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公开(公告)号：CN104876195A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510336541.6
申请日：2015-06-17
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种常温原位合成硒硫铜三元化合物的化学方法。将单质Se粉溶解在Na2S的水溶液中形成酒红色溶液，将铜源浸泡于上述溶液中，5～30℃恒温反应即可原位制得黑色硒硫铜三元化合物。该方法在5～30℃常温条件下即可进行，条件温和，反应过程不影响导电基底材料的性能，反应过程可控，操作简便快捷，几乎无能耗。所得硒硫铜三元化合物纯度高、均匀、结晶性优良，作为一种新型窄带系光电材料有较好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN104659157A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510104030.1
申请日：2015-03-10
Applicant: 许昌学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0336
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于BiOBr/CdS异质结光电薄膜材料的制备方法。包括以下步骤：硝酸铋和溴化钾的水溶液作为反应液，取干燥洁净的FTO玻璃为基底，采用连续离子层吸附法制备20-90个循环的BiOBr纳米片状阵列薄膜；配制0.9-1.1M氨水、0.9-1.1mM氯化镉和4-6mM硫脲的混合前驱体溶液，然后将制备的BiOBr纳米片状阵列薄膜竖直放入，在60-80℃反应得到BiOBr/CdS异质结薄膜材料。克服传统成膜过程中引起的颗粒团聚、微观结构破坏、杂质引入、高温退火、机械稳定性差且容易脱落等一系列问题；且能够有效提高光生载流子的寿命及传输和分离的效率，使得光电转换效率大幅提高。
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公开(公告)号：CN104250723A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410459336.4
申请日：2014-09-09
Abstract: 本发明涉及一种基于金属铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbI3薄膜材料的化学方法，它是在基底表面溅射铅单质薄膜，然后将具有铅单质薄膜的基底材料水平浸泡于含有单质碘和碘化甲胺的有机溶液中，恒温反应即可原位制得CH3NH3PbI3薄膜材料；或将具有铅单质薄膜的基底材料放入单质碘蒸气氛围中先碘化生成碘化铅薄膜，再浸入碘化甲胺的有机溶液中，恒温反应原位制得CH3NH3PbI3薄膜材料。该方法操作简单，低能耗，成本低，具有广阔的工业应用前景；所得CH3NH3PbI3薄膜纯度高、薄膜表面晶体均匀、结晶性优良。
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公开(公告)号：CN102102224B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110002485.4
申请日：2011-01-07
Abstract: 一种银铜硒三元化合物树枝晶薄膜材料及其制备方法。该材料为生长在银箔片基底上的AgCuSe树枝晶薄膜材料。其制法是把生长在银箔片基底上的树枝状Ag2Se纳米晶薄膜依次在硒粉与水悬浮液和纳米铜粉与氨水悬浮液中浸泡，经过室温化学反应，银箔片基底表面的树枝状Ag2Se纳米晶薄膜直接转化成高纯度的AgCuSe三元化合物树枝晶薄膜。本发明通过纳米材料形貌复制，原位反应制备AgCuSe树枝晶薄膜材料，避免了其它湿法化学反应制备所造成的产品不纯的现象。该法获得的AgCuSe三元化合物为化学计量整比，晶体具有三维树枝状结构。本法通过室温反应即获得目标产物，克服了高温法、电化学法等高耗能、工艺复杂的缺点，且不需要用到任何表面活性剂及其它添加剂，便于工业化生产和推广。
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公开(公告)号：CN102509769A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110337703.X
申请日：2011-10-28
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种基于低温制备的Ag2S片状纳米晶阵列与P3HT杂化的薄膜光电转换器件。它是在具有金属银表面的ITO玻璃或柔性ITO基底材料上原位、0℃～60℃反应制得Ag2S片状纳米晶薄膜，在纯氩气环境中与P3HT复合，然后在其表面蒸镀一层Au作为正极的光电转换器件。做法是在清洁的ITO表面溅射一层200～300nm厚度的银薄膜，令其在0℃～60℃条件下和单质硫在DMF中反应，得到一层Ag2S纳米晶薄膜，经无水乙醇洗涤，40℃真空干燥，在通有纯氩气的手套箱中，将浓度为10mg/mL的P3HT氯仿溶液旋涂到Ag2S纳米晶薄膜上形成异质结，在氮气保护下40～60℃干燥2小时以上，最后在薄膜表面蒸镀单质金作为电池正极而成。该薄膜光电转换器件的Voc＝0.24V，Jsc＝11.19mA/cm2，η＝1.23％，FF＝44.84％，电池性能稳定，放置190天未检测到电池效率的衰减。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106111131A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610484771.1
申请日：2016-06-24
Applicant: 许昌学院
