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公开(公告)号：CN113235166A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110520744.6
申请日：2021-05-13
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法，依次进行硒化锑多晶原料的合成和硒化锑单晶体的生长，所述硒化锑单晶体的生长是将硒化锑多晶原料密封于石英安瓿中，置于晶体生长炉中，高温区温度控制为710~750℃，低温区控制为400~420℃，梯度区长度约为15cm，温度梯度控制在20~24℃/cm，结晶界面附近温度梯度为8~15℃/cm。本发明制备的大尺寸硒化锑单晶体由1个单粒构成的单晶体，晶粒尺寸达到5.3cm以上，在用于制备太阳能电池时，本发明制备的硒化锑通过切割、抛光等处理依然能得到光滑的表面，不容易出现短路，载流子迁移率高，由于其较大的尺寸，可直接以单晶结构应用于光电探测领域，从而提高探测器性能。
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公开(公告)号：CN110092418A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910497070.5
申请日：2019-06-10
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C01G30/00
Abstract: 一种三元铜基硫化物半导体纳米材料是采用溶剂热法配制不同计量比的纳米尺寸三元铜锑硫化物，以无机铜盐、无机锑盐和硫源为原料，通过中温加压一步反应制备三元硫化物粉体。本发明操作简单，步骤较少，原料价廉易得，对不同原料的选择具有强的适用性，制备过程产品易得，产品粒径细小并且晶粒不会长大，反应过程不会出现爆炸导致制备失败，利于工业化大规模生产，产率高，可高达86.2%，产物相纯度高，杂质少，纯度可高达97.8%，普适性强，工艺稳定，生产稳定性好，克服了传统制备方法中需要长时间高温处理的缺点，本发明制备的纳米三元硫锑铜材料可广泛应用于锂电池、热电、光电等能源领域。
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公开(公告)号：CN120040183A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510273783.9
申请日：2025-03-10
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C04B35/50 , C04B35/47 , C04B35/622
Abstract: 一种钙钛矿型高温热电陶瓷材料，是以钛酸锶为基体，金属元素钐和钽共掺杂形成的热电陶瓷材料Sr1‑xSmxTi1‑yTayO3，其中x=0.05~0.12、y=0.01~0.03。本发明通过在钛酸锶中共掺杂特定量的Sm和Ta，有效提高了钙钛矿陶瓷材料的赛贝克系数（1300K左右从单一掺杂Sm的278.66μV/K提高到了663.61μV/K）、降低其热导率（1300K下从单一掺杂Sm的278.66μV/K提高到了663.61μV/K），同时不降低材料的电导率，从而提高了陶瓷的热电优值，达到1.3，是单一掺杂Sm的钛酸锶陶瓷材料的3倍。
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公开(公告)号：CN115966618B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202211383955.0
申请日：2022-11-07
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种双层堆叠硫锑银基梯度薄膜，以硫锑银（AgSbS2）为基体，添加铟（In）制备的AgInxSb(S,Se)2为第一层，添加锑（Sb）形成AgSb1+y(S,Se)2为第二层，其中x=0.1~0.5，y=0.1~0.5。本发明中双吸收层梯度带隙AgInxSb(S,Se)2/AgSb1+y(S,Se)2薄膜纯度高，结晶度好、晶粒尺寸大，孔洞、缝隙等缺陷少，双吸收层的配合在保有AgInxSb(S,Se)2薄膜高的短路电流的基础上，通过第二层的AgSb1+y(S,Se)2减小了开路电压的降低，通过双吸收层配合，使得整个太阳能电池的效率提升至最大3.5%，以AgInxSb(S,Se)2/AgSb1+y(S,Se)2薄膜作为吸收层的ITO/CdS/AgIn0.5Sb(S,Se)2/AgSb1.25(S,Se)2/Au太阳能电池具有优异的电性能，Jsc达到17mA·cm‑2，Voc达到396.5mV，FF为52.7%。
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公开(公告)号：CN113235166B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110520744.6
申请日：2021-05-13
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法，依次进行硒化锑多晶原料的合成和硒化锑单晶体的生长，所述硒化锑单晶体的生长是将硒化锑多晶原料密封于石英安瓿中，置于晶体生长炉中，高温区温度控制为710~750℃，低温区控制为400~420℃，梯度区长度约为15cm，温度梯度控制在20~24℃/cm，结晶界面附近温度梯度为8~15℃/cm。本发明制备的大尺寸硒化锑单晶体由1个单粒构成的单晶体，晶粒尺寸达到5.3cm以上，在用于制备太阳能电池时，本发明制备的硒化锑通过切割、抛光等处理依然能得到光滑的表面，不容易出现短路，载流子迁移率高，由于其较大的尺寸，可直接以单晶结构应用于光电探测领域，从而提高探测器性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113644146A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110906752.4
