一种钼合金事故容错燃料棒的焊接封装方法

    公开(公告)号:CN111451633B

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202010272932.7

    申请日:2020-04-09

    Abstract: 本发明公开一种钼合金事故容错燃料棒的焊接封装方法,整个焊接封装过程包括在负压惰性气体气氛环境下进行的激光熔焊和在高压气体气氛环境下进行的无顶锻旋转摩擦焊。本发明通过在包壳管与实心下端塞、包壳管与空心上端塞的装配界面处添加金属层,并在负压惰性气体气氛环境下进行激光焊接的形式,提高了钼合金燃料棒的环缝焊接强度、韧性,并且能够有效避免气孔缺陷。由于空心上端塞的封堵焊接需要在2‑3MPa的高压下进行,通过采用无顶锻旋转摩擦焊的方式,将空心上端塞和棒状封料进行焊接,保证了焊接接头的焊缝质量、焊接强度,以及避免采用传统的旋转摩擦焊时会施加具有冲击性的顶锻力,从而将很薄的钼合金包壳管挤溃的现象。

    一种用于研究高压环境激光焊接的无增压泵焊接实验装置

    公开(公告)号:CN110530802A

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201910711886.3

    申请日:2019-08-02

    Abstract: 本发明公开了一种用于研究高压环境激光焊接的无增压泵焊接实验装置,试样固定于杠杆的一端,压电传感器与杠杆的另一端相接触,高压腔室的顶部设置有激光透射窗口,高压腔室的侧面设置有第一观察窗口及第二观察窗口,其中,高速摄影相机正对所述第一观察窗口,光谱仪正对第二观察窗口,压电传感器的输出端经电荷放大器与示波器相连接;透光石英玻璃片位于试样的上方,激光焊接头发出的激光穿过激光透射窗口及透光石英玻璃片照射到试样上;氩气瓶的出口经减压阀与高压腔室相连通,该装置能够研究不同环境压力下的激光焊接熔池行为、熔池动力学行为与环境压力的关联关系,且无需增压泵。

    一种应变垂直MOS器件的制造方法

    公开(公告)号:CN103887178A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201410119735.6

    申请日:2014-03-27

    CPC classification number: H01L29/66666 B82Y40/00 H01L29/0676 H01L29/7843

    Abstract: 一种应变垂直MOS器件的制造方法,在衬底上完成图形转移,再形成金属掩膜,通过进行刻蚀形成硅柱,减小硅柱直径,制备硅纳米线,并生长栅氧化层;淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子,形成环状栅极;在栅极外淀积应力氮化硅薄膜,形成应力衬垫层;进行离子注入,形成漏端n-掺杂区;对衬底的外围环状区域进行离子注入,形成漏端n+掺杂区;对硅纳米线上部进行P+离子注入,形成Halo掺杂结构,进行n型离子注入形成源端;淀积金属和合金。本发明提高纳米结点集成电路中器件的栅控能力,抑制短沟道效应和热载流子效应,提高载流子迁移率,增强电流驱动能力,在不降低器件性能的前提下缩小器件尺寸,以实现器件微型化的要求。

    基于超声波驻场防止熔池下塌的发卡式接头焊缝控形系统

    公开(公告)号:CN110814519B

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN201910995351.3

    申请日:2019-10-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于超声波驻场防止熔池下塌的发卡式接头焊缝控形系统,包括基座、超声电源、换能器、变幅杆、发卡式接头、反射板及激光器,其中,超声电源与换能器相连接,变幅杆固定于换能器上,变幅杆的轴线垂直于反射板,发卡式接头固定于基座上,激光器正对所述发卡式接头,发卡式接头的轴线与变幅杆轴线的延长线相交且相垂直;换能器发出的超声波经变幅杆变幅后在变幅杆与反射板之间形成超声驻波场,激光器发出的激光在发卡式接头的顶部形成焊接熔池,发卡式接头在超声驻波场的波节位置处实现焊接熔池的双向压缩,以避免发卡式接头存在熔池下塌的问题,该系统能够有效的解决发卡式接头焊接过程中存在的熔池下塌问题。

    一种快速可控低成本制备大面积SiC纳米柱阵列的方法

    公开(公告)号:CN112216600A

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN202011091501.7

    申请日:2020-10-13

    Abstract: 本发明公开了一种快速可控低成本制备大面积SiC纳米柱阵列的方法。该方法通过采用光刻、干法刻蚀、高温热氧化与湿法腐蚀工艺相结合的方法实现SiC纳米柱阵列的制备,具体包括SiC片的一次标准清洗、刻蚀图形掩膜光刻、SiC微米柱阵列刻蚀、SiC片二次标准清洗、SiC微米柱阵列表面高温氧化及湿法腐蚀去除SiO2层得到纳米柱阵列。其优点在于制备工艺简单快捷、成本低、可实现SiC纳米柱阵列大面积制备。本发明所提供SiC纳米柱的制备方法具有较强的创新性,且具有广阔的应用前景。

    一种钼滤网叠层结构的孔眼嵌填钛粉电阻焊方法

    公开(公告)号:CN110125526B

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201910342167.9

    申请日:2019-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种钼滤网叠层结构的孔眼嵌填钛粉电阻焊方法,包括以下步骤:1)对待焊接多层钼滤网进行清洗;2)将待焊接多层钼滤网放置到散热板的底板上,并将Ti粉铺放在待焊接多层钼滤网的待焊接区域处;3)将散热板的盖板叠放到待焊接多层钼滤网上;4)向待焊接区域吹氩气,并将焊接电极接通焊接电流,使得Ti粉产生电阻热,并在电阻热及焊接电极顶锻压力的复合作用下实现Ti粉之间的冶金结合以及Ti粉与钼滤网中金属丝之间的冶金结合,以实现待焊接多层钼滤网之间的搭接连接,得试样;5)去除试样上焊接区域中未融合的Ti粉,该方法能够实现钼滤网的搭接焊接,并且搭接强度高。

    一种压阻式柔性三维力传感器阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN111537115A

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN202010345205.9

    申请日:2020-04-27

    Abstract: 本发明公开了一种压阻式柔性三维力传感器阵列及其制备方法,压力敏感层设置于柔性电极层上表面,力分解与封装层设置于压力敏感层上表面;力分解与封装层上表面具有呈阵列分布的凸起状结构;压力敏感层包括压力敏感单元和柔性绝缘填充物,压力敏感层在每个凸起状结构受力后的应力敏感部位下方的对应位置设有N(N≥3)个压力敏感单元,压力敏感单元设置于柔性电极层上表面,柔性绝缘填充物填充于力分解与封装层与柔性电极层之间;柔性电极层包括柔性基底和设置于柔性基底上的电极,每个压力敏感单元与柔性基底之间均设有一对电极,电极上连接有电极引出线。本发明能够进一步提高传感器的柔性且能够减小各压力敏感单元之间的串扰。

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