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公开(公告)号：CN110813376A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911106657.5
申请日：2019-11-13
Applicant: 许昌学院
IPC: B01J31/06 , B01J27/08 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明提供了一种聚吡咯修饰的纳米溴氧化铋光催化材料及其制备方法和应用，属于光催化领域。在本发明中，聚吡咯作为一种碳氮共存的杂环共轭型导电高分子，不仅具有优异的可见光吸收和导电特性，而且在大多数溶剂体系中具有良好的化学稳定性，从而具有良好的循环使用性能，将其对溴氧化铋半导体进行功能化修饰，可以有效提高其光吸收性能并加速半导体材料相互界面之间电子转移，有效提高光照下光生电子空穴分离的效率，而且界面结合间的共价引力和匹配程度都极大影响电子空穴分离的效率，进而影响活性自由基产生的效率，从而得到一种新型高效复合光催化材料并提高其光催化降解能力。
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公开(公告)号：CN110756310A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911064113.7
申请日：2019-11-04
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池电极材料加工用粉碎装置，包括粉碎箱、固定架、研磨箱、投料口、分离器、分散盘、研磨组件、碾压组件、承重板、出料组件和支撑腿，所述粉碎箱的内部顶部一侧通过螺栓固定安装有固定架，且固定架的顶部中央通过螺栓固定安装有研磨箱，所述研磨箱的顶部外侧设置有投料口，且投料口通过焊接与粉碎箱的顶部端面固定连接，所述研磨箱的内侧底部固定安装有分离器，且分离器的底部固定安装有分散盘，所述研磨箱的顶部设置有研磨组件；该电极材料加工用粉碎装置，结构简单，体积小巧，在使用时，能够将原料进行研磨细化，再通过碾压辊对研磨后的原料进行二次碾压，从而有利于提高原料的粉碎效果。
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公开(公告)号：CN108206270A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201810049060.0
申请日：2018-01-18
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米片包覆纳米硅复合材料的原位制备方法，属于纳米材料制备技术领域。该方法包括：将镁粉、纳米氧化硅以及无机盐按照一定比例混合后采用干压成型工艺压制成片状，然后将片状材料于二氧化碳氛围下在管式炉中高温煅烧，煅烧完成后分别在盐酸溶液和氢氟酸溶液中进行一次酸洗和二次酸洗，离心清洗至中性，最后真空干燥得到碳纳米片包覆纳米硅复合材料。本发明提供的原位制备方法操作简单，条件温和，在相对较低的温度下利用简单设备实现了碳纳米片包覆纳米硅复合材料的制备，安全环保，有效降低了碳改性纳米硅复合材料的制备成本。
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公开(公告)号：CN107245689A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710358213.5
申请日：2017-05-19
Applicant: 许昌学院
IPC: C23C8/06
CPC classification number: C23C8/06
Abstract: 本发明涉及一种大面积制备卤化甲胺铅光电薄膜的化学方法。该方法为：将沉积有单质铅薄膜的基底与卤化甲胺在真空或负压条件下加热，使卤化甲胺蒸汽充满反应容器，在200℃～300℃条件下反应，反应时间小于等于50min，即可在基底材料表面原味制备出晶粒大、结晶性好、表面均匀的卤化甲胺铅半导体薄膜材料CH3NH3PbX3，X＝Cl，Br，I或其中一种或两种的组合。本发明方法可大面积快速制备卤化甲胺铅薄膜、制备的卤化甲胺铅薄膜厚度均匀性好，卤化甲胺铅结晶好晶体粒径大，直径可达到0.5‑2微米，优选可达到1‑3微米，克服了传统方法成膜晶粒小的问题。具有广泛的实验室器件研究及工业应用前景。
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公开(公告)号：CN105929603A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610365358.3
申请日：2016-05-26
Applicant: 许昌学院
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133784