申请日：2021-08-09
Applicant: 重庆文理学院
IPC: H01L31/0272 , H01L31/0304 , H01L31/042 , H01L31/0749 , H01L31/18
Abstract: 一种用于太阳能电池的薄膜，其成分的化学表达为AgInxSbS(2+3x/2)(Se)，其中x=0.25~1.0；本发明中AgInxSbS(2+3x/2)(Se)薄膜纯度高，结晶度好、晶粒尺寸大，孔洞、缝隙等缺陷少，本发明方法降低了Se对薄膜结构损害，制备的薄膜致密性、均匀性优异，以该薄膜作为吸收层的ITO/CdS/AgInxSbS(2+3x/2)(Se)/Au太阳能电池具有优异的电性能，Jsc达到20.65mA cm‑2，FF达到42.8%，PEC达到最大值为1.98%，EQE达到70%；均有优异的稳定性。
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公开(公告)号：CN113419106A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110672708.1
申请日：2021-06-17
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明提供一种垂直受压发电模块测试系统，包括往复冲压组件（1）、升降测试组件（2）及监测设备（3）；升降测试组件（2）设置在往复冲压组件（1）下端；往复冲压组件（1）包括转动盘（11）、固定杆（12）、第一连接杆（13）、第二连接杆（14）、第一滑移板（15）及冲击锤（16），升降测试组件（2）包括支撑架（21）、第二滑移板（22）、压力传感器（23）、模块容器（24）、压力测试模块（25）、“L”形连杆（26）以及丝杠电机（27）。该系统压力力度可控、重复性好，能在低频率、高压力值条件下对压力发电模块实现精确测量，测量范围广；同时，该系统能实时测量电流、电压及压力随时间变化的值，有利于对压力发电组件性能的分析。
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公开(公告)号：CN112408393A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011308192.4
申请日：2020-11-20
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C01B33/021 , B82Y40/00 , H01M10/052 , H01M4/38
Abstract: 一种硅纳米片阵列的制备方法，是将晶面为（111）的硅基板预处理后，与钙置于真空中依次在630~640℃和700~720℃下进行分段加热反应，反应完成后降至室温，将反应后的硅基板置于氯化锰的乙醇溶液浸泡2h，然后与氯化锰颗粒分别置于分段加热炉的两端，全程通入氮气，将氯化锰颗粒一端加热至700~830℃，基板一端加热至500~600℃保温反应，反应结束后冷却至室温。本发明制备的硅纳米片垂直于硅基板并形成阵列，纳米片之间的间距达到10~100nm，纳米片不团聚、不垮塌，纳米片厚度在5~150nm之间可有效调控，高度达到2μm左右，产率高，产率可达到原材料的55.7~63.9%，形成高密度的硅纳米片阵列，纯度高达96.4%。
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公开(公告)号：CN115295642B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202210882645.7
申请日：2022-07-26
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种双添加硫锑银基薄膜，所述双添加是同时添加In（铟）和Sb（锑），所述薄膜的化学表达式为AgInxSb1+y(S,Se)2，其中0＜x+y≤0.55。本发明通过In和Sb的双添加，有效去除了薄膜中的杂相，膜的纯度明显提高，薄膜的结晶度得到改善，薄膜显示出大面积均匀且致密的形貌，有效减少了载流子的复合，最终器件的提高了器件Jsc和FF，从而使得光电转换效率得到提升，从原来的1.98%升至现在的2.43%。
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公开(公告)号：CN112960981B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110493437.3
申请日：2021-05-07
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C04B35/493 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 一种镧、锡掺杂的锆钛酸铅陶瓷材料的制备方法，化学式为Pb1‑3x/2Lax[(Zr1‑ySny)zTi1‑z]O3，其中x=0.06、y=0.3、z=0.84，根据化学组成比例，称取氧化物原料，和占氧化物原料0.01~1%的玻璃Al‑Na‑SiO2进行球磨、预烧、二次球磨、排粘和烧结；二次球磨是预烧后的块体粉碎后加入块体质量的10%的浓度为5wt%PVA溶液，将转速升至300rpm球磨2h，然后将转速降至200rpm球磨1h，最后降至120~150rpm球磨2h，造粒后过60目筛本发明制备的镧、锡掺杂的锆钛酸铅（PLZST）陶瓷块体材料缺陷少、微观组织结构致密性优异，密度达到10g·cm‑3以上；烧结温度从原来的1250℃以上降低至1180℃一下，陶瓷性能稳定，在提高储能密度的同时，降低了介电损耗，在AC电源工作电压500V到3000V下工作性能稳定。
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