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公开(公告)号：CN116387130A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310460239.6
申请日：2023-04-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于真空电子器件技术领域，具体涉及一种双层衬底结构打拿极，包括第一层衬底和第二层衬底，第二层衬底固定在第一层衬底弧形外侧正中间的位置，第二层衬底比第一层衬底的弧形面积小。在传统阴极体弧形外表面的中间位置追加一层小尺寸的导体层即第二层衬底，从而形成双层阴极体或双衬底结构，阴极体的形状使打拿极内部的电场发生了变化，使得部分二次电子即使进入到第一部分的电场区域，也可以凭借出射动能脱离该区域，顺利到达下一级打拿极。由此达到来提高电子倍增器各级打拿极对二次电子的收集效率，进而提升电子倍增器的增益；仅在打拿极弧形外侧追加尺寸较小的导体材料，此结构改变并不影响电子倍增器各级打拿级的组装方式。
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公开(公告)号：CN115783519A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211468218.0
申请日：2022-11-22
Applicant: 南京三乐集团有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电子倍增器存储装置及存储方法，该装置包括存储盒、干燥剂、二氧化碳吸附剂、聚四氟乙烯吸附剂盒、聚四氟乙烯隔板和密封袋，二氧化碳吸附剂与干燥剂的质量比为1:2～1:4。存储方法为：在存储盒底部的吸附剂盒中放入混合或分开放置的干燥剂与二氧化碳吸附剂；用螺钉将电子倍增器安装于聚四氟乙烯隔板上，并将聚四氟乙烯隔板固定于吸附剂盒的上方；盖上存储盒的顶盖并用螺钉固定；将存储盒放置于密封袋中，对装有存储盒的密封袋抽真空或充入高纯度惰性气体并进行封口，完成电子倍增器的封存。本发明可解决现有技术无法实现电子倍增器有效存储的问题。
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公开(公告)号：CN114182199B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202111520125.3
申请日：2021-12-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属掺杂非晶碳薄膜及其制备方法，属于空间微波器件制造领域，过渡金属掺杂非晶碳薄膜包括在金属基底的表面上按照由下至上的顺序依次设置的过渡金属缓冲层、过渡金属间断性掺杂的非晶碳层以及过渡金属连续掺杂的非晶碳层；过渡金属间断性掺杂的非晶碳层由若干层过渡金属掺杂的非晶碳子层和若干层未掺杂的非晶碳子层交替叠加组成。本发明通过在非晶碳薄膜中掺杂过渡金属，过渡金属原子能与碳原子结合形成相应的碳化物，促进无定型碳网络中的sp3杂化碳碳键向sp2杂化碳碳键转变，提高非晶碳薄膜中sp2杂化碳碳键含量，增强了对电子的散射作用，从而降低非晶碳薄膜二次电子发射系数。
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公开(公告)号：CN111785607B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202010664702.5
申请日：2020-07-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于真空电子技术领域，具体公开了一种双栅网打拿极，包括基架盒体、双栅网及弧形金属片，弧形金属片位于基架盒体内，双栅网与基架盒体连接；双栅网包括第一单栅网和第二单栅网，第一单栅网和第二单栅网垂直设置，第一单栅网包括第一矩形框架和设置在第一矩形框架内的栅网，第二单栅网包括第二矩形框架和设置在第二矩形框架内的栅网，第一矩形框架和第二矩形框架固定连接。本发明还公开了一种基于双栅网打拿极的电子倍增器，包括多级打拿极，某一级打拿极或若干级打拿极采用双栅网打拿极。此双栅网打拿极结构的电子倍增器可以提高电子倍增器增益，改善电子倍增器性能。
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公开(公告)号：CN114182199A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111520125.3
申请日：2021-12-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属掺杂非晶碳薄膜及其制备方法，属于空间微波器件制造领域，过渡金属掺杂非晶碳薄膜包括在金属基底的表面上按照由下至上的顺序依次设置的过渡金属缓冲层、过渡金属间断性掺杂的非晶碳层以及过渡金属连续掺杂的非晶碳层；过渡金属间断性掺杂的非晶碳层由若干层过渡金属掺杂的非晶碳子层和若干层未掺杂的非晶碳子层交替叠加组成。本发明通过在非晶碳薄膜中掺杂过渡金属，过渡金属原子能与碳原子结合形成相应的碳化物，促进无定型碳网络中的sp3杂化碳碳键向sp2杂化碳碳键转变，提高非晶碳薄膜中sp2杂化碳碳键含量，增强了对电子的散射作用，从而降低非晶碳薄膜二次电子发射系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111785607A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010664702.5