IPC: B01J23/52 , B01J35/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N21/33 , G01N21/78 , B22F1/00 , C22C5/02 , C22C5/04 , B22F9/24
CPC classification number: B01J23/52 , B01J35/023 , B01J35/10 , B22F1/0044 , B22F9/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C22C5/02 , C22C5/04 , G01N21/33 , G01N21/78
Abstract: 本发明公开了一种金铂合金纳米颗粒模拟酶及其制备方法和应用。树枝状金铂合金纳米颗粒模拟酶，其金铂合金纳米颗粒形貌呈树枝状多孔结构，合金组成Pt/Au摩尔比例介于0.33至6之间，平均粒径在20nm‑40nm。所得金铂合金纳米颗粒模拟酶溶液在过氧化氢存在和不存在的情况下对有机底物3,3’,5,5’‑四甲基联苯胺都有很高的氧化催化活性，表现出类似过氧化物酶和氧化酶的活性特征。且类酶催化活性强烈依赖于Pt/Au比，依此可实现对其模拟酶催化活性的调控。
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公开(公告)号：CN103779102B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410022942.X
申请日：2014-01-17
Abstract: 本发明涉及BiOI/Bi2S3异质结薄膜及柔性光电化学太阳能电池器件。所述的BiOI/Bi2S3异质结薄膜呈膜状，由生长在ITO/PET柔性基底上的相互交错的纳米片状结构的BiOI和分散在纳米片状BiOI表面和边缘上的纳米球状Bi2S3组成，所述BiOI纳米片的厚度为10?40nm，所述Bi2S3的粒度为10?200nm。所述的柔性光电化学太阳能电池器件包括作为光电活性电极的BiOI/Bi2S3异质结薄膜、作为对电极的喷Pt的ITO/PET柔性基底和填充在光电活性电极和对电极之间的电解液。该BiOI/Bi2S3异质结薄膜构建方法简单，由该BiOI/Bi2S3异质结薄膜作为活性电极构建的光电化学太阳能电池器件光电转化效率高。
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公开(公告)号：CN105369232A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510084504.0
申请日：2015-02-16
Applicant: 许昌学院
IPC: C23C22/02
CPC classification number: C23C22/02
Abstract: 本发明涉及一种基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbBr3薄膜材料的化学方法。它是在基底表面获得铅单质薄膜，然后将具有铅单质薄膜的基底材料水平浸泡于含溴化甲胺的有机溶液中，恒温反应即可原位制得CH3NH3PbBr3薄膜材料。该方法操作简单，无需旋涂过程，可大面积制备得到CH3NH3PbBr3薄膜，有效解决大尺寸器件制作问题；所得CH3NH3PbI3薄膜纯度高、薄膜表面晶体均匀、结晶性优良，低能耗，制作成本低，具有广阔的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN103247718B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310121142.9
申请日：2013-04-09
Applicant: 许昌学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , C01G9/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种常温下原位控制合成硫铜银三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法，将表面溅射有单质金属铜和单质金属银的基底材料，或者铜银合金箔片材料，倾斜、竖直或水平置于含有单质硫粉与无水乙醇的容器中，避免与硫粉直接接触，并保证这些基底材料浸泡于有机溶剂液面以下，在18-40oC的温度范围内反应25分钟~12小时。反应过程中单质硫粉的浓度保持在饱和状态，反应完成后在基底材料表面原位制得灰黑色硫铜银三元化合物光电薄膜半导体材料，产物用无水乙醇洗涤，室温干燥即可。该方法能耗低，反应容器简单，所用溶剂可重复利用，无需使用表面活性剂和其它化学添加剂，产物后处理简单，具有很强的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN101805136B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010125445.4
申请日：2010-03-11
IPC: C03C17/36
Abstract: 一种在ITO导电玻璃上原位制备纳米网状硫铟锌三元化合物光电薄膜的化学方法。该方法把具有纳米化铟锌合金表面的ITO导电玻璃基底材料、单质硫粉、以及无水乙醇溶剂共置于聚四氟乙烯反应釜中，单质硫粉的浓度为0.001～0.0015克硫/毫升无水乙醇溶剂，在160℃～180℃温度下反应12～24小时，反应结束后，自然冷却至室温，最后产物依次用去离子水和无水乙醇清洗，室温下自然晾干，即得到在ITO导电玻璃基底的铟锌合金表面原位制得由纳米薄片组成的网状ZnIn2S4三元化合物光电薄膜材料，其中纳米薄片厚度为20～30nm。本方法制得的薄膜透明，纳米网状结构形貌均一、完美，表面非常均匀平整。同时，本方法低温原位生长重复性好，操作简便，不需要进一步的后处理，环境友好，便于工业化生产。
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