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公开(公告)号：CN102184964B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110122219.5
申请日：2011-05-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种N沟道积累型SiC IEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有技术中SiC IEMOSFET器件沟道电子迁移率低，导体电阻大的问题。其技术特点是：在已有的SiC IEMOSFET器件结构的基础上将注入形成的导电沟道层改为由外延形成的厚度为0.1μm～0.2μm，氮离子掺杂浓度为4×1016cm-3的N-外延积累层(6′)，该外延积累层(6′)横向位于左源区N+接触(4a)与右源区N+接触(4b)之间，纵向位于隔离介质(2)和JFET区域(8)之间。本发明具有沟道电子迁移率高，导通电阻低，功耗低的优点，可应用于汽车电子、电脑和通讯等领域。
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公开(公告)号：CN115145231A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210806672.6
申请日：2022-07-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05B19/418
Abstract: 本发明公开了一种基于扰动事件的多品种变批量生产车间调度方法，主要解决现有方案生产效率低的问题，其实施方案为：1)构建给定零件种类下的多品种变批量生产数据集；2)通过基于网络结构特征的瓶颈识别方法结合生产数据集选取瓶颈设备集；3)结合生产数据集和瓶颈设备集这些调度资源构建生产调度优化数学模型；4)采用改进的NSGA‑Ⅲ算法求解生产调度优化数学模型，得到最优的目标值，根据该值确定加工零件所需的加工设备及在该设备上的加工时间，形成车间生产作业计划；5)对在生产作业中紧急插单的扰动事件重复1)～4)进行生产重调度。本发明能有效提高生产效率，降低生产成本，充分发挥产线的总体效能，可用于多品种变批量的产品生产制造。
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公开(公告)号：CN102244099A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110171696.0
申请日：2011-06-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种外延沟道的SiC IEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有SiC IEMOSFET器件沟道电子迁移率低，导体电阻大的问题。本发明的器件包括栅极(1)、SiO2隔离介质(2)、源极(3)、源区N+接触(4)、P+接触(5)、P-外延层(7)、JFET区域(8)、P阱(9)、N-漂移层(10)、N+衬底(11)和漏极(12)，其中：SiO2隔离介质(2)和JFET区域(8)之间设有一层厚度为0.1μm～0.2μm，氮离子掺杂浓度为3×1016cm-3的上外延沟道层(6′)，使得器件在工作状态下的导电沟道远离SiO2和SiC界面，减少表面散射对电子迁移率的影响。本发明具有沟道电子迁移率高，导通电阻低，功耗低的优点，可用于开关稳压电源、汽车电子以及功率放大器领域。
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公开(公告)号：CN102227000A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110169285.8
申请日：2011-06-23
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超级结的碳化硅MOSFET器件，主要解决现有技术中碳化硅MOSFET器件在低导通电阻时击穿电压难以提高的问题。它包括栅极(1)、SiO2氧化物介质(2)、源极(3)、N+源区(4)、P+接触区(5)、P阱(6)、JFET区(7)、N-外延层(9)、N+衬底(10)和漏极(11)，其中：N-外延层(9)的两侧，且在P阱(6)的正下方设有厚度为0.5～5μm，铝离子掺杂浓度为5×1015～1×1016cm-3的P-基(8)，以使P阱(6)和JFET区(7)拐点处的电场分布能更加均匀，提高器件的击穿电压。本发明器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快和功耗低的优点，可用于大功率电气设备、太阳能发电模块以及混合燃料电动车。
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