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公开(公告)号：CN1970232A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610172857.7
申请日：2006-09-15
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24D18/00 , B24D17/00 , B24B29/02 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 本发明涉及一种制造化学机械抛光垫的方法，其提供了一种完全抑制被抛光表面上形成划痕且具有良好抛光速率的化学机械抛光垫。该方法包括(A)组步骤和(B)组步骤中的任一组，(A)组步骤至少包括以下(A1)至(A5)的步骤：(A1)准备用于形成化学机械抛光垫的组合物的步骤；(A2)将用于形成化学机械抛光垫的组合物模制成垫状体的步骤；(A3)将垫状体安装在切削机圆台上的步骤，该切削机至少具有装配有铣刀的铣削单元、能够标引角度并定位的驱动单元和通过驱动单元转动的圆台；(A4)用铣刀形成第二组槽的步骤；以及(A5)形成第一组槽的步骤，并且(B)组步骤至少包括以下(B1)至(B3)的步骤：(B1)准备用于形成化学机械抛光垫的组合物的步骤；(B2)通过使用具有相应于第二组槽形状的凸起的金属模型，将用于形成化学机械抛光垫的组合物模制成具有第二组槽的垫状体的步骤；以及(B3)形成第一组槽的步骤。
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公开(公告)号：CN104425796B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201410393680.8
申请日：2014-08-12
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本发明提供一种可得到具有稳定的充放电循环特性且充放电容量大的电极的电极材料的制造方法。该电极材料的制造方法包括将具有含硅单元和不含硅单元的聚合物加热的工序。
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公开(公告)号：CN101375374A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003474.X
申请日：2007-01-22
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: B24D18/00 , B24B37/20 , H01L21/67294
Abstract: 本发明的化学机械研磨垫具有圆形研磨面和作为该研磨面背面的非研磨面，内部含有能够使用电磁波非接触地读取或读写的信息记录介质，优选研磨面半径方向的信息记录介质的重心位置在从研磨面半径上的中心朝向外周的方向上，处于研磨面半径的0～10％或80～100％的范围内。
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公开(公告)号：CN1864929A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200510073749.X
申请日：2005-05-20
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 化学机械抛光垫，其具有抛光面、与此对面的非抛光面以及规定这些面的侧面，其中所述的抛光面有(i)与从抛光面的中心部分行往周边部分的一条假想直线交叉的多个第1沟槽构成的第1沟槽组，此多个第1沟槽彼此互相不交叉，或从抛光面的中心部分行往周边部分螺旋线逐渐扩大的1个第1螺旋状沟槽任意一种，和(ii)由多个沿从抛光面的中心部分行往周边部分的方向延伸且与上述第1沟槽组的第1沟槽或第1螺旋状沟槽任一者交叉的第2沟槽所构成的第2沟槽组，此多个第2沟槽彼此互相不交叉。此化学机械抛光垫充分抑制了被抛光面上划痕的产生，且抛光速度优异，因此利于在化学机械抛光方法中使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1757666A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510104102.9
申请日：2003-08-26
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本发明涉及研磨垫用组合物。目的在于提供成形性及耐磨耗性优异，纵弹性模量的温度依赖性小的研磨垫用组合物。本研磨垫用组合物含有非水溶性基质和分散于该非水溶性基质中的水溶性粒子，其中，上述非水溶性基质含有交联乙烯－醋酸乙烯共聚物、和/或不含有交联1，2－聚丁二烯，且相对于上述非水溶性基质全体，含有规定量。
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公开(公告)号：CN1590026A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410064056.X
申请日：2004-07-16
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/013
Abstract: 本发明提供了化学机械抛光垫。该垫含有水不溶性基质和分散于该水不溶性基质材料中的水溶性颗粒，并具有抛光表面和该抛光表面反面上的非抛光表面，该垫具有透光区域，它从抛光表面到非抛光表面是光学相通的。该透光区域的非抛光表面具有10μm或更小的表面粗糙度(Ra)。
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公开(公告)号：CN1550288B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200410043098.5
申请日：2004-04-09
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/00 , H01L21/304 , C08J5/14
CPC classification number: B24B37/205 , B24D18/0009
Abstract: 一种能透射用于终点探测的光而不减小使用光学终点探测装置的半导体晶片的抛光中的抛光效率的研磨垫，一种制造该研磨垫的方法，一种用于制造研磨垫的金属模以及一种抛光半导体晶片的方法。该研磨垫包括研磨基底和透光组件。透光组件包括交联聚合物如交联的1，2-聚丁二烯和分散在交联聚合物中的水溶性物质如β-环糊精。由于透光组件和研磨基底熔合在一起作为集成单元，研磨垫在使用期间，浆料不会渗漏到研磨垫的背面。该制造方法包括在用于夹物模压的金属模中设置透光组件以及在该模子中交联用于形成研磨基底的基质分散体。使用该研磨垫的抛光方法采用光学终点探测装置。
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公开(公告)号：CN100424830C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200480000983.3
申请日：2004-04-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/205
Abstract: 本发明的一个目的是提供用于半导体晶片的抛光垫和用于抛光半导体晶片的层叠体，以及利用所述抛光垫和层叠体对半导体晶片进行抛光的方法，装备所述抛光垫和层叠体可以在不降低抛光性能的情况下进行抛光。本发明的抛光垫包含用于抛光垫的提供有从表面穿透至背部的通孔的衬底(11)、和安装在所述通孔中的透光部件(12)其中所述透光部件包含一种非水溶性基体材料(1，2聚丁二烯)和分散在所述非水溶性基体材料中的一种水溶性颗粒(β-环糊精)，并且基于所述非水溶性基体材料和所述水溶性颗粒的总量体积100%，所述水溶性颗粒的体积百分含量小于5%。此外，本发明的用于抛光的层叠体包含所述抛光垫的背面上的支撑层。这些抛光垫和用于抛光的层叠体可包含背面上的固定层(13)。
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