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公开(公告)号：CN117524829A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311582945.4
申请日：2023-11-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高增益电子倍增器及其制作方法，电子倍增器包括设置在屏蔽外壳内部的N级分离打拿极、收集极以及N个相互串联的分压电阻；前N‑1个分压电阻分别连接在相邻的两级分离打拿极之间，最后一个分压电阻连接在最末级分离打拿极和地之间；打拿极包括扇形结构的基架盒，基架盒由一个弧形基底以及两个扇形侧壁组成；在弧形基底与两个扇形侧壁上分别设置有弧形衬底片和两个扇形片，弧形衬底片和两个扇形片的表面均沉积有二次电子发射薄膜；N级分离打拿极沿着二次电子行进轨迹的方向依次分布，收集极布置在最末级分离打拿极发射二次电子束流出射的位置。本发明能够增加各级打拿极的二次电子发射数量，使电子倍增器的增益得到显著提高。
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公开(公告)号：CN112185784B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010879399.0
申请日：2020-08-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于真空电子器件技术领域，具体公开了一种电子倍增器打拿极的装配工装，包括调整片，在调整片的表面上布设有多个用于安装打拿极组件的限位凹槽及用于与下基板定位的定位孔；限位凹槽与打拿极组件的形状和位置匹配。还公开了装配方法，安装时将调整片对准下基板放置好，将打拿极组件对准限位凹槽放入，就可以将打拿极组件插入下基板中，本发明结构简单，可以辅助电子倍增器打拿极装配，加快组装速度、提高各组件的对位精度，缩短打拿极上二次电子发射薄膜暴露大气时间，减轻打拿极二次电子发射体在组装时受到的污染，从而降低装配过程大气环境对电子倍增器性能的影响。
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公开(公告)号：CN100561639C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810018280.3
申请日：2008-05-23
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 本发明公开了一种冷阴极平面光源的制造方法，在配置有电极、介质层和荧光粉层的前、后基板的周边涂覆封接材料，前、后基板间未被密封，用夹具将它们精确对位，并放入一个密闭腔体内，对腔体内部加热、排气，当真空度达到10-4-10-5Pa时停止排气，将放电气体充入腔体内，充气压强选择为80T/Tr至101.3T/Tr千帕，T为充气时基板温度，Tr为室温，封接材料在高温下熔化，之后腔体开始降温，则封接材料逐渐固化，将前、后基板完全密封，当降至室温时，将制成的冷阴极平面光源从腔体中取出，光源内部压强为0.8至1个大气压。采用此制造方法，可简化冷阴极平面光源的制造工艺，降低制造成本，并减小平面光源的厚度。
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公开(公告)号：CN1420394A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02139479.2
申请日：2002-10-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种控制介质阻挡放电照相技术中放电颜色的控制方法，即控制被照样品与感光介质之间距离，调节脉冲输出幅度和曝光时间，采用控制脉冲放电的脉冲宽度控制放电颜色的变化，利用这种原理，成功地对金属硬币、非金属植物叶片、人体指纹的图象进行了提取和颜色的控制。本发明提出的方法简单实用，为介质阻挡放电照相技术的彩色化，提供了一条重要的技术途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1397978A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02139315.X
申请日：2002-07-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01J17/49
Abstract: 本发明公开了一种高亮度交流等离子体显示屏，包括前玻璃板和后玻璃板。前玻璃板由玻璃板、两组维持放电电极、介质层和介质保护层构成。后玻璃板由玻璃板、寻址电极、障壁、荧光粉层以及障壁之间的放电触发体构成。将前玻璃板与后玻璃板封接在一起，经排气、充入惰性混合放电气体，最后封离，即形成等离子体显示屏。在寻址期间利用放电触发体触发寻址放电，降低寻址电压，或者增加放电单元的放电空间高度和荧光粉涂敷面积，从而提高发光效率和发光亮度。
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公开(公告)号：CN111785607B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202010664702.5
申请日：2020-07-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于真空电子技术领域，具体公开了一种双栅网打拿极，包括基架盒体、双栅网及弧形金属片，弧形金属片位于基架盒体内，双栅网与基架盒体连接；双栅网包括第一单栅网和第二单栅网，第一单栅网和第二单栅网垂直设置，第一单栅网包括第一矩形框架和设置在第一矩形框架内的栅网，第二单栅网包括第二矩形框架和设置在第二矩形框架内的栅网，第一矩形框架和第二矩形框架固定连接。本发明还公开了一种基于双栅网打拿极的电子倍增器，包括多级打拿极，某一级打拿极或若干级打拿极采用双栅网打拿极。此双栅网打拿极结构的电子倍增器可以提高电子倍增器增益，改善电子倍增器性能。
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公开(公告)号：CN111785607A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010664702.5
申请日：2020-07-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于真空电子技术领域，具体公开了一种双栅网打拿极，包括基架盒体、双栅网及弧形金属片，弧形金属片位于基架盒体内，双栅网与基架盒体连接；双栅网包括第一单栅网和第二单栅网，第一单栅网和第二单栅网垂直设置，第一单栅网包括第一矩形框架和设置在第一矩形框架内的栅网，第二单栅网包括第二矩形框架和设置在第二矩形框架内的栅网，第一矩形框架和第二矩形框架固定连接。本发明还公开了一种基于双栅网打拿极的电子倍增器，包括多级打拿极，某一级打拿极或若干级打拿极采用双栅网打拿极。此双栅网打拿极结构的电子倍增器可以提高电子倍增器增益，改善电子倍增器性能。
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公开(公告)号：CN109243959B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201811045957.2
申请日：2018-09-07
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电子倍增器的结构及组装方法，通过采用下基板、上基板主板、上基板辅板、打拿极组件和收集极组件组成电子倍增器，在上基板主板上表面设置平面型分压电阻和平面型过渡电极，上基板主板上设有与打拿极组件电连接孔对应的打拿极安装孔，平面型过渡电极与打拿极安装孔电连接导通，平面型分压电阻与平面型过渡电极部分重叠电连接，然后将打拿极组件和收集极组件固定于下基板和上基板主板之间，上基板辅板固定于上基板主板上端，减小了上基板辅板与上基板主板之间的空间，电阻膜层与过渡电极膜层有部分重叠，电连接非常可靠；分压电阻、过渡电极和上基板主板合为一体，无需逐个焊接各分压电阻，结构紧凑，减少了焊接电阻的装配环节。
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公开(公告)号：CN109243959A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811045957.2
申请日：2018-09-07
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电子倍增器的结构及组装方法，通过采用下基板、上基板主板、上基板辅板、打拿极组件和收集极组件组成电子倍增器，在上基板主板上表面设置平面型分压电阻和平面型过渡电极，上基板主板上设有与打拿极组件电连接孔对应的打拿极安装孔，平面型过渡电极与打拿极安装孔电连接导通，平面型分压电阻与平面型过渡电极部分重叠电连接，然后将打拿极组件和收集极组件固定于下基板和上基板主板之间，上基板辅板固定于上基板主板上端，减小了上基板辅板与上基板主板之间的空间，电阻膜层与过渡电极膜层有部分重叠，电连接非常可靠；分压电阻、过渡电极和上基板主板合为一体，无需逐个焊接各分压电阻，结构紧凑，减少了焊接电阻的装配环节。
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