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公开(公告)号：CN104649278A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510050855.X
申请日：2015-01-30
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 一种TaSi2纳米线的制备方法，本发明采用高温度梯度激光悬浮区熔定向凝固原位制备Si基体中均匀分布的TaSi2纳米纤维。通过精确控制激光功率和定向凝固速率使熔体表面张力和自身重力保持平衡，实现熔区的稳定，并同时快速向下抽拉试样，获得在硅基体中大面积均匀分布且直径是纳米尺度的TaSi2纤维。利用感应耦合等离子体刻蚀技术，通过控制刻蚀时间、刻蚀气体和钝化气体的流量以及刻蚀电源和钝化电源功率，实现对硅基体刻蚀速度的精确控制，进而实现对TaSi2纳米线长度的控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102703971A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210179010.7
申请日：2012-06-01
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 一种制备Si基半导体二元共晶自生复合材料的方法，将从共晶合金母材上切取的试样棒置于激光悬浮区熔定向凝固炉内，保持其与抽拉机构同轴。利用激光悬浮定向凝固装置使两束等质量的激光对称的对试样进行区熔熔化，获得稳定的熔区后，通过抽拉实现材料的连续定向凝固。激光悬浮区熔定向凝固过程中，激光功率为400～1200W，抽拉速率为1～500μm/s，熔区长度为5～9mm，激光光斑2～4mm。本发明实现了Si基共晶合金5000～7000K/cm温度梯度、1～500μm/s的无坩埚约束快速定向凝固，完全消除了传统定向凝固坩埚引起的污染和裂纹，获得了组织超细化，纤维分布均匀，取向精度高的Si基半导体二元共晶自生复合材料。
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公开(公告)号：CN119249911A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411761066.2
申请日：2024-12-03
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/096 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种基于迁移学习的流动主动控制增效设计方法，属于流动控制设计领域，该方法包括：将第一翼型主动舵面控制模型的所有网络参数共享给初始第二翼型主动舵面控制模型进行初始化，并与流场求解器进行交互，得到翼型绕流对于舵面动作的相关响应数据，计算相应的奖励值，组成初始数组存入经验回放池中；随机采样预设采样数据量组数据，并计算第二翼型主动舵面控制模型各网络的评价值，更新评价网络，引入迁移学习更新策略网络，得到第二翼型最优主动舵面控制模型并用于流动主动控制；本发明在主动舵面控制模型的训练中，引入迁移学习，解决了控制律设计模型需要大量的仿真或实验数据以及控制律设计模型与控制对象强相关的问题。
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公开(公告)号：CN104649278B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510050855.X
申请日：2015-01-30
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 一种TaSi2纳米线的制备方法，本发明采用高温度梯度激光悬浮区熔定向凝固原位制备Si基体中均匀分布的TaSi2纳米纤维。通过精确控制激光功率和定向凝固速率使熔体表面张力和自身重力保持平衡，实现熔区的稳定，并同时快速向下抽拉试样，获得在硅基体中大面积均匀分布且直径是纳米尺度的TaSi2纤维。利用感应耦合等离子体刻蚀技术，通过控制刻蚀时间、刻蚀气体和钝化气体的流量以及刻蚀电源和钝化电源功率，实现对硅基体刻蚀速度的精确控制，进而实现对TaSi2纳米线长度的控制。
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公开(公告)号：CN102703971B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210179010.7
申请日：2012-06-01
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 一种制备Si基半导体二元共晶自生复合材料的方法，将从共晶合金母材上切取的试样棒置于激光悬浮区熔定向凝固炉内，保持其与抽拉机构同轴。利用激光悬浮定向凝固装置使两束等质量的激光对称的对试样进行区熔熔化，获得稳定的熔区后，通过抽拉实现材料的连续定向凝固。激光悬浮区熔定向凝固过程中，激光功率为400～1200W，抽拉速率为1～500μm/s，熔区长度为5～9mm，激光光斑2～4mm。本发明实现了Si基共晶合金5000～7000K/cm温度梯度、1～500μm/s的无坩埚约束快速定向凝固，完全消除了传统定向凝固坩埚引起的污染和裂纹，获得了组织超细化，纤维分布均匀，取向精度高的Si基半导体二元共晶自生复合材料。
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公开(公告)号：CN103205808A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310126234.6
申请日：2013-04-12
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 一种Spindt型阴极阵列的制备方法，制备Si-TaSi2共晶自生复合材料铸锭，并通过Bridgman方法进行定向凝固，得到TaSi2在Si基体上均匀分布的试样棒。采用HNO3/HF腐蚀液，通过刻蚀的方法在试样的表面制备出有TaSi2的Spindt型阴极阵列。得到的TaSi2的Spindt型阴极阵列的长径比为35:1，尖锥曲率半径为18nm。Si基体上TaSi2的均匀性比较好，面密度达到了1.05×106rod/cm2，TaSi2的直径为3μm。与现有技术中长/径比为2：1的阵列相比，其场发射性能有了很大的提高，可应用于场发射显示器件，以及场效应二极管，平板显示器，传感器等器件。
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