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公开(公告)号：CN118965896A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411086779.3
申请日：2024-08-08
IPC分类号： G06F30/23 , G06F119/08 , G06F119/04
摘要： 本发明公开了一种基于功率器件表面温度检测焊层老化形貌的方法及系统，建立未老化功率器件的有限元仿真模型，获取功率器件未老化时表面温度及热流密度的变化规律；建立老化后功率器件的有限元仿真模型，获取功率器件老化后的表面温度及热流密度的变化规律；获取老化后具有任意形貌的功率器件芯片表面温度，利用以上获取的表面温度及热流密度与老化形貌之间关系的规律，根据此表面温度判断出焊层的老化形貌。本发明可以通过观测芯片表面的热流密度分布来检测出焊层空洞的边界，从而确定焊层的形貌。
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公开(公告)号：CN118889873A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410953174.3
申请日：2024-07-16
IPC分类号： H02M7/00 , H05K7/20 , H02M7/5387 , H02M1/00
摘要： 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，具体为一种基于碳化硅双面子模块并联的大容量电力电子模块，包括适用于多模块并联的双面碳化硅功率半桥模块、双面散热器、薄膜解耦电容、交流端汇流排、并联模块驱动PCB板、直流侧母排、母线支撑薄膜电容。功率模块属于多模块并联的半桥结构，每个功率子模块与双面散热器紧密结合，通过直流侧母排与交流段汇流排实现并联。本发明通过优化母排并联支路端子寄生参数，集成双面散热器，使用集成栅源电压稳定电路的单驱动板，保证了该大容量电力电子模块各并联双面碳化硅功率模块间电流均衡的同时还具备良好的散热性能和较高功率密度，适用于电动汽车应用领域中大容量电流的应用场合。
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公开(公告)号：CN118888523A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410953188.5
申请日：2024-07-16
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/488 , H01L25/16 , H02M1/00
摘要： 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，具体为一种适用于多模块并联的碳化硅双面功率模块设计，功率模块为半桥结构，上半桥臂与下半桥臂均设置有两个并联且布局完全对称的碳化硅功率芯片，模块正负极连接节点、交流中间节点均通过功率端子进行引出，上下半桥驱动连接点也通过驱动端子进行引出，并设有集成驱动电阻；上桥臂DBC基板和下桥臂DBC基板通过金属柱实现硬件和电气连接。本发明实现了两芯片并联完全对称的布局设计，对功率端子布局和驱动部分分别进行了优化，可以做到内部并联芯片电流均衡；采用先进双面模块封装工艺，具有较高的功率密度和散热性能，并利于扩展为多模块并联，以适应在电动汽车应用领域中更大电流的场合。
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公开(公告)号：CN117647714A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311675504.9
申请日：2023-12-08
摘要： 本发明涉及一种实验室用柱网式绝缘子制样模具及使用方法，所述模具包括高压圆柱电极、所述高压圆柱电极上方设置的第一连接件以及所述高压圆柱电极下方设置的第二连接件。所述高压圆柱电极外包裹有接地网电极，所述接地网电极的中心轴线与高压圆柱电极的中心轴线相重合。所述接地网电极长度方向中心点垂直于高压圆柱电极的方向设置有接地引线。与现有技术相比，本发明满足实验室对绝缘子的性能测试和验证需求，解决了现有技术中制作难度大、成本高等问题，提高了制作绝缘子的效率并降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN112630643B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202011467570.3
申请日：2020-12-14
申请人： 国网经济技术研究院有限公司 , 国网上海市电力公司 , 西安交通大学
IPC分类号： G01R31/327
摘要： 本发明公开了换流变有载调压开关顶盖状态监测装置及方法，包括设置在换流变的调压开关上的金属顶盖，金属顶盖上设置有振动启动单元和应变监测单元，振动启动单元包括高频加速度传感器，应变监测单元包括应变传感器，应变监测单元还连接有告警单元。本发明的监测装置独立于电力网络，测量和信号传输所受干扰较小，亦不向电力系统注入谐波。本发明具有构成简单、易于实现、可靠高效等优点。本发明的应用对于换流变运行人员实时、准确、可靠获取调压开关油室振动加速度、顶盖形变数据，评估换流变安全运行状态具有重要的工程实用意义。
