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公开(公告)号：CN113380738A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110514315.8
申请日：2021-05-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/488 , H05K1/02
Abstract: 本发明公开了一种直接集成相变散热的碳化硅功率模块封装结构，包括上桥臂、下桥臂、底部基板、外壳、功率基板、驱动PCB板系统及相变散热装置，其中，外壳扣合并固定于底部基板上，功率基板固定于底部基板上，相变散热装置固定于功率基板上，上桥臂、下桥臂及驱动PCB板系统均固定于相变散热装置上，该结构能够大幅度降低芯片的结温以及结温波动。
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公开(公告)号：CN118712148A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410762800.0
申请日：2024-06-13
IPC: H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种芯片上表面互连增强散热的单面碳化硅功率模块，包括高导热绝缘基板，碳化硅芯片的上表面通过高导热绝缘基板完成电气连接，在降低了电气寄生参数的同时，为单面散热的碳化硅功率模块提供了一条额外的散热路径，将芯片所产生的热量扩散至更大的面积，增大了向底板传递热量的有效面积，大幅提高碳化硅功率半导体芯片的散热能力，有效降低碳化硅芯片的最高温度与温度波动。
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公开(公告)号：CN113380738B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110514315.8
申请日：2021-05-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/488 , H05K1/02
Abstract: 本发明公开了一种直接集成相变散热的碳化硅功率模块封装结构，包括上桥臂、下桥臂、底部基板、外壳、功率基板、驱动PCB板系统及相变散热装置，其中，外壳扣合并固定于底部基板上，功率基板固定于底部基板上，相变散热装置固定于功率基板上，上桥臂、下桥臂及驱动PCB板系统均固定于相变散热装置上，该结构能够大幅度降低芯片的结温以及结温波动。
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公开(公告)号：CN115441770A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211058263.9
申请日：2022-08-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02N11/00 , G01R31/26 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种基于废热利用的功率半导体模块在线监测装置，导热铜基板的两端分别开设有第一凹槽及第二凹槽，其中，第一凹槽内设置有第一废热回收装置，第二凹槽内设置有第二废热回收装置，第一废热回收装置包括自上到下依次分布的第一热面陶瓷基板、第一环氧树脂封装的温差发电半导体及第一冷面陶瓷基板；第二废热回收装置包括自上到下依次分布的第二热面陶瓷基板、第二环氧树脂封装的温差发电半导体及第二冷面陶瓷基板组成；第一环氧树脂封装的温差发电半导体及第二环氧树脂封装的温差发电半导体通过导线与PCB板中的调理电路相连接，该装置具有成本低且断电时能够记录瞬间信息的特点。
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公开(公告)号：CN115346957A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211003521.3
申请日：2022-08-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/538 , H01L23/373 , H01L23/49
Abstract: 本发明公开了一种基于平面互连的宽禁带半导体模块封装结构，在同组并联的宽禁带半导体芯片之间以平面互连的结构方式进行电气连接并最终与功率衬底底部金属层相连，无需使用键合线，既减小了电感，又通过互连的方式极大均衡了芯片到端子的寄生电感，大幅提高模块的均流能力；另外，功率衬底的金属层、功率端子驱动端子以及平面互连结构表面均镀银，可以有效提高模块内金属在高温下的抗氧化能力，同时表面镀银的方式更容易使用纳米银烧结技术，进一步提高模块的耐高温能力；具有耐高温、低寄生电感以及低寄生电感不平衡度的特点，特别适用于半桥结构的多芯片电流的均流、高开关频率以及高工作温度。
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公开(公告)号：CN1946178A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610104776.3
申请日：2006-10-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H04N7/26
Abstract: 本发明提供了一种用于运动估计的VLSI装置及支持多尺寸搜索窗口和可变尺寸块的运动估计方法，可支持率失真代价的准则，降低运动估计的计算强度，减少硬件功耗和计算时间，并可以执行H.264/AVC标准和其它多种数字视频编码标准。本发明装置的工作模式为4种基本工作模式中的一种，将搜索窗口数据划分为2至5个窗口存入相应的2至5个搜索窗数据缓存中；总控制器根据不同基本工作模式将整个运动估计分成1至32个子过程，进行SAD的计算，由并行比较器分别将子块的SAD转变为率失真代价；每执行完一个子过程后，由串行比较器比较传入的局部最小值和内部的全局最小值，所有的子过程执行完毕后，由串行比较器输出运动估计的结果。
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公开(公告)号：CN119833507A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411973242.9
申请日：2024-12-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种低电感碳化硅功率模块与换流回路结构，包括大面积的电流规划互连结构与极短路径的端子直连电容结构，通过大面积的电流规划互连结构与陶瓷基板的导电线路之间的互感大幅降低碳化硅功率模块内部的寄生电感，同时利用端子直连电容结构，缩短了从功率模块内部端子引出位置到达外部电容的路径长度，降低了碳化硅功率模块外部连接电路的寄生电感，从而降低了整个换流回路的寄生电感，抑制了开关电压过冲与震荡，降低了工作损耗。
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公开(公告)号：CN119125847A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411353005.2
申请日：2024-09-26
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅器件动态特性测试系统及方法，属于碳化硅功率器件测试技术领域，PC端的输出端与控制板的输入端相连接，控制板的输出端与第一驱动板的输入端及第二驱动板的输入端相连接，第一驱动板的输出端与测试板中辅助开关管的控制端相连接，第二驱动板的输出端与测试板中被测碳化硅芯片的控制端相连接，示波器的输入端与测试板中被测碳化硅芯片的栅极、源极、漏极以及续流二极管相连接，示波器的输出端与PC端的输入端相连接，直流电源与控制板相连接，高压电源与测试板相连接，该系统及方法能够测量大功率碳化硅芯片的饱和区特性。
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公开(公告)号：CN118889873A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410953174.3
申请日：2024-07-16
IPC: H02M7/00 , H05K7/20 , H02M7/5387 , H02M1/00
Abstract: 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，具体为一种基于碳化硅双面子模块并联的大容量电力电子模块，包括适用于多模块并联的双面碳化硅功率半桥模块、双面散热器、薄膜解耦电容、交流端汇流排、并联模块驱动PCB板、直流侧母排、母线支撑薄膜电容。功率模块属于多模块并联的半桥结构，每个功率子模块与双面散热器紧密结合，通过直流侧母排与交流段汇流排实现并联。本发明通过优化母排并联支路端子寄生参数，集成双面散热器，使用集成栅源电压稳定电路的单驱动板，保证了该大容量电力电子模块各并联双面碳化硅功率模块间电流均衡的同时还具备良好的散热性能和较高功率密度，适用于电动汽车应用领域中大容量电流的应用场合。
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公开(公告)号：CN118888523A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410953188.5
申请日：2024-07-16
IPC: H01L23/367 , H01L23/488 , H01L25/16 , H02M1/00
Abstract: 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，具体为一种适用于多模块并联的碳化硅双面功率模块设计，功率模块为半桥结构，上半桥臂与下半桥臂均设置有两个并联且布局完全对称的碳化硅功率芯片，模块正负极连接节点、交流中间节点均通过功率端子进行引出，上下半桥驱动连接点也通过驱动端子进行引出，并设有集成驱动电阻；上桥臂DBC基板和下桥臂DBC基板通过金属柱实现硬件和电气连接。本发明实现了两芯片并联完全对称的布局设计，对功率端子布局和驱动部分分别进行了优化，可以做到内部并联芯片电流均衡；采用先进双面模块封装工艺，具有较高的功率密度和散热性能，并利于扩展为多模块并联，以适应在电动汽车应用领域中更大电流的场合。
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