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公开(公告)号：CN111304608B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010186265.0
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C23C14/35 , B22D7/00 , C21D9/00 , C22C1/02 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22F1/02 , C22F1/10 , C22F1/14 , B30B15/34
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶材含镍为1~23.5wt%或30~99wt%，余量为铂，其致密度不低于99.5%，晶粒尺寸5~50μm，其中含镍为1~23.5wt%的靶材呈（111）高定向取向，其（111）与（200）晶面积分强度比不低于3；含镍为30~99wt%的靶材呈（111）高定向取向，其（200）与（111）晶面积分强度比不低于1.2。所述制备方法包括以下步骤：熔炼与浇铸、缺陷检测、真空热压、低温压制、低温退火和产品加工。本发明的镍铂合金溅射靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的薄膜，制备工艺简便，易操控，大大提高生产效率并节约制备成本。
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公开(公告)号：CN104018128B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410231799.5
申请日：2014-05-29
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶中，铂的含量为0～5原子％，靶材的平均晶粒尺寸小于80微米且单个晶粒尺寸不大于150微米，靶材具有均匀分布的衍射峰强度组合，且单个方向上的衍射峰强度不大于50％，靶材的透磁率(PTF)在大于40％且在各个不同方向上测量的数值差别在5％以内。所述的镍铂合金溅射靶材，能减少溅蚀现象发生，具有较长的使用寿命，使用该靶材所制备出的薄膜具有较好的均匀性；本发明的另一个目的在于提供一种获得上述具有高透磁率(PTF)的具有低铂含量的镍铂合金靶材的制备方法。
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公开(公告)号：CN104014767A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410246797.3
申请日：2014-06-05
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备NiV合金靶材的方法，涉及使用特殊的熔铸方法制备高纯度、晶粒细小的NiV合金靶材产品。通过采用氧化硼作为覆盖剂对合金熔体实施净化以提高合金靶材的纯度，采用循环液态金属冷却的铜模进行浇铸实现合金熔体的快速凝固，从而获得纯度高、晶粒细小、无偏析、相结构单一的NiV合金靶材产品，提高了效率和成品率。
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公开(公告)号：CN108517497B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810157024.6
申请日：2018-02-24
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种离心成型制备NiPt合金靶材的方法，涉及使用离心成型浇铸工艺制备薄板件NiPt合金靶材，以避免对铸锭实施应力加工所带来的破坏性影响，简化生产工序，保证产品材料纯度，大大提高产品成品率。当NiPt合金成分配比进入40‑90wt.％Pt的区间时，体系会发生有序转变，所形成的有序结构会大大弱化合金的应力加工性能。通过使用旋转加热平台及特别设计的模具进行浇铸，使铸锭形状几近产品形状，后续经过简单的机加工即可达到最终尺寸，制成合格产品，成功的解决了使用传统应力加工方法对该成分区间产品进行加工时极高报废率的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104032270B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410260698.0
申请日：2014-06-12
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸钌基合金溅射靶材及其制备方法，钌基合金靶材包括Al,Co，Cr等元素中的一种或几种，其余为Ru，钌基合金靶材为圆饼状，其直径不小于100mm,致密度不低于99.5％,且其中心区域与边缘区域的致密度差不超过0.3％，且Ru与其他合金元素形成的第二相均匀的分布在Ru基体相中。所述的钌基合金溅射靶材的制备方法，包括通过气体雾化法制备熔点偏低的脆性相钌基合金粉末，再通过气流磨处理该脆性相获得了细小均匀的合金粉末，最后经粉末烧结制备出直径尺寸在100mm以上的钌基合金靶材，本发明获得的合金靶材杂质含量低，致密度高且均匀，成份分布均匀，晶粒细小均匀，使用该靶材溅射成膜的厚度均匀性，性能稳定以及减少了溅射过程的异常放电现象等。
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公开(公告)号：CN104018016B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410201389.6
申请日：2014-05-14
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备CoCrAlYSi合金靶材的方法，涉及使用多种中间合金及恰当的熔炼工艺制备CoCrAlYSi合金靶材，以获得元素含量稳定，无偏析，质量性能好的产品。通过使用Co-Al合金，使各原料的熔化温度趋于近似，避免低熔点元素Al的挥发；使用Cr-Si合金以避免Si元素与其他元素的复杂反应；使用Cr-Y合金在浇铸前加入，避免了Y的氧化造渣和成品中Y含量不稳定，最终成功制备了各元素含量与配比相同，无偏析的合金靶材产品。
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公开(公告)号：CN104032274A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410260448.7
申请日：2014-06-12
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法，所述CoCrPt系合金溅射靶材包括B元素，B元素的含量为0～20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相，其中富B相均匀的分布在富Co相中，所述富Co相的平均晶粒尺寸在20～50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0～20μm；所述CoCrPt系合金溅射靶材的制备方法，包括：(1)真空熔炼；(2)热等静压；(3)热机械加工；(4)冷机械加工。使用本发明所述的CoCrPt系合金溅射靶材制备的磁记录介质，所述磁记录介质包括基底层，粘结层，软磁层，中间层和磁记录层，所述磁记录介质的矫顽力为3000～5000Oe，方形度为0.80～095。本发明化学成份均匀且偏离名义成分较小，解决了常规制备工艺中轧制开裂，成品率低，合金靶材化学成份偏离名义成份较多、有害杂质含量偏高等技术问题。
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公开(公告)号：CN104018128A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410231799.5
申请日：2014-05-29
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶中，铂的含量为0～5原子％，靶材的平均晶粒尺寸小于80微米且单个晶粒尺寸不大于150微米，靶材具有均匀分布的衍射峰强度组合，且单个方向上的衍射峰强度不大于50％，靶材的透磁率(PTF)在大于40％且在各个不同方向上测量的数值差别在5％以内。所述的镍铂合金溅射靶材，能减少溅蚀现象发生，具有较长的使用寿命，使用该靶材所制备出的薄膜具有较好的均匀性；本发明的另一个目的在于提供一种获得上述具有高透磁率(PTF)的具有低铂含量的镍铂合金靶材的制备方法。
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公开(公告)号：CN104018016A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410201389.6
申请日：2014-05-14
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备CoCrAlYSi合金靶材的方法，涉及使用多种中间合金及恰当的熔炼工艺制备CoCrAlYSi合金靶材，以获得元素含量稳定，无偏析，质量性能好的产品。通过使用Co-Al合金，使各原料的熔化温度趋于近似，避免低熔点元素Al的挥发；使用Cr-Si合金以避免Si元素与其他元素的复杂反应；使用Cr-Y合金在浇铸前加入，避免了Y的氧化造渣和成品中Y含量不稳定，最终成功制备了各元素含量与配比相同，无偏析的合金靶材产品。
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