公开(公告)号：CN109765475B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201910174586.6

申请日：2019-03-08

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 张兴武 ,  易明军 ,  王兴龙 ,  陈苗

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供了用于半导体器件的高温高湿反偏试验系统和方法，该试验系统和试验方法中，将保险管设置在试验箱外，可以利用普通的保险管替换专用保险管，有利于降低试验成本，且减少了保险管占用的试验箱内的试验空间，从而有利于在试验箱内提供更多试验工位，提高批量试验效率。

公开(公告)号：CN109847811A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910142010.1

申请日：2019-02-26

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 王兴龙 ,  张兴武 ,  易明军

IPC: B01L1/00 ,  B01L7/00

Abstract: 本发明公开了一种利用液氮气化流程冷量的半导体器件低温试验装置，液氮供应装置通过主液氮管与液氮气化装置连接，液氮气化装置通过主氮气管与氮气储存装置连接，支液氮管的一端与主液氮管相通连接，支液氮管的另一端与液氮气化盘管的一端相通连接，液氮气化盘管的另一端与支氮气管的一端相通连接，支氮气管的另一端与主氮气管相通连接，液氮气化盘管置于密闭的低温试验箱内，低温试验箱的箱壁上设有多个测试孔，测试端子穿过所述测试孔。本发明低温试验箱并联连接在液氮气化主干通路上，对半导体行业的液氮气化环节的能源进行充分利用，突破传统低温制冷模式的限制，能够实现试验件在更低温环境进行筛选和测试的目的，并降低了传统能源的消耗。

公开(公告)号：CN102788284A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210292561.4

申请日：2012-08-16

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 李述洲 ,  王兴龙 ,  胡刚

IPC: F21S4/00 ,  F21V23/06 ,  F21V29/00 ,  F21Y101/02

Abstract: 本发明公开了一种柔性LED灯带及其制作方法，灯带由多个LED光源模块排列而成，其特征在于：LED光源模块包括上、下两块隔离的铜片以及连接在上、下两块铜片之间的绝缘片，铜片和绝缘片的上表面涂覆有导热层，在导热层上贴装有至少一串LED芯片，在上、下两块铜片上分别设置有电极焊接点，所述LED芯片串接在上、下两个电极焊接点之间，其制作方法包括割料—蚀刻—填料—涂覆—贴装—接线六个步骤。其显著效果是：灯带的连接性好，COB封装的LED光源模块稳定性高，装配方便，可单一模块贴装或多模块连装，可实现大规模批量化生产制造，不但可以应用在玉米灯上，还可以制作各类传统灯型，在路灯光源模块或隧道灯光源模块上也能很好利用。

公开(公告)号：CN102437177A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110392125.X

申请日：2011-12-01

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 王兴龙 ,  李述州

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种新型肖特基倒封装芯片，包括封装体、芯片正极、芯片负极、硅片、硅片正极和硅片负极，所述硅片正极和所述芯片正极连接，所述硅片负极和所述芯片负极连接，所述硅片正极和所述硅片负极位于所述硅片的同一侧面；所述硅片正极位于所述硅片的表面上，所述硅片正极的旁边设置有凹槽，所述硅片负极位于所述凹槽内。本发明还公开了一种新型肖特基倒封装芯片的制造工艺，包括以下步骤：提供一原始外延硅片；对原始外延硅片进行氧化；一次光刻；P环扩散；二次光刻沟槽；一次腐蚀；三次光刻；二次腐蚀；溅射金属Pt、Ni；蒸发接触金属Ti、Ni、Ag；焊锡，封装，得成品。本发明新型肖特基倒封装芯片体积小、厚度薄、性能好。

公开(公告)号：CN112885804B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202110250762.7

申请日：2021-03-08

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 夏大权 ,  马红强 ,  徐向涛 ,  周玉凤 ,  王兴龙 ,  李述洲

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H02S40/34 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，在本发明提供的贴片式光伏旁路模块中，相较于传统的铝丝、金丝等丝线的电气连接，基于较宽的导电条带的电气连接，降低了MOSFET芯片的漏源导通电阻，减少了导通损耗，并提高了MOSFET芯片的抗浪涌电流冲击能力，同时还降低了整个光伏旁路模块的热阻，提高了其导热能力；对应的引线框架为薄片状结构设计，适合目前小型化、扁平化的封装；基于引线框架的结构设计和塑封工艺，封装后的贴片式光伏旁路模块的背部散热面积大，主要的冷却路径是通过MOSFET裸露的金属焊盘到第一框架，提高了封装后的散热能力；且选用的塑封料为低应力、低翘曲、低吸水率的环保型塑封料，完全满足光伏旁路模块的高可靠性要求。

公开(公告)号：CN107359133B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN201710626742.9

