公开(公告)号：CN114899310A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210505146.6

申请日：2022-05-10

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 蔡亚辉 ,  贺永宁 ,  赵小龙 ,  王博博 ,  刘毓萱

IPC: H01L43/14 ,  H01L43/06 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯三维霍尔磁传感器的制备方法。该方法通过原子层沉积、光刻、电子束蒸镀、等离子体刻蚀、高温退火与湿法腐蚀工艺相结合的方法实现石墨烯三维霍尔磁传感器的制备。其优点在于通过退火处理和ALD生长Al2O3保护层使得石墨烯材料保持高迁移率和低载流子浓度的状态，获得高灵敏度的磁传感性能，其电流霍尔灵敏度可达2000V/(A·T)；同时引入聚磁结构的设计，使面内磁场转化成垂直磁场，并增强磁场强度，进一步提升磁场探测灵敏度，其电流霍尔灵敏度可达5000V/(A·T)；通过四个霍尔传感单元的组合设计探测和后处理计算实现三维磁场探测。本发明基于石墨烯材料的高灵敏度三维磁传感传感器的制备具有极大的实际意义、研究价值和应用潜力。

公开(公告)号：CN114899310B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202210505146.6

申请日：2022-05-10

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 蔡亚辉 ,  贺永宁 ,  赵小龙 ,  王博博 ,  刘毓萱

IPC: H10N52/01 ,  H10N52/85

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯三维霍尔磁传感器的制备方法。该方法通过原子层沉积、光刻、电子束蒸镀、等离子体刻蚀、高温退火与湿法腐蚀工艺相结合的方法实现石墨烯三维霍尔磁传感器的制备。其优点在于通过退火处理和ALD生长Al2O3保护层使得石墨烯材料保持高迁移率和低载流子浓度的状态，获得高灵敏度的磁传感性能，其电流霍尔灵敏度可达2000V/(A·T)；同时引入聚磁结构的设计，使面内磁场转化成垂直磁场，并增强磁场强度，进一步提升磁场探测灵敏度，其电流霍尔灵敏度可达5000V/(A·T)；通过四个霍尔传感单元的组合设计探测和后处理计算实现三维磁场探测。本发明基于石墨烯材料的高灵敏度三维磁传感传感器的制备具有极大的实际意义、研究价值和应用潜力。

公开(公告)号：CN116798845A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310485393.9

申请日：2023-04-28

Applicant: 西安交通大学 ,  西安中科原子精密制造科技有限公司

Inventor： 王丹 ,  孟祥琛 ,  贺永宁 ,  蔡亚辉 ,  朱香平

IPC: H01J43/28 ,  H01P1/202

Abstract: 本发明公开了一种抑制微波器件微放电阈值的方法、结构及其测试装置，方法包括通过机加工方式在氧化铝表面上制造微陷阱结构，在加工单元上制造周期性圆孔，得到具备多孔的氧化铝表面结构；采用直流磁控溅射法，在具备多孔的氧化铝表面结构上进行溅射反应，得到镀覆TiN薄膜的多孔氧化铝片。首先在氧化铝表面上制备周期性微陷阱结构，再在制得的多孔氧化铝表面上镀覆一层氮化钛薄膜，结合了微陷阱结构和镀覆薄膜的方法，能够抑制氧化铝表面的二次电子发射，所得到的氧化铝结构能够通用在空间高功率微波器件中的多种应用场景，实现对微放电现象的有效抑制。

公开(公告)号：CN116297610A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310380754.3

