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公开(公告)号：CN106249218B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201610788548.6
申请日：2016-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/41
Abstract: 本发明属于雷达技术领域，公开了一种基于多频点回波信息融合的目标跟踪方法，包括：获取k个大帧信号，对其中的每个小帧信号进行处理得到目标信息；获取第l个大帧信号Sig(ｌ)的目指距离mz_dist(ｌ)，根据mz_dist(ｌ)及目标信息，确定对应的n个最临近目标，并记录每个最临近目标的信息；利用n个最临近目标的信息确定在Sig(ｌ)中是否检测到目标；若检测到目标，则确定目标距离及更新位置若未检测到目标，则确定目标距离goal_dist(ｌ)＝mz_dist(ｌ)及更新位置根据目标距离goal_dist(ｌ)以及更新位置TT(l)，采用三点建航方法判断Sig(ｌ)对应的目标的航迹状态；令l加1，继续对下一个大帧信号进行目标航迹状态判断，直至l＞k，得到目标的跟踪轨迹。本发明能够减小多径环境下的目标检测误差，提高雷达在低信噪比下的稳定跟踪。
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公开(公告)号：CN107437584A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710411588.3
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种异质结阻变存储器及其制备方法，该方法包括：制备半绝缘衬底；在半绝缘衬底表面依次连续生长粘附层、底电极和Ga2O3薄膜；利用旋涂工艺在Ga2O3薄膜表面生长CH3NH3PbI3薄膜；在CH3NH3PbI3薄膜表面生长点状顶电极，最终形成异质结阻变存储器。本发明由于阻变层采用异质结，易于调制，电阻的记忆与弛豫过程受耗尽层宽度、内建电场强度等因素的调节，增加了忆阻性能调控的灵活性；对材料的选择性较弱，忆阻行为性能稳定，有助于忆阻器件的半定量化研究，为器件设计及进一步发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN107369763B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710412534.9
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器的制备方法，包括：选取半绝缘半透明衬底；在所述衬底表面淀积形成底电极；在所述底电极表面淀积Ga2O3层；在所述Ga2O3层表面旋涂钙钛矿层；在所述钙钛矿层表面淀积形成顶电极，以完成所述光电探测器的制备。本发明提供的基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器，可以探测从深紫外到近红外的宽范围光谱；具有较高的响应度和探测率，同时具有低的暗电流密度和高的外量子效率；该探测器结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点。
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公开(公告)号：CN106093931B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610374339.7
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于雷达技术领域，公开了基于数字阵列天线的通信雷达一体化收发方法，能同时满足通信和雷达系统的性能要求，包括：确定数字阵列天线的发射波束权矢量；确定数字阵列雷达的发射信号波形；对恒定模值的OFDM信号添加循环前缀；将带循环前缀的OFDM信号与发射波束权矢量相乘，完成信号发射；获取数字阵列天线的接收数据，确定数字阵列天线接收端的雷达权系数和通信权系数；根据接收数据和雷达权系数得到雷达信道接收信号，对其进行匹配滤波，得到雷达目标的距离信息；根据接收数据和通信权系数得到通信信道接收信号，对其依次进行信号均衡、相干数字解调，从而得到通信基站传输的数据比特流。
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公开(公告)号：CN107302054A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710411589.8
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种双异质结光探测器的制备方法，包括：(a)对半绝缘半透明衬底进行清洗；(b)在所述衬底上生长底电极层；(c)在所述底电极层上生长第一MoS2层；(d)在所述第一MoS2层上生长杂化钙钛矿层；(e)在所述杂化钙钛矿层上生长第二MoS2层；(f)在所述第二MoS2层上生长顶电极。本发明杂化钙钛矿双异质结可以使二维材料沟道的背景载流子的完全耗尽，显著降低了器件暗电流，提高器件在弱光下的探测性能；制备工艺简单，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点；制备的光电探测器可在零栅压、低源漏偏压下工作，具有优异的低功耗特性，且结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101286530A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810018147.8
申请日：2008-05-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅薄膜晶体管。主要解决目前多晶硅薄膜器件性能较差，饱和电压较高的问题。整个器件包括玻璃衬底、栅电极、漏电极和源电极，其中栅电极位于玻璃衬底上方，该栅电极的长度覆盖源电极和源漏之间的沟道长度，以同时控制源电极和沟道区。栅电极上淀积有Si3N4介质层，该Si3N4介质层的长度覆盖整个栅电极和漏电极。Si3N4介质层上淀积有本征多晶硅薄膜，源极和漏极分别设置其两端，且源极采用肖特基金属，并通过栅电压，控制源电极肖特基势垒高度，进而控制器件中的电流大小。本发明比常规多晶硅薄膜器件的饱和电压低10倍，在相同偏压情况下，比常规多晶硅薄膜晶体管的开态电流提高了50％以上，可用于有源矩阵阵列液晶显示器的开关。
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公开(公告)号：CN107425090B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710411754.X
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种垂直型光电探测器的制备方法，包括：S1：选取衬底；S2：在所述衬底上生长底电极层；S3：在所述底电极层上生长二硫化钼层；S4：在所述二硫化钼层上生长杂化钙钛矿层；S5：在所述杂化钙钛矿层上生长顶电极。本发明可以使光电探测器二维材料沟道的背景载流子的完全耗尽，显著降低了器件暗电流，提高器件在弱光下的探测性能；制备工艺简单，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点；制备的光电探测器可在零栅压、低源漏偏压下工作，具有优异的低功耗特性，且结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长。
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公开(公告)号：CN105954743B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610374537.3
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S13/72
Abstract: 本发明属于机动目标跟踪领域，公开了一种改进权值的变结构多模型机动目标跟踪方法，包括：初始化雷达观测值，得到初始状态向量和初始协方差矩阵；选择初始角速度，确定运动模型的状态转移矩阵；进行多模型滤波得到状态估计向量和估计协方差矩阵，同时也得到多模型的权值；利用变结构和图论的思想，通过多模型的权值对角速度即多模型结构进行调整，直至跟踪完成。本发明跟踪性能好、计算量小，可用于对高速强机动目标的跟踪。
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公开(公告)号：CN107591487A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710848508.0
申请日：2017-09-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种平面型光电探测器及其制备方法，所述制备方法包括：选取衬底；在所述衬底表面制作光吸收层；在所述光吸收层表面制作电极以完成所述光电探测器的制备。本发明提供的平面型光电探测器，通过控制MoS2的厚度来调谐其能量带隙值从而降低背景噪声；可以实现增强超快的可见-近红外宽谱响应；可以降低暗电流和背景载流子浓度。
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公开(公告)号：CN107425116A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710412532.X
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/14 , H01L45/1608 , H01L45/1625
Abstract: 本发明涉及一种基于缓冲层的阻变存储器及其制备方法，该方法包括：在Si衬底表面热氧化SiO2层形成的半绝缘衬底；在半绝缘衬底表面依次连续生长粘附层、底电极和第一缓冲层；利用旋涂工艺在第一缓冲层表面生长CH3NH3PbI3薄膜；在CH3NH3PbI3薄膜表面生长第二缓冲层；在第二缓冲层表面生长点状顶电极，最终形成缓冲层的阻变存储器。本发明在CH3NH3PbI3薄膜与上下电极之间插入缓冲层，可以形成肖特基势垒，显著的降低阻变层和电极之间的漏电流。
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