半导体模块
    11.
    发明公开
    半导体模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN117833610A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410016150.5

    申请日:2019-05-14

    Abstract: 本发明提供一种半导体模块,其构成要素包含半导体装置和汇流条。半导体装置具备绝缘基板、导电部件、多个开关元件、第一输入端子和第二输入端子。绝缘基板具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的主面和背面。导电部件配置于主面。多个开关元件与导通部件以导通的状态接合。第一输入端子具有第一端子部并且与导电部件以导通的状态接合。第二输入端子具有沿着厚度方向来看与第一端子部重叠的第二端子部并且与多个开关元件导通。第二输入端子在厚度方向上相对于第一输入端子和导电部件双方分离配置。汇流条具备第一供给端子和第二供给端子。第一供给端子与第一端子部以导通的状态接合。第二供给端子与第二端子部以导通的状态接合。

    半导体装置
    12.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116547807A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202180078349.5

    申请日:2021-12-16

    Inventor: 林口匡司

    Abstract: 半导体装置具备多个半导体元件,该多个半导体元件分别具有第一电极、第二电极以及第三电极,根据向上述第三电极输入的驱动信号,来对上述第一电极以及上述第二电极间进行通断控制。另外,该半导体装置具备:被输入上述驱动信号的控制端子;供上述控制端子连接的第一配线部;从上述第一配线部远离的第二配线部;使上述第一配线部与上述第二配线部导通的第一连接部件;以及使上述第二配线部与上述多个半导体元件的任一个的上述第三电极导通的第二连接部件。上述多个半导体元件各自的第一电极彼此电连接,上述多个半导体元件各自的第二电极彼此电连接。

    半导体装置
    13.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116018683A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202180055481.4

    申请日:2021-09-09

    Abstract: 半导体装置具备:相互并联连接的多个半导体元件;与上述多个半导体元件反向并联连接的整流元件;与上述多个半导体元件导通的电力端子;以及包含上述多个半导体元件所接合的焊盘部而且与上述电力端子及上述多个半导体元件导通的导电体。上述多个半导体元件包含第一元件以及第二元件。上述第一元件的至上述电力端子的最短导通路径比上述第二元件的至上述电力端子的最短导通路径短。上述焊盘部包含上述第一元件所接合的第一部、以及上述第二元件所接合的第二部。上述整流元件配置在上述焊盘部的上述第一部。

    功率模块
    14.
    发明公开
    功率模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN114175245A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202080054187.7

    申请日:2020-07-29

    Inventor: 林口匡司

    Abstract: 功率模块(1A)具备:具有电绝缘性的第一基板(11);配置在第一基板(11)的第一基板主面(11s)的导电性的第一搭载层(13A);配置在第一搭载层(13A)并具有各向异性的热传导系数的第一石墨板(90A);以及配置在第一石墨板(90A)的第一功率半导体元件(30A)。

    半导体功率模块
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109417067A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201780034169.0

    申请日:2017-05-31

    Abstract: 本发明提供一种半导体功率模块,包括:绝缘基板,具有一个表面和另一个表面;输出侧端子,配置于上述绝缘基板的上述一个表面侧;第1电源端子,配置于上述绝缘基板的上述一个表面侧;第2电源端子,以隔着上述绝缘基板与上述第1电源端子对置的方式配置于上述绝缘基板的上述另一个表面侧,并被施加与施加于上述第1电源端子的电压不同大小的电压;第1开关元件,配置于上述绝缘基板的上述一个表面侧,并与上述输出侧端子和上述第1电源端子电连接;和第2开关元件,配置于上述绝缘基板的上述一个表面侧,并与上述输出侧端子和上述第2电源端子电连接。

    半导体模块
    16.
    发明公开
    半导体模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN117957653A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202280062904.X

    申请日:2022-08-29

    Inventor: 林口匡司

    Abstract: 半导体模块具备:具备在第一方向上延伸而且与半导体元件导通的信号端子的多个半导体装置;散热器;与上述多个半导体装置的信号端子单独导通的多个第一配线基板;以及与上述多个第一配线基板导通的第二配线基板。上述多个半导体装置的任一个信号端子在上述第一方向上被压入到上述多个第一配线基板的任一个。该半导体模块还具备使上述多个第一配线基板和上述第二配线基板导通的多个连接配线。上述多个连接配线能够在与上述第一方向正交的方向上位移。

    半导体装置
    17.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117280465A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202280034303.8

    申请日:2022-05-02

    Inventor: 林口匡司

    Abstract: 半导体装置具有第一MOSFET和第一IGBT。所述第一MOSFET的漏极和所述第一IGBT的集电极电连接。所述第一MOSFET的源极与所述第一IGBT的发射极电连接。所述第一MOSFET的元件耐压比所述第一IGBT的元件耐压大。

    半导体功率模块
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115064526A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210667470.8

    申请日:2017-05-31

    Abstract: 本发明提供一种半导体功率模块,包括:绝缘基板,其包括一个表面和另一个表面,并且具有5mm以下的厚度;第1端子,其配置于所述绝缘基板的所述一个表面侧;第2端子,其以抵消从所述第1端子产生的磁场的至少一部分的方式配置于所述绝缘基板的所述另一个表面侧;以及开关元件,其配置于所述绝缘基板的所述一个表面侧,被施加所述第1端子和所述第2端子之间的端子电压的至少一部分。

    半导体装置
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107251221B

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN201680012180.2

    申请日:2016-02-04

    Abstract: 第一电源端子P具有:内部布线连接部31A、与内部布线连接部31A结合的立起部31B、与立起部31B结合的倾斜部31C、以及与倾斜部31C结合的外部布线连接部31D。第二电源端子N具有:内部布线连接部32A、与内部布线连接部32A结合的立起部32B、与立起部32B结合的倾斜部32C、以及与倾斜部32C结合的外部布线连接部32D。第一电源端子P的立起部31B和第二电源端子N的立起部32B被配置为空开规定的间隔彼此相向。

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