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公开(公告)号：CN114878646B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210493599.1
申请日：2022-05-07
申请人： 西安交通大学 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本发明公开了一种环氧材料的介电松弛分析方法，在DSC实验基础上对高温介电谱实验数据进行拟合计算，用松弛过程δ、松弛过程α和电导损耗拟合出复介电常数，得到表征偶极极化松弛强度的参数Δεα，进而拟合出与极性材料的偶极向量有关的物理量A；电介质介电损耗峰的频率与温度存在联系，通过用Arrhenius公式或Vogel‑Fulcher‑Tammann(VFT)公式对损耗峰频率与温度关系的拟合计算，可得到Tg、分子活化能等用以表征分子链松弛特性的理化参数。
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公开(公告)号：CN118712148A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410762800.0
申请日：2024-06-13
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种芯片上表面互连增强散热的单面碳化硅功率模块，包括高导热绝缘基板，碳化硅芯片的上表面通过高导热绝缘基板完成电气连接，在降低了电气寄生参数的同时，为单面散热的碳化硅功率模块提供了一条额外的散热路径，将芯片所产生的热量扩散至更大的面积，增大了向底板传递热量的有效面积，大幅提高碳化硅功率半导体芯片的散热能力，有效降低碳化硅芯片的最高温度与温度波动。
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公开(公告)号：CN114878646A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210493599.1
申请日：2022-05-07
申请人： 西安交通大学 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本发明公开了一种环氧材料的介电松弛分析方法，在DSC实验基础上对高温介电谱实验数据进行拟合计算，用松弛过程δ、松弛过程α和电导损耗拟合出复介电常数，得到表征偶极极化松弛强度的参数Δεα，进而拟合出与极性材料的偶极向量有关的物理量A；电介质介电损耗峰的频率与温度存在联系，通过用Arrhenius公式或Vogel‑Fulcher‑Tammann(VFT)公式对损耗峰频率与温度关系的拟合计算，可得到Tg、分子活化能等用以表征分子链松弛特性的理化参数。
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公开(公告)号：CN105738779A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610051713.X
申请日：2016-01-26
申请人： 国网上海市电力公司 , 华东电力试验研究院有限公司 , 西安交通大学
CPC分类号： G01R31/1209 , G01R31/1218 , G06T3/4038 , G06T5/50
摘要： 本发明涉及一种基于多源图像融合的局部放电检测方法，包括以下步骤：S100、利用超声传感器阵列、摄像头、红外热像仪、紫外成像仪分别同步采集被测设备的超声波信号、可见光图像、红外图像和紫外图像；S200、基于所采集的超声波信号和可见光图像获得超声可见光图像：S300、利用图像融合算法将所述超声可见光图像、红外图像、紫外图像融合后作为局部放电检测结果，并显示。与现有技术相比，本发明具有提高检测精度、可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN116314170A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310074662.2
申请日：2023-01-28
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/498 , H01L23/367
摘要： 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种低寄生电感高散热性能的SiC双面冷却模块，包括金属基板、功率端子正极、功率端子负极、交流端子、上半桥碳化硅MOS芯片、下半桥碳化硅MOS芯片、底层芯片、作为交流端子引出层的顶层DBC基板、作为负极端子引出层的中间层DBC基板、作为正极端子引出层的底层DBC基板和功率回路金属柱；上半桥碳化硅MOS芯片通过功率回路金属柱与顶层DBC基板的铜层连接；下半桥碳化硅MOS芯片通过功率回路金属柱与底层DBC基板的铜层连接。本发明采用多层堆叠双面结构，使得换流路径为垂直换流结构，不仅减小了换流回路面积，而且通过各层相反的电流流向产生了不错的负互感抵消，优化模块换流路径。
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