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公开(公告)号：CN116809103A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310512791.5
申请日：2023-05-09
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供了一种Ti3C2/TiO2光催化剂及其制备方法，涉及光催化技术领域，通过Ti3C2纳米片与TiO2纳米棒之间的密切接触导致光生电子从TiO2纳米棒的导带向Ti3C2纳米片的转移，并且沿纳米棒散布的一些小尺寸纳米片互相连接形成电子通道，将电子转移到掺杂氟的SnO2透明导电玻璃，从而抑制TiO2纳米棒表面电子和空穴的重组，促进TiO2中大部分电荷的分离和转移。在转移到Ti3C2纳米片上后，光诱导电子进一步穿过表面快速传输到掺杂氟的SnO2透明导电玻璃衬底上，将电子传输到外部电路，从而加速电子的传输，提高电子和空穴的分离效率，本发明制备过程简单，制备的光催化剂可见光催化性能优于TiO2，在裂解水制氢方面具有潜在的利用价值。
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公开(公告)号：CN114277346B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111484191.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及光催化材料技术领域，具体涉及一种ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，以V和ZnO作为靶材，控制基底自转，让两个靶材同时进行磁控溅射，退火处理后得到ZVO薄膜层，然后再以ZnO作为靶材，在ZVO薄膜层上磁控溅射一层ZnO薄膜层，退火处理后得到ZVO/ZnO异质结光催化剂。本发明的ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，先由V和ZnO两个靶材同时进行沉积制得ZVO薄膜层，然后由ZnO作为靶材在ZVO薄膜层表面进行沉积制得ZnO薄膜层，通过将掺杂样品与材料自身结合构建复合半导体材料，使得半导体光催化剂在不引入新杂质相的前提下，进一步提升掺杂样品的光催化性能。
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公开(公告)号：CN114277346A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111484191.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及光催化材料技术领域，具体涉及一种ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，以V和ZnO作为靶材，控制基底自转，让两个靶材同时进行磁控溅射，退火处理后得到ZVO薄膜层，然后再以ZnO作为靶材，在ZVO薄膜层上磁控溅射一层ZnO薄膜层，退火处理后得到ZVO/ZnO异质结光催化剂。本发明的ZVO/ZnO异质结光催化剂及其制备方法，先由V和ZnO两个靶材同时进行沉积制得ZVO薄膜层，然后由ZnO作为靶材在ZVO薄膜层表面进行沉积制得ZnO薄膜层，通过将掺杂样品与材料自身结合构建复合半导体材料，使得半导体光催化剂在不引入新杂质相的前提下，进一步提升掺杂样品的光催化性能。
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公开(公告)号：CN111188018A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010153656.2
申请日：2020-03-06
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及磁控溅射技术领域，具体涉及一种第二代高温超导带材金属溅射靶材保护装置及基片薄膜制作方法，所述保护装置包括保护壳体、升降驱动装置和磁控溅射枪，保护壳体内设置有保护腔室，磁控溅射枪设置在保护腔室内，保护壳体的底部设置有闸板阀，所述闸板阀用于封闭保护腔室，所述升降驱动装置设置在保护壳体的顶部，所述磁控溅射枪通过伸缩杆与升降驱动装置连接。本发明通过保护腔室保护安装在磁控溅射枪上的靶材，让靶材处于保护腔室的真空保护状态，在更换基片或基带的过程中避免靶材氧化，减少换取基片样品过程中靶材氧化的相关影响，对促进易氧化靶材的连续制备研究，特别是第二代高温超导带材金属靶的高质量制备研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109837516B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910170533.7
