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公开(公告)号：CN104849791A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510285816.8
申请日：2015-05-29
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: G02B5/3058 , G02B5/1876
Abstract: 本发明提供了一种亚波长反射式一维金属波片及其制备方法，其能够在不同度的波段实现二分之一和四分之一波片的功能，所述波片包括介质光栅和设置在其上的金属层；纳米介质光栅结构设置上一层类光栅金属层，介质光栅的周期为80～350nm, 占空比为0.3～0.8，厚度为50～200nm，金属层的厚度比介质光栅厚度30nm以上（层间距大于30nm）。介质层的材料可为SiO2、MgF2、PMMA，金属层为金、银、铝、镉等反射率高的材料。本发明具有结构简单，易于制作等优点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN108845384B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810691569.5
申请日：2016-08-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法，偏振器包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN107290059B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201710572343.9
申请日：2015-09-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种含阿基米德螺旋线的亚波长圆偏振光检偏器的制备方法，能够实现对左右旋圆偏振光的区分，该结构包括无机基片、设于无机基片上的二维阿基米德螺旋线和覆盖于二氧化硅基片和二维阿基米德螺旋线表面的金属膜层；本发明的检偏器在3.75um‑6.0um波段圆二色性平均在0.1以上，在3.85um处圆二色性最高可达到0.16，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN106199814B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610810350.3
申请日：2016-09-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器,包括基底、过渡层以及像素层;像素层由超像素结构单元阵列组成;超像素结构单元包括0°趋向的双层纳米光栅、45°趋向的双层纳米光栅、135°趋向的双层纳米光栅以及90°趋向的双层纳米光栅;双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成;介质光栅的周期为260nm‑300nm,占空比为0.5‑0.7,厚度为90nm‑110nm;金属层的厚度为70nm‑90nm;在双层金属纳米光栅像素块的基底表面引入层低折射率的过渡层,过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀,使得制作工艺更为方便快捷。
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公开(公告)号：CN105954826B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201610469385.5
申请日：2016-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件及其制备方法，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本发明的起偏器在1.50μm ‑1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104849791B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510285816.8
申请日：2015-05-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种亚波长反射式一维金属波片及其制备方法，其能够在不同度的波段实现二分之一和四分之一波片的功能，所述波片包括介质光栅和设置在其上的金属层；纳米介质光栅结构设置上一层类光栅金属层，介质光栅的周期为80～350nm,占空比为0.3～0.8，厚度为50～200nm，金属层的厚度比介质光栅厚度30nm以上（层间距大于30nm）。介质层的材料可为SiO2、MgF2、PMMA，金属层为金、银、铝、镉等反射率高的材料。本发明具有结构简单，易于制作等优点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN106199814A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610810350.3
申请日：2016-09-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3058
Abstract: 本发明公开了基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器，包括基底、过渡层以及像素层；像素层由超像素结构单元阵列组成；超像素结构单元包括0°趋向的双层纳米光栅、45°趋向的双层纳米光栅、135°趋向的双层纳米光栅以及90°趋向的双层纳米光栅；双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成；介质光栅的周期为260nm-300nm，占空比为0.5-0.7，厚度为90nm-110nm；金属层的厚度为70nm-90nm；在双层金属纳米光栅像素块的基底表面引入一层低折射率的过渡层，过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀，使得制作工艺更为方便快捷。
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公开(公告)号：CN106098910A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610714744.9
申请日：2016-08-24
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H01L33/502 , B82Y20/00 , H01L33/58 , H01L2933/0041 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明公开了基于荧光陶瓷及双层纳米光栅结构的偏振白光LED，其可根据结构参数进行调制工作波段，其中在450nm~650nm可见光范围消光比大于20dB，TM波透过率高于60%。本发明在荧光陶瓷基底表面引入一层低折射率的过渡层，过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀，使得制作工艺更为方便快捷，并且在过渡层表面集成一种介质光栅和双层金属的复合结构，将复合结构与蓝光GaN基LED相耦合，最终实现偏振白光出射。过渡层和介质层光栅为氟化镁、二氧化硅、PMMA等半导体材料构成，纳米光栅为铝、银、金等金属材料构成。
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公开(公告)号：CN105954826A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610469385.5
申请日：2016-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3025
Abstract: 本发明提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件及其制备方法，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本发明的起偏器在1.50μm‑1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN105137513A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510610910.6
申请日：2015-09-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种位相编码的宽带光子筛，直径为D，包括透明平面基底和镀在该透明平面基底上的不透光金属薄膜，所述不透光金属薄膜上设有环带状分布的通光小孔，所述通光小孔的位置分布满足方程 ，式中，f为宽带光子筛的焦距，n为通光环带的环带序号，λ为光子筛的工作波长，R为宽带光子筛的半径，α为三次编码系数，k为波数，xm和ym是第n个通光环带上第m个小孔的中心位置，m=1，2，3，…，num，其中，，小孔半径。本发明设计了一种同时具有位相编码板编码功能和传统光子筛聚焦功能的宽度光子筛，很大程度上减小了光子筛对波长的敏感性，且在不影响光子筛分辨率的情况下，拓宽了光子筛的带宽，同时提高了能量效率。
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