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公开(公告)号：CN105227012A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510736379.7
申请日：2015-11-03
Applicant: 西北工业大学
IPC: H02P6/182
Abstract: 本发明涉及一种无刷直流电机双斩波控制方式下反电势过零检测方法，考虑到在检测反电动势过零比较信号时，信号会受到驱动PWM信号的影响，从而产生无用的干扰杂波。这些杂波是由于PWM电平的跳变引起，所以均出现在PWM波形高低跳变的时刻。当PWM稳定为高电平时，检测过零点不会引入干扰杂波，所以本方法是在PWM为高电平时，在PWM高电平的中点对反电势过零信号进行短时的检测，从而得到准确的反电势过零信号，又因为PWM信号频率较高，所以能够快速检测到反电势的过零时刻。本发明在检测反电势过零点过程中，选择了可靠地检测时间，避免了干扰杂波对过零点检测带来的干扰，准确检测了电机反电势的过零点，提高了电机运行性能。
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公开(公告)号：CN104301999A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410542880.5
申请日：2014-10-14
Applicant: 西北工业大学
IPC: H04W64/00
CPC classification number: H04W64/003
Abstract: 本发明提供了一种基于RSSI的无线传感器网络自适应迭代定位方法，是基于最速梯度下降的自适应迭代方法，基于最大似然法的数学模型，将非线性最小二乘代价函数作为目标函数进行最速梯度下降搜索定位，最终通过迭代得到目标位置，由于采用了时变步长，继承了传统最大似然法可以定位非合作目标的优点，在目标RSSI值未知的情况下，可以对目标的RSSI值进行估计，然后定位，与最大似然定位的搜索算法相比，运算量小且定位精度高。
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公开(公告)号：CN115663471A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211341597.7
申请日：2022-10-28
Applicant: 中国科学院空天信息创新研究院 , 西北工业大学
Abstract: 本公开提供了一种侧面馈电的波导1乘4圆极化天线阵列及其应用，该天线阵列包括：功分馈电网络包括：初级功分网络及与所述初级功分网络连接的次级功分网络；其中，初级功分网络采用侧面馈电方式，用于实现同轴线模式到波导模式的模式转换，以及对馈入信号进行功分转换，输出1分2的初级功分信号；次级功分网络用于将1分2的初级功分信号转换成1分4的次级功分信号；四脊金属腔圆极化器，其与功分馈电网络通过耦合缝隙耦合连接，用于将1分4的次级功分信号实现圆极化辐射。
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公开(公告)号：CN112306088A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011082282.6
申请日：2020-10-12
IPC: G05D1/10
Abstract: 本发明涉及一种基于DSP的多无人机系统的协同任务规划器，属于多无人机协同任务规划领域。每个无人机包括硬件通信模块、DSP核心处理器、以及预留的与飞控模块、传感器连接的接口，硬件通信模块接收其他无人机的硬件通信模块的数据并将其发送给DSP核心处理器，DSP核心处理器对硬件通信模块和传感器发送的数据进行数据类型识别并发送给对应的功能模块进行解算，各个无人机个体起飞前预载参与本次任务各无人机的载荷信息、预载地图信息、预载航路点信息以及预载任务，起飞后只需要与其近临的无人机之间进行定位信息、航路点信息、自身载荷、任务决策信息的交互，便可以形成期望的编队结构稳定飞行，实现整个无人机系统的协同任务规划。
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公开(公告)号：CN106673710A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611093835.1
申请日：2016-12-02
Applicant: 西北工业大学
CPC classification number: C04B41/87 , C04B41/009 , C04B41/5057 , C04B35/83 , C04B41/455 , C04B41/4531
