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公开(公告)号：CN118965896A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411086779.3
申请日：2024-08-08
IPC分类号： G06F30/23 , G06F119/08 , G06F119/04
摘要： 本发明公开了一种基于功率器件表面温度检测焊层老化形貌的方法及系统，建立未老化功率器件的有限元仿真模型，获取功率器件未老化时表面温度及热流密度的变化规律；建立老化后功率器件的有限元仿真模型，获取功率器件老化后的表面温度及热流密度的变化规律；获取老化后具有任意形貌的功率器件芯片表面温度，利用以上获取的表面温度及热流密度与老化形貌之间关系的规律，根据此表面温度判断出焊层的老化形貌。本发明可以通过观测芯片表面的热流密度分布来检测出焊层空洞的边界，从而确定焊层的形貌。
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公开(公告)号：CN118889873A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410953174.3
申请日：2024-07-16
IPC分类号： H02M7/00 , H05K7/20 , H02M7/5387 , H02M1/00
摘要： 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，具体为一种基于碳化硅双面子模块并联的大容量电力电子模块，包括适用于多模块并联的双面碳化硅功率半桥模块、双面散热器、薄膜解耦电容、交流端汇流排、并联模块驱动PCB板、直流侧母排、母线支撑薄膜电容。功率模块属于多模块并联的半桥结构，每个功率子模块与双面散热器紧密结合，通过直流侧母排与交流段汇流排实现并联。本发明通过优化母排并联支路端子寄生参数，集成双面散热器，使用集成栅源电压稳定电路的单驱动板，保证了该大容量电力电子模块各并联双面碳化硅功率模块间电流均衡的同时还具备良好的散热性能和较高功率密度，适用于电动汽车应用领域中大容量电流的应用场合。
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公开(公告)号：CN118888523A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410953188.5
申请日：2024-07-16
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/488 , H01L25/16 , H02M1/00
摘要： 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，具体为一种适用于多模块并联的碳化硅双面功率模块设计，功率模块为半桥结构，上半桥臂与下半桥臂均设置有两个并联且布局完全对称的碳化硅功率芯片，模块正负极连接节点、交流中间节点均通过功率端子进行引出，上下半桥驱动连接点也通过驱动端子进行引出，并设有集成驱动电阻；上桥臂DBC基板和下桥臂DBC基板通过金属柱实现硬件和电气连接。本发明实现了两芯片并联完全对称的布局设计，对功率端子布局和驱动部分分别进行了优化，可以做到内部并联芯片电流均衡；采用先进双面模块封装工艺，具有较高的功率密度和散热性能，并利于扩展为多模块并联，以适应在电动汽车应用领域中更大电流的场合。
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公开(公告)号：CN116314170A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310074662.2
申请日：2023-01-28
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/498 , H01L23/367
摘要： 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种低寄生电感高散热性能的SiC双面冷却模块，包括金属基板、功率端子正极、功率端子负极、交流端子、上半桥碳化硅MOS芯片、下半桥碳化硅MOS芯片、底层芯片、作为交流端子引出层的顶层DBC基板、作为负极端子引出层的中间层DBC基板、作为正极端子引出层的底层DBC基板和功率回路金属柱；上半桥碳化硅MOS芯片通过功率回路金属柱与顶层DBC基板的铜层连接；下半桥碳化硅MOS芯片通过功率回路金属柱与底层DBC基板的铜层连接。本发明采用多层堆叠双面结构，使得换流路径为垂直换流结构，不仅减小了换流回路面积，而且通过各层相反的电流流向产生了不错的负互感抵消，优化模块换流路径。
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公开(公告)号：CN118837704A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410945233.2
申请日：2024-07-15
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件键合线失效的在线监测装置及方法，包括电流传感器、磁场测量模块及键合线状态判断模块；所述电流传感器用于监测流通功率半导体器件或键合线的电流；所述磁场测量模块包括磁场传感器、仪表放大器、温度传感器及微控制器；所述磁场传感器用于测量电流流经键合线时产生的磁场，所述仪表放大器用于放大磁场传感器的输出信号，所述温度传感器用于测量键合线附近的温度，所述微控制器用于接收温度传感器所测量的温度数据，并根据温度数据调整仪表放大器的放大系数，以对磁场传感器进行温度补偿；所述键合线状态判断模块通过比较所述电流传感器所测得的电流和所述磁场测量模块所测得的磁场，判断键合线失效情况。