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管光调制器及其制备和工作方法。本发明通过一定含量的羧基化碳纳米管与向列型液晶复合使无序聚集形成的碳纳米管集群处于非约束状态，然后给处于非约束状态的碳纳米管施加电场，非约束状态下的碳纳米管集群沿电场方向完成拉伸取向，然后在去除电场后，取向的碳纳米管集群在液晶相作用下恢复原始取向状态，在取向转动过程中实现对光波状态进行调控的目的。与现有光调制器相比，本发明的光调制器件具有无偏振依赖、电场响应效率高且制备流程简单等优点并可大规模迅速实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105807452A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610299997.4
申请日：2016-05-05
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: G02F1/0102 , G02F1/1313
Abstract: 本发明一种可高速响应的石墨烯光调制器的制备方法：将功能化石墨烯固体分散后与具有低介电各向异性常数的商业化液晶超声复合，得到功能化石墨烯质量分数为0.001～0.01wt％的复合材料；在一面有ITO的玻璃基板的ITO面上水平取向，然后将两块处理后的将膜厚约为35～45μm的聚丙烯薄膜双面胶带粘贴于经过步骤三处理的玻璃基板边缘上，按反平行于摩擦取向方向粘接制作上下玻璃基板间距为40μm的空白液晶盒；然后将含功能化石墨烯薄片的复合材料灌注于上述液晶盒中，最后用环氧树脂B胶封盒，得到光调制器VA1。与现有光调制器相比，本发明的光调制器件可具有电场响应速率高、无偏振依赖且制备流程简单等优点并可大规模迅速实现。
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公开(公告)号：CN105462579A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510891615.2
申请日：2015-12-04
Applicant: 许昌学院
IPC: C09K11/59
Abstract: 本发明提供一种在非还原气氛烧制工艺，烧制出具有优异红色发光性能的长余辉荧光材料。其特征是，采用纳米碳化硅作为硅源，在非还原性气氛中采用微波烧结制备出具有长余辉红色荧光材料的方法，其化学式为Ba2-xSiO4:(xEu)，其中，0.005≤x≤0.11。本发明提供的技术方案的优点之一，化学性质稳定和发光性能优异，可被波长在360-430纳米范围内的光很好的激发，发射出596纳米和616纳米附近的红光，余辉时间可达2000毫秒，可用于白光LED器件；之二，提供的制备工艺简单易控，并且制备成本低和环境友好。
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公开(公告)号：CN115108581A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210790908.1
申请日：2022-07-05
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明提供一种常温制备铜锌锡硫纳米晶的化学方法。包括以下步骤：(1)提供反应中间体溶液：(2)然后在反应中间体溶液中加入含有硫负离子的硫化剂水溶液使金属离子前驱体硫化，反应迅速完成，得到铜锌锡硫材料。其可实现铜锌锡硫半导体材料的低温、绿色大量制备。
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公开(公告)号：CN111533462A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010262158.1
申请日：2020-04-06
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种常温下快速合成硫化银薄膜的化学方法。该方法为：将沉积有单质银薄膜的基底在常温、常压条件下与多硫化铵水溶液进行反应，即可基底材料表面原位制备硫化银半导体薄膜材料。本方法在常温常压条件下，利用多硫化铵与单质银薄膜进行反应，反应速度快，在反应时间小于1min的情况下能快速实现硫化银薄膜的制备，且获得的硫化银薄膜致密性高，稳定性好。硫化银薄膜厚度可达到300-1000nm。
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公开(公告)号：CN110467176A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810437324.X
申请日：2018-05-09
Applicant: 许昌学院
IPC: C01B32/174 , G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种功能化碳纳米管复合材料，含有反应性液晶和分散在所述反应性液晶中的功能化碳纳米管；所述功能化碳纳米管为接枝有4-羟基-己氧基-4-氰基联苯基团的羧基化碳纳米管；所述功能化碳纳米管在所述功能化碳纳米管复合材料中的质量分数为0.2～0.5wt％。本发明还提供了一种功能化碳纳米管复合材料的制备方法及一种偏振器件。本发明对CNT进行“液晶链段”的功能化修饰并利用反应性液晶作为电致取向介质，在宏观范围内实现了CNT电致取向和有序排列，直接紫外光固化又有效提高了宏观范围内CNT的取向稳定性能。进而提高了其对光波的各向异性吸收性能并实现了组装器件高偏振强度。
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