一种低残余应力的硬质类金刚石薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110423989A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201910794859.7

    申请日:2019-08-27

    Abstract: 一种低残余应力的硬质类金刚石薄膜的制备方法,依次包括清洗、预处理、沉积纯Ti层、沉积TiC层、沉积DLC复合层和后处理步骤,其特征在于:所述沉积DLC复合层,是依次沉积第一层DLC层、TiC层和第二层DLC层。膜的内应力通过Ti层、TiC层过渡缓冲得到释放,增强了Ni-Ti合金基材与膜的结合力,以及膜层与膜层之间的结合力,制得的类金刚石膜均匀性好、表面平整,采用Si、Cu非金属与金属的共掺杂,减小体系弹性能,从而减小膜的内应力,同时增强了膜的热传导能力、膜的石墨化温度到600℃以上,保证了其机械性能,增强其稳定性,整个制备过程中增加了膜中sp3键的比例,也提高了膜的硬度、弹性模量。

    一种核用锆合金表面Cr-Si系涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN116516291A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310520282.7

    申请日:2023-05-10

    Abstract: 一种核用锆合金表面的Cr‑Si系涂层,是以Cr靶和Si靶通过磁控溅射制得,涂层中Si的含量控制在7.5~22.0 at.%,所述Cr靶和Si靶的电源驱动分别为直流电源和射频电源,其中Cr靶的溅射功率为300W,Si靶的功率为100~300W。本发明通过在锆合金基体表面制备的Cr‑Si涂层,具有优异的高温抗氧化性能,氧化过程中,在基体和涂层的界面形成了Cr2O3/SiO2双氧化层,有效延缓了Cr2O3的失效,在1200℃水蒸气环境下进行氧化,氧化增重低至1.4mg/cm2,同时通过Si的掺杂,有效提高了涂层的机械性能,硬度达到14.64GPa,增强了其耐磨减摩性能。

    一种异形材料表面处理设备制冷装置

    公开(公告)号:CN116493151A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310542304.X

    申请日:2023-05-15

    Abstract: 本发明公开了一种异形材料表面处理设备制冷装置,其结构包括机箱、箱门、进风口、阻隔网、处理装置、对接管,本发明进行使用时,机箱内部的抽风风泵将外部的空气随之抽吸到内部,通过对接管将抽吸的空气随之传导到框体内部,空气会通过框体进入到净化组件内部,通过其内部的活性炭吸附层、粉尘过滤滤网、净化滤网进行层层过滤后在进行后续的送风工作,将空气中含有的大量粉尘颗粒或异味杂物清除,以清新洁净的状态最终喷入自动异形材料表面处理设备中,使得物料的喷涂效果更好。

    一种核用Zr合金表面Cr涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN113943926A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111136067.4

    申请日:2021-09-27

    Abstract: 一种核用Zr合金表面的Cr涂层的制备方法,包括Zr合金基体预处理和沉积Cr涂层,所述沉积Cr涂层是电弧离子镀进行沉积,电弧离子镀中靶电流为80~100A,偏压为‑150~‑200V,每沉积1h,将偏压调至600~650V,保持3~5min,沉积过程中采用阳极层离子源进行辅助沉积。本发明采用电弧离子镀沉积的Cr涂层,消除了传统PVD制备涂层抗氧化性较差的问题,涂层均匀性、致密度高,与基体结合力优异,制备的Cr涂层厚度为7~8μm就能达到事故条件下的高温抗氧化要求,在1200℃下高温水蒸气氧化1h,涂层结构完整,没有出现破损、裂纹和脱落,含氧增重仅为7.08mg/cm2,较常规制备的Cr涂层降低了79.72%。

    一种在加热处理过程中控制柱塞热变形的工艺方法

    公开(公告)号:CN109290740B

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN201811216100.2

    申请日:2018-10-18

    Abstract: 本发明公开一种在加热处理过程中控制柱塞热变形的工艺方法,包括工装材料准备‑工装零件加工‑工装拼装‑工装转动测试‑柱塞加热‑柱塞直线度检测工艺步骤,转轴将柱塞的装夹数量降至满装夹量的1/2,且保持柱塞装夹方式与满装量相同,即转盘的1/2装有柱塞,另1/2区域没有,将加热时间设定为3个阶段:阶段一,使柱塞在高温区停留较长时间,达到升高基体温度的作用;阶段二,主要目的是使柱塞在经过高温区表面温度迅速升高后,有较长的时间使温度向体内扩散,使柱塞均匀变形,保持原有的直线度,该阶段占加热总时间的1/2强;阶段三,转速相对较高,适用于本设备的转速为6rmp,时间控制在30min内,加热后的柱塞形变量小,直线度不会发生明显变化。

    一种用于蓝宝石基底的增透薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111856628A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010731907.0

    申请日:2020-07-27

    Abstract: 本发明提供一种用于蓝宝石基底的增透薄膜,该增透薄膜包括五层薄膜层,其由蓝宝石材料基面(1)向外依次为SiO2薄膜层(2)、第一SiOxNy薄膜层(3)、第二SiOxNy薄膜层(4)、第三SiOxNy薄膜层(5)、第四SiOxNy薄膜层(6);该增透薄膜通过平衡磁控溅射方法制备SiO2薄膜层(2)以及通过氮气、氧气以及氩气的不同速率制备氮元素的原子百分数依次递减、氧元素的原子百分数依次递增的SiOxNy薄膜层。该增透薄膜有效提高蓝宝石材料在红外波段的透过率、降低其反射率,使得蓝宝石材料整体具有较小的吸收、散射特性;同时,该增透薄膜与蓝宝石基底结合强度高、致密度高、结合牢靠,能有效用于军用光电装备等高强度领域,使用寿命长。

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