及其制造方法。该制造太阳能电池的方法包括：在包含第一导电类型的杂质的晶体半导体基板的背表面上，形成非晶硅层；执行将与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质扩散到所述非晶硅层的一部分中的第一扩散过程，以形成发射极区；执行将所述第一导电类型的杂质扩散到除了具有所述第二导电类型的杂质的所述非晶硅层的所述一部分外的剩余部分中，以形成背表面场区。当执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程中的至少一个时，所述非晶硅层结晶，以形成硅层。
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公开(公告)号：CN102044579B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201010535062.4
申请日：2010-09-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括第一导电类型的基板；位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极区；与所述射极区隔开地位于所述基板上的所述第一导电类型的第一场区；电连接到所述射极区的第一电极；电连接到所述第一场区的第二电极；以及位于所述射极区和所述第一场区中的至少一个上的绝缘区。
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公开(公告)号：CN101933159B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200980104034.2
申请日：2009-02-02
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
Abstract: 本发明提供了一种通过将透明导电层形成为具有不同的氧含量和不同的光吸收系数的多个层而提高吸收到光电转换层中的太阳光的比率的太阳能电池及其制造方法。本发明的太阳能电池包括衬底、透明导电层和光电转换层，其中所述透明导电层包括具有第一光吸收系数的第一层；以及形成在所述第一层上并具有大于所述第一光吸收系数的第二光吸收系数的第二层。
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公开(公告)号：CN102037568B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200980118599.6
申请日：2009-10-01
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022466
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括n型或者p型非晶硅层、透明电极以及位于该透明电极和该非晶硅层之间的金属缓冲层。所述金属缓冲层包含铟、锡、硼、铝、镓以及锌中的至少一种。当所述透明电极包含铟锡氧化物ITO时，所述金属缓冲层包含铟和锡中的至少一种。当所述透明电极包含锌氧化物时，所述金属缓冲层包含硼、铝、镓以及锌中的至少一种。
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