申请日：2020-07-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于真空电子技术领域，具体公开了一种双栅网打拿极，包括基架盒体、双栅网及弧形金属片，弧形金属片位于基架盒体内，双栅网与基架盒体连接；双栅网包括第一单栅网和第二单栅网，第一单栅网和第二单栅网垂直设置，第一单栅网包括第一矩形框架和设置在第一矩形框架内的栅网，第二单栅网包括第二矩形框架和设置在第二矩形框架内的栅网，第一矩形框架和第二矩形框架固定连接。本发明还公开了一种基于双栅网打拿极的电子倍增器，包括多级打拿极，某一级打拿极或若干级打拿极采用双栅网打拿极。此双栅网打拿极结构的电子倍增器可以提高电子倍增器增益，改善电子倍增器性能。
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公开(公告)号：CN109243959B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201811045957.2
申请日：2018-09-07
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电子倍增器的结构及组装方法，通过采用下基板、上基板主板、上基板辅板、打拿极组件和收集极组件组成电子倍增器，在上基板主板上表面设置平面型分压电阻和平面型过渡电极，上基板主板上设有与打拿极组件电连接孔对应的打拿极安装孔，平面型过渡电极与打拿极安装孔电连接导通，平面型分压电阻与平面型过渡电极部分重叠电连接，然后将打拿极组件和收集极组件固定于下基板和上基板主板之间，上基板辅板固定于上基板主板上端，减小了上基板辅板与上基板主板之间的空间，电阻膜层与过渡电极膜层有部分重叠，电连接非常可靠；分压电阻、过渡电极和上基板主板合为一体，无需逐个焊接各分压电阻，结构紧凑，减少了焊接电阻的装配环节。
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公开(公告)号：CN109860049A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910222572.7
申请日：2019-03-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/683 , H01L29/778 , H01L23/373
Abstract: 一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管异质集成方法，在临时载片的表面涂覆粘合剂；将氮化镓高电子迁移率晶体管的正面粘结到临时载片上，烘烤，得到以临时载片为支撑的原始器件；将以临时载片为支撑的原始器件的衬底进行减薄，对减薄后器件的背面和金刚石衬底键合面进行反溅射处理去除表面污物；在减薄后器件的背面和金刚石衬底键合面溅射中间层材料W/Au；使溅射有中间层材料的减薄器件背面与金刚石衬底键合面结合，实现衬底转移；再脱离临时载片即可。本发明通过中间层材料W/Au实现了GaN HEMT和金刚石的异质集成，实现了常温、大气压条件下金刚石基GaN HEMT的高效低成本制备，提高了其散热性能。
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公开(公告)号：CN109243959A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811045957.2
申请日：2018-09-07
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电子倍增器的结构及组装方法，通过采用下基板、上基板主板、上基板辅板、打拿极组件和收集极组件组成电子倍增器，在上基板主板上表面设置平面型分压电阻和平面型过渡电极，上基板主板上设有与打拿极组件电连接孔对应的打拿极安装孔，平面型过渡电极与打拿极安装孔电连接导通，平面型分压电阻与平面型过渡电极部分重叠电连接，然后将打拿极组件和收集极组件固定于下基板和上基板主板之间，上基板辅板固定于上基板主板上端，减小了上基板辅板与上基板主板之间的空间，电阻膜层与过渡电极膜层有部分重叠，电连接非常可靠；分压电阻、过渡电极和上基板主板合为一体，无需逐个焊接各分压电阻，结构紧凑，减少了焊接电阻的装配环节。
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公开(公告)号：CN108597993A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810732475.8
申请日：2018-07-05
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓/金刚石的直接键合方法，由以下方法制备:在金刚石衬底上生长一层金刚石外延层；对该金刚石外延层表面进行氮等离子体处理，在其表面形成一层氮终端；利用等离子体轰击氮化镓衬底无器件表面，形成氮空位表面；进行键合：在真空条件下，使金刚石氮终端和氮化镓氮空位表面相对，对两者施加压力，使氮原子和镓原子直接键合，形成Ga-N化学键。解决采用键合剂键合引入的不稳定性和热阻问题，提高了散热效率，从而提高氮化镓功率电子器件的性能和可靠性。
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