申请日：2023-04-10

Applicant: 西安交通大学 ,  电子科技大学

Inventor： 王丹 ,  蔡亚辉 ,  廉卓禧 ,  贺永宁 ,  祁康成

IPC: G01N23/2251

Abstract: 本发明提出了一种测量介质材料二次电子发射系数的方法及系统，方法包括获取一次电子束总电流，经过切割，得到一次电子束电流；获取束切割电流和采样电流，计算一次电子束电流与束切割电流的比值；获取待测介质材料的束切割电流和采样电流，得到待测介质材料在一次电子入射能量下的二次电子发射系数；通过第一中和电子枪和第二中和电子枪中和待测介质材料表面的积累电荷；测量不同一次电子入射能量下的二次电子发射系数，得到二次电子发射系数曲线。利用中和电子枪将待测介质材料表面的积累电荷中和进行清除，解决了以往介质材料测量过程耗时长及无法实现二次电子发射系数小于1的测量问题，实现介质材料二次电子发射系数完整曲线的快速精准测量。

公开(公告)号：CN115902568A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211386742.3

申请日：2022-11-07

Applicant: 西安交通大学 ,  陕西半导体先导技术中心有限公司

Inventor： 贺永宁 ,  付祥和 ,  陶静 ,  蔡亚辉 ,  赵小龙 ,  彭文博 ,  田鸿昌 ,  何晓宁 ,  李阳善

IPC: G01R31/265

Abstract: 本发明公开了一种电子束辐照检测MOSFET栅氧化层可靠性的方法，包括步骤：(1)对MOSFET器件进行初始阈值电压测试；(2)用电子束对上述MOSFET器件进行辐照处理，加速器件老化；(3)以设定的步长逐渐增加辐照剂量，测试并记录不同辐照剂量后器件的阈值电压；(4)对MOSFET器件进行负向高温栅偏加速老化，获得在指定高温栅偏加速应力条件A下器件阈值电压偏移量ΔVth(A)；(5)根据步骤(2)得到阈值电压偏移量为ΔVth(A)所对应的辐照剂量DA；(6)辐照剂量为DA的电子束辐照加速老化可以用于替负向高温栅偏加速应力条件A对器件进行快速的可靠性测试。本发明可以对MOSFET栅氧层可靠性进行快速检测，应用广泛。

公开(公告)号：CN115642101A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211348843.1

申请日：2022-10-31

Applicant: 西安交通大学 ,  陕西半导体先导技术中心有限公司

Inventor： 贺永宁 ,  付祥和 ,  蔡亚辉 ,  赵小龙 ,  彭文博 ,  田鸿昌 ,  何晓宁 ,  朱权喆

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种MOSFET栅氧化层陷阱密度的检测方法，包括：1)对MOSFET器件进行阈值电压和栅氧化层电容测试；2)对上述MOSFET进行电子束辐照处理，在不同的辐照剂量之后，测试器件的阈值电压；3)当器件阈值电压不随辐照剂量增加而变化时，不在进行辐照处理，并记录最终的阈值电压；4)根据电子辐照处理前后MOSFET阈值电压变化量计算得到栅氧化层固定电荷的变化量；5)根据栅氧化层固定电荷的变化量和栅氧化层的面积计算得到栅氧化层陷阱密度。利用本发明，可以快速获取MOSFET栅氧化层陷阱密度，用于分析器件性能和栅氧化层工艺改进，应用广泛。

公开(公告)号：CN112216600A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202011091501.7

申请日：2020-10-13

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 郭书文 ,  赵小龙 ,  贺永宁 ,  杨明超 ,  蔡亚辉 ,  张亮亮

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种快速可控低成本制备大面积SiC纳米柱阵列的方法。该方法通过采用光刻、干法刻蚀、高温热氧化与湿法腐蚀工艺相结合的方法实现SiC纳米柱阵列的制备，具体包括SiC片的一次标准清洗、刻蚀图形掩膜光刻、SiC微米柱阵列刻蚀、SiC片二次标准清洗、SiC微米柱阵列表面高温氧化及湿法腐蚀去除SiO2层得到纳米柱阵列。其优点在于制备工艺简单快捷、成本低、可实现SiC纳米柱阵列大面积制备。本发明所提供SiC纳米柱的制备方法具有较强的创新性，且具有广阔的应用前景。