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公开(公告)号：CN102509769A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110337703.X
申请日：2011-10-28
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种基于低温制备的Ag2S片状纳米晶阵列与P3HT杂化的薄膜光电转换器件。它是在具有金属银表面的ITO玻璃或柔性ITO基底材料上原位、0℃～60℃反应制得Ag2S片状纳米晶薄膜，在纯氩气环境中与P3HT复合，然后在其表面蒸镀一层Au作为正极的光电转换器件。做法是在清洁的ITO表面溅射一层200～300nm厚度的银薄膜，令其在0℃～60℃条件下和单质硫在DMF中反应，得到一层Ag2S纳米晶薄膜，经无水乙醇洗涤，40℃真空干燥，在通有纯氩气的手套箱中，将浓度为10mg/mL的P3HT氯仿溶液旋涂到Ag2S纳米晶薄膜上形成异质结，在氮气保护下40～60℃干燥2小时以上，最后在薄膜表面蒸镀单质金作为电池正极而成。该薄膜光电转换器件的Voc＝0.24V，Jsc＝11.19mA/cm2，η＝1.23％，FF＝44.84％，电池性能稳定，放置190天未检测到电池效率的衰减。
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公开(公告)号：CN102509769B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201110337703.X
申请日：2011-10-28
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种基于低温制备的Ag2S片状纳米晶阵列与P3HT杂化的薄膜光电转换器件。它是在具有金属银表面的ITO玻璃或柔性ITO基底材料上原位、0℃～60℃反应制得Ag2S片状纳米晶薄膜，在纯氩气环境中与P3HT复合，然后在其表面蒸镀一层Au作为正极的光电转换器件。做法是在清洁的ITO表面溅射一层200～300nm厚度的银薄膜，令其在0℃～60℃条件下和单质硫在DMF中反应，得到一层Ag2S纳米晶薄膜，经无水乙醇洗涤，40℃真空干燥，在通有纯氩气的手套箱中，将浓度为10mg/mL的P3HT氯仿溶液旋涂到Ag2S纳米晶薄膜上形成异质结，在氮气保护下40～60℃干燥2小时以上，最后在薄膜表面蒸镀单质金作为电池正极而成。该薄膜光电转换器件的Voc＝0.24V，Jsc＝11.19mA/cm2，η＝1.23％，FF＝44.84％，电池性能稳定，放置190天未检测到电池效率的衰减。
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公开(公告)号：CN102887539A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210357325.6
申请日：2012-09-24
Applicant: 许昌学院
Abstract: 一种原位制备纳米硫锡锌铜四元化合物光电薄膜的化学方法。该方法把具有纳米化铜锡锌表面的基底材料、单质硫粉和无水乙醇溶剂共置于反应釜的PPL内胆中，单质硫粉含量为0.001克硫/毫升，在240~270℃下反应8~24小时，反应结束后，自然冷却至室温，产物依次用去离子水和无水乙醇清洗，室温下自然晾干，即得到由纳米薄片组成的网状Cu2ZnSnS4四元化合物光电薄膜材料。该方法属温和的湿化学合成方法，反应温度显著降低，环境友好；反应过程不需要真空装置或气氛保护，产品纯度高；通过对金属的溅射顺序及厚度、反应温度、反应时间的控制进而控制产品的形貌，实现了可控合成。采用原位生长法一步成膜，便于组装太阳能电池器件。
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公开(公告)号：CN102887539B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210357325.6
申请日：2012-09-24
Applicant: 许昌学院
Abstract: 一种原位制备纳米硫锡锌铜四元化合物光电薄膜的化学方法。该方法把具有纳米化铜锡锌表面的基底材料、单质硫粉和无水乙醇溶剂共置于反应釜的PPL内胆中，单质硫粉含量为0.001克硫/毫升，在240~270℃下反应8~24小时，反应结束后，自然冷却至室温，产物依次用去离子水和无水乙醇清洗，室温下自然晾干，即得到由纳米薄片组成的网状Cu2ZnSnS4四元化合物光电薄膜材料。该方法属温和的湿化学合成方法，反应温度显著降低，环境友好；反应过程不需要真空装置或气氛保护，产品纯度高；通过对金属的溅射顺序及厚度、反应温度、反应时间的控制进而控制产品的形貌，实现了可控合成。采用原位生长法一步成膜，便于组装太阳能电池器件。
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