Abstract: 本发明涉及一种碳/碳复合材料表面HfC纳米线增韧抗烧蚀陶瓷涂层及制备方法，其目的是解决现有方法制备的抗烧蚀陶瓷涂层与基体结合力低、在制备和烧蚀过程中易开裂、剥落的技术问题。技术方案是首先采用化学气相沉积法在碳/碳复合材料表面制备HfC纳米线多孔层，然后采用化学气相沉积法制备HfC涂层。HfC纳米线与HfC涂层是同质材料，具有很好的物理化学相容性，将HfC纳米线作为增强体引入到HfC陶瓷涂层中可以提高HfC涂层的韧性、减少涂层的开裂，进而提高涂层的抗烧蚀性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101786897B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010013507.2
申请日：2010-01-21
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/83 , C04B35/583 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种碳/碳-氮化硼复合材料的制备方法，用于解决现有技术制备方法制备的碳/碳-氮化硼复合材料断裂韧性差的技术问题，其技术方案是首先化学气相渗透法制备热解碳界面层，再浸渍制备碳纤维增强树脂复合材料，然后裂解制备碳纤维增强碳基复合材料，最后化学气相渗透制备出C/C-BN复合材料。本发明通过聚合物浸渍裂解工艺(PIP)结合化学气相渗透工艺(CVI)制备碳/碳-氮化硼复合材料，这种PIP+CVI工艺制备C/C-BN复合材料的周期由现有技术的600～800小时缩短到200～400小时。
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公开(公告)号：CN113024281B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110221988.4
申请日：2021-02-28
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/89
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅/石墨烯仿生层叠涂层及制备方法，通过化学气相沉积法交替沉积SiC和石墨烯，获得了具有仿生多层次结构的新型陶瓷涂层，利用其结构效应实现了对陶瓷涂层的增韧。引入的石墨烯起到了弱界面的作用，当裂纹扩展到弱界面时会发生偏转，并沿着弱界面扩展一段距离后，向下一个SiC层继续扩展，到达弱界面再次发生偏转。裂纹在弱界面的反复偏转，使裂纹扩展路径大大增加，可以吸收更多的能量，从而大大增加了断裂功，提高了断裂韧性。经过设计的层叠涂层可降低对裂纹的敏感性，使裂纹呈阶梯状扩展，避免了贯穿性裂纹的产生，从而提高了涂层的抗氧化性能，可以更有效的保护C/C基体。
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公开(公告)号：CN113024281A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110221988.4
申请日：2021-02-28
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/89
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅/石墨烯仿生层叠涂层及制备方法，通过化学气相沉积法交替沉积SiC和石墨烯，获得了具有仿生多层次结构的新型陶瓷涂层，利用其结构效应实现了对陶瓷涂层的增韧。引入的石墨烯起到了弱界面的作用，当裂纹扩展到弱界面时会发生偏转，并沿着弱界面扩展一段距离后，向下一个SiC层继续扩展，到达弱界面再次发生偏转。裂纹在弱界面的反复偏转，使裂纹扩展路径大大增加，可以吸收更多的能量，从而大大增加了断裂功，提高了断裂韧性。经过设计的层叠涂层可降低对裂纹的敏感性，使裂纹呈阶梯状扩展，避免了贯穿性裂纹的产生，从而提高了涂层的抗氧化性能，可以更有效的保护C/C基体。
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公开(公告)号：CN105693285A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610037886.6
申请日：2016-01-20
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/87
CPC classification number: C04B41/87 , C04B41/5057 , C04B41/4584 , C04B41/4554
Abstract: 本发明涉及一种在2D针刺碳毡上制备碳化铪纳米线的方法，采用催化剂辅助聚合物先驱体转化技术在2D针刺碳毡上制备HfC纳米线的方法，利用该方法可以简单高效地合成出HfC纳米线。该方法选用HfC聚合物先驱体PHC为反应原料,硝酸镍为催化剂，高纯氩气为保护气氛，氢气为还原气体。通过调整热处理的工艺参数，在2D针刺碳毡上一次性制备出HfC纳米线。本发明的有益效果是：合成工艺简单、成本低、制备周期短，不需要预先合成工艺(制备碳纳米管等)；HfC纳米线在常压下制得，对设备的要求低；并且可通过调节热处理参数有效控制合成的HfC的形貌和纯度。这些优点使该方法具有发展成大规模工业生产的潜力。
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