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公开(公告)号：CN118611429A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410655596.2
申请日：2024-05-24
摘要： 本发明公开了一种多芯片并联环流震荡分析方法及系统，首先，定义了广义二端口及其级联网络。其次，将多芯片并联结构的小信号电路转化为一个广义二端口的级联网络，即可利用级联网络结构的递推矩阵推导得到多芯片并联等效电路的传递函数矩阵。求解传递函数矩阵的特征方程，即可得到多芯片并联网络中的全部极点。通过极点分布便可完成多芯片环流震荡的特性分析。该方法不受并联芯片数量、并联结构的限制，具有极高的可扩展性，为多芯片并联问题的理论研究提供了新的思路。因此，该方法实现了对多芯片并联环流震荡现象的准确描述，能够解决现有技术中无法表征并联支路间的电流耦合现象，用于分析多芯片并联环流震荡现象会具有较大误差的问题。
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公开(公告)号：CN118777668A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411153365.8
申请日：2024-08-21
摘要： 本发明涉及封装测试技术领域，具体为一种高压碳化硅MOSFET的漏电流检测电路及方法，该电路包括HTRB测试主电路、采样电路，测试所用的加热台和待测高压碳化硅MOSFET均与主电路连接，采样电路包括采样电阻、仪用放大器、ADC转换器和DSP处理器，待测高压碳化硅MOSFET的栅极接在采样电阻与HTRB测试主电路之间，采样电阻的一端与HTRB测试主电路的负极连接，采样电阻与仪用放大器的输入端连接，仪用放大器的输出端与ADC转换器的输入端连接，ADC转换器的输出端与DSP处理器的输入端连接，本发明设计合理、全面，能够准确评估MOSFET在极端条件下的漏电流性能，通过进一步优化电路设计和检测方法，可以进一步提高测试的准确性和可靠性，为MOSFET的可靠性评估和筛选提供有力支持。
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公开(公告)号：CN118712148A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410762800.0
申请日：2024-06-13
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种芯片上表面互连增强散热的单面碳化硅功率模块，包括高导热绝缘基板，碳化硅芯片的上表面通过高导热绝缘基板完成电气连接，在降低了电气寄生参数的同时，为单面散热的碳化硅功率模块提供了一条额外的散热路径，将芯片所产生的热量扩散至更大的面积，增大了向底板传递热量的有效面积，大幅提高碳化硅功率半导体芯片的散热能力，有效降低碳化硅芯片的最高温度与温度波动。
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公开(公告)号：CN118899287A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411072927.6
申请日：2024-08-06
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/49 , H01L23/488 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L21/50
摘要： 本发明公开了一种基于柔性互连的高压功率器件结构及制备方法和电力设备，属于电力半导体封装技术领域。本发明提供的基于柔性互连的高压功率器件互连结构为双面封装结构，通过融合中部形变段和两端固定段的导电弹片，克服了现有技术中双面互连封装因刚性构造固有的局限性，将传统技术中刚性的多芯片互连结构转化为柔性结构，实现固定铜板和活动铜板的柔性连接；基于柔性连接，通过导电弹片对由于芯片、焊层、金属垫块等加工公差导致的高度差异变化，加以补偿，避免了多芯片互连时，上表面高度差对于焊接质量的影响；同时，通过基于柔性互连的高压功率器件结构设计，提升高压功率器件的通流能力、可靠性及对抗热应力老化的能力。
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公开(公告)号：CN118398357B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410866128.X
申请日：2024-07-01
申请人： 西安交通大学 , 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
IPC分类号： H01F27/30 , H01F19/04 , H01F27/08 , H01F27/26 , H01F27/28 , H01F27/32 , H01F27/34 , H01F41/00 , H01F41/02 , H01F41/04 , H01F41/06
摘要： 本发明公开了一种基于非切割型纳米晶的高频变压器及设计方法，属于变压器制造技术领域。本发明的第一内层骨架和第二内层骨架通过第一插接组件连接构成内层骨架，原边绕组绕设在内层骨架上；第一外层骨架和第二外层骨架通过第二插接组件连接构成外层骨架，副边绕组绕设在外层骨架上；第一内层骨架与第一外层骨架以及第二内层骨架和第二外层骨架之间也采用插接组件连接；磁芯为两组对称安装在骨架上的非切割纳米晶磁芯，本发明针对基于非切割型纳米晶磁芯，考虑磁芯、骨架以及绕组之间的配合，巧妙灵活地设计内外层骨架，通过骨架上的插接组件实现骨架可拆卸功能的同时保证了变压器整体的机械强度和绝缘强度和散热能力，并尽可能减小体积。
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