申请日：2019-03-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射制备ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料的方法，在密闭环境中，分别以Fe和ZnO作为靶材，将密闭环境抽真空处理，在密闭环境气压降至2×10‑4Pa时，向密闭环境中通入氩气作为溅射气体；控制密闭环境的气压为0.15Pa～0.2Pa，Fe靶材通过直流溅射源进行溅射，ZnO靶材通过射频溅射源进行溅射，对Fe靶材和ZnO靶材同时进行磁控溅射，溅射完成后，取出产物并放置在马沸炉中高温退火处理，得到ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料。本发明制备得到的材料具有异质结的三维复合纳米结构，有效的提升了反应表面积和复合材料的光电催化性能，能广泛应用于光催化氧化还原领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117299154A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311226525.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化法制备ZnSe/ZnS异质结光催化剂的方法，包括以下步骤：首先，在密闭腔体中采用掠射角沉积技术，制备ZnSe纳米棒。然后，将ZnSe纳米棒样品置于管式炉中进行硫化处理，得到ZnSe/ZnS异质结光催化剂。本发明具有制备周期短、低成本、易操作、环境友好等多个特点，具备大量生产的基础。采用该方法获得的异质结光催化材料不仅大幅提升了比表面积，增加活性位点，同时利用异质结的特性显著地提高材料的光电催化本领。
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公开(公告)号：CN117286460A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311050334.5
申请日：2023-08-21
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供了用于调控飞行器气动阻力的仿生薄膜及其制备方法和应用，涉及气动减阻薄膜的制备技术领域，包括将不锈钢片用无水乙醇超声清洗，然后再在去离子水中超声5分钟，用氮气吹干；将ZrO2晶体倒入铜坩埚，调整夹角以及基底的自旋转速，设置沉积膜厚度与沉积速率；对ZrO2晶体进行预熔，在控制程序中将X轴交流电和Y轴直流电的电流大小设置为预设电流大小；当膜厚达到预设的膜厚时，电子束仪器自动停止运行；取出样品，得到具有仿生微结构的ZrO2三维纳米薄膜。本发明的有益效果为操作简便，制备快速，重复性高，成本低廉，能有效地制备出流体力学性能良好的纳米结构，能有效其改变表面流动特性、提高飞行器速度和效率以及调节气动性能。
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公开(公告)号：CN116500094A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310205322.9
申请日：2023-03-06
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及气敏传感器技术领域，公开了一种基于铯铜碘的H2S气敏传感器及制备方法，包括叉指电极基底和功能层；所述功能层为CsCu2I3钙钛矿材料。本发明能在常温条件下进行工作，采用的CsCu2I3钙钛矿材料相比与其他卤化物钙钛矿，如铅基钙钛矿，有机钙钛矿等，具有稳定、无毒的优势，在多次使用响应后能快速恢复，并且CsCu2I3钙钛矿材料还没有在这领域进行相关的应用。
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公开(公告)号：CN112962076B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110153748.5
申请日：2021-02-04
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及高温超导材料技术领域，具体涉及一种二代高温超导带材金属前驱膜的制备方法，采用磁控溅射方法制备金属前驱膜，在进行磁控溅射过程中，使用叠成靶作为溅射靶材，叠成靶包括自上而下依次叠加设置的钡靶层、稀土元素靶层和铜靶层。本发明采用的叠成靶由稀土元素(Re，可以是Y，Gd，Sm，Dy)、钡(Ba)和铜(Cu)三种不同金属、不同形状的靶材叠加而成，不需要对易氧化难加工的钡进行精加工，直接将靶材叠通过直流磁控溅射方式就能够制备得到用于制备二代高温超导带材的金属前驱膜，制备成本低，制备薄膜效率高，相比于其他方法制备YBCO薄膜具有更高的性价比，对促进二代高温超导带材的发展和研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN112962076A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110153748.5
申请日：2021-02-04
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及高温超导材料技术领域，具体涉及一种二代高温超导带材金属前驱膜的制备方法，采用磁控溅射方法制备金属前驱膜，在进行磁控溅射过程中，使用叠成靶作为溅射靶材，叠成靶包括自上而下依次叠加设置的钡靶层、稀土元素靶层和铜靶层。本发明采用的叠成靶由稀土元素(Re，可以是Y，Gd，Sm，Dy)、钡(Ba)和铜(Cu)三种不同金属、不同形状的靶材叠加而成，不需要对易氧化难加工的钡进行精加工，直接将靶材叠通过直流磁控溅射方式就能够制备得到用于制备二代高温超导带材的金属前驱膜，制备成本低，制备薄膜效率高，相比于其他方法制备YBCO薄膜具有更高的性价比，对促进二代高温超导带材的发展和研究具有重要意义。
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