申请日：2017-07-27

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 章发国 ,  李述洲 ,  王兴龙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L21/329 ,  B21F1/00 ,  B21F5/00 ,  B21F11/00 ,  B21F23/00

Abstract: 本发明公开了一种二极管送料、打扁、切筋整形一体机，包括沿着导轨从前到后依次设置的自动送料部分、打扁部分和切筋整形部分；所述自动送料部分包括导料槽送料拨杆、拨杆驱动电机和拨料传动机构；所述打扁部分包括沿着导轨从前到后设置的一次打扁部分和二次打扁部分；所述切筋整形部分包括切筋整形模具、切筋驱动电机和切筋传动机构。将打扁、切筋整形集成到一台设备上完成，只需要一个人把未打扁的产品放到设备的导料槽后，无需人员看守，设备自动进料、打扁、切筋整形，最后成型好的产品自动落到收料盒中。节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。

公开(公告)号：CN108682683A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810310103.6

申请日：2018-04-09

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 王兴龙 ,  李述洲 ,  刘章利

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/8613 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明公开了一种压结式电力电子二极管，包括P型层、P+型层、N+型层、N‑型层以及两端的铜基，P型层上靠近P+型层的表面设有凹槽，P+型层、P+型层与对应的铜基之间的焊锡、对应的铜基的内表面均设置为与P型层上的凹槽配套的形状。本发明还公开了一种压结式电力电子二极管的生产工艺，包括以下步骤：底片准备；凹槽蚀刻；离子注入；沟槽蚀刻；钝化处理；氧化膜烧结；光刻引线孔；表面金属化；将两端通过焊锡与铜基进行合金连接，形成压结式电力电子二极管。本发明所述压结式电力电子二极管P型层通过P+型层和焊锡与对应的铜基接触的表面面积更大，从而显著提升了电流通过能力、耐压性能和散热效果，扩展了电力电子二极管的应用范围。

公开(公告)号：CN108573857A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810399395.5

申请日：2018-04-28

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 王兴龙 ,  李述洲 ,  郭晓峰

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种高可靠性GPP芯片制备方法，包括如下步骤：1)将扩散好的PN结硅片上涂上光刻胶；2)采用HF:HNO3:HAC混合的腐蚀液进行腐蚀沟槽；3)采用LPCVD生长方式在沟槽内进行掺氧掺氮；4)刮涂玻璃粉，烧结玻璃；5)在步骤4)烧结后采用PECVD生长软Si3N4；6)进行二次光刻并镀Ni，然后镀Ni-Si合金，镀完Ni-Si合金后再次镀Ni；7)测试；8)背面激光划片。本发明在玻璃表面用PECVD生长软氮化硅(Si3N4)，从而形成低漏电流、高压、耐潮湿性好、低应力的高可靠性1A～50A以及300～1800V GPP芯片，具有适应范围广、低成本、稳定性好以及高可靠等优点。

公开(公告)号：CN105609483B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201610006518.5

申请日：2016-01-04

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 马红强 ,  王兴龙 ,  王强

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L2224/97

Abstract: 本发明公开了一种共阳极肖特基半导体的封装工艺，包括以下步骤：(A)使用绝缘陶瓷烧结粘合工艺完成双载体部分与散热片部分的粘合；(B)使用高导热软焊料芯片焊接工艺完成上芯；(C)通过焊线键合共联技术，将芯片阳极与框架阳极通过导线相连并完成导线压焊；(D)塑封、去溢料、电镀、切筋分粒成型、测试及包装。使用普通肖特基芯片，采用双载体部分和散热片部分加陶瓷绝缘的方法，实现了散热片与阴极绝缘，双基岛式载体区实现阴极分离，阳极共用；利用现有设备，普通芯片实现了共阳极封装，满足了市场需求，降低了生产成本，使产品可靠性得到保障，解决了普通肖特基芯片难以实现共阳极封装的难题。

公开(公告)号：CN105241540B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201510645186.0

申请日：2015-10-08

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 罗元 ,  张毅 ,  李述洲 ,  王兴龙 ,  胡钢

IPC: G01H9/00

Abstract: 本发明公开了一种MEMS振幅测量方法，该方法包括步骤：S1，获取一幅MEMS器件的运动模糊图像；S2，在模糊图像中选取感兴趣区；S3，对感兴趣区的模糊图像进行图像处理，具体是通过小波分解，对高频信号进行增强，低频信号进行减弱；S4，将步骤S3中增强变换后的图像进行分形插值；S5，获取分形插值后的感兴趣区域的特征曲线；S6，对S5获得的特征曲线计算其分形维数；S7，根据分形维数与振幅的拟合曲线，利用拟合公式计算出器件的振幅值。本发明可以获得亚像素级的MEMS器件振幅测量精度。