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公开(公告)号：CN104849791B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510285816.8
申请日：2015-05-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种亚波长反射式一维金属波片及其制备方法，其能够在不同度的波段实现二分之一和四分之一波片的功能，所述波片包括介质光栅和设置在其上的金属层；纳米介质光栅结构设置上一层类光栅金属层，介质光栅的周期为80～350nm,占空比为0.3～0.8，厚度为50～200nm，金属层的厚度比介质光栅厚度30nm以上（层间距大于30nm）。介质层的材料可为SiO2、MgF2、PMMA，金属层为金、银、铝、镉等反射率高的材料。本发明具有结构简单，易于制作等优点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN106098910A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610714744.9
申请日：2016-08-24
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H01L33/502 , B82Y20/00 , H01L33/58 , H01L2933/0041 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明公开了基于荧光陶瓷及双层纳米光栅结构的偏振白光LED，其可根据结构参数进行调制工作波段，其中在450nm~650nm可见光范围消光比大于20dB，TM波透过率高于60%。本发明在荧光陶瓷基底表面引入一层低折射率的过渡层，过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀，使得制作工艺更为方便快捷，并且在过渡层表面集成一种介质光栅和双层金属的复合结构，将复合结构与蓝光GaN基LED相耦合，最终实现偏振白光出射。过渡层和介质层光栅为氟化镁、二氧化硅、PMMA等半导体材料构成，纳米光栅为铝、银、金等金属材料构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104849791A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510285816.8
申请日：2015-05-29
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: G02B5/3058 , G02B5/1876
Abstract: 本发明提供了一种亚波长反射式一维金属波片及其制备方法，其能够在不同度的波段实现二分之一和四分之一波片的功能，所述波片包括介质光栅和设置在其上的金属层；纳米介质光栅结构设置上一层类光栅金属层，介质光栅的周期为80～350nm, 占空比为0.3～0.8，厚度为50～200nm，金属层的厚度比介质光栅厚度30nm以上（层间距大于30nm）。介质层的材料可为SiO2、MgF2、PMMA，金属层为金、银、铝、镉等反射率高的材料。本发明具有结构简单，易于制作等优点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN107203018B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710572342.4
申请日：2015-05-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种亚波长反射式一维金属波片的制备方法，其能够在不同度的波段实现二分之一和四分之一波片的功能，所述波片包括介质光栅和设置在其上的金属层；纳米介质光栅结构设置上一层类光栅金属层，介质光栅的周期为80～350nm，占空比为0.3～0.8，厚度为50～200nm，金属层的厚度比介质光栅厚度30nm以上（层间距大于30nm）。介质层的材料可为SiO2、MgF2、PMMA，金属层为金、银、铝、镉等反射率高的材料。本发明具有结构简单，易于制作等优点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN107203018A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710572342.4
申请日：2015-05-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3058
Abstract: 本发明提供了一种亚波长反射式一维金属波片的制备方法，其能够在不同度的波段实现二分之一和四分之一波片的功能，所述波片包括介质光栅和设置在其上的金属层；纳米介质光栅结构设置上一层类光栅金属层，介质光栅的周期为80～350nm，占空比为0.3～0.8，厚度为50～200nm，金属层的厚度比介质光栅厚度30nm以上（层间距大于30nm）。介质层的材料可为SiO2、MgF2、PMMA，金属层为金、银、铝、镉等反射率高的材料。本发明具有结构简单，易于制作等优点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN206163523U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201620931980.1
申请日：2016-08-24
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了基于荧光陶瓷及双层纳米光栅的偏振白光LED及其封装结构，其可根据结构参数进行调制工作波段，其中在450nm~650nm可见光范围消光比大于20dB，TM波透过率高于60%。本实用新型在荧光陶瓷基底表面引入一层低折射率的过渡层，过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀，使得制作工艺更为方便快捷，并且在过渡层表面集成一种介质光栅和双层金属的复合结构，将复合结构与蓝光GaN基LED相耦合，最终实现偏振白光出射。过渡层和介质层光栅为氟化镁、二氧化硅、PMMA等半导体材料构成，纳米光栅为铝、银、金等金属材料构成。
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公开(公告)号：CN204758858U
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201520359910.9
申请日：2015-05-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型提供一种亚波长反射式一维金属波片，能够在不同度的波段实现二分之一和四分之一波片的功能，所述波片包括介质光栅和设置在其上的金属层；纳米介质光栅结构设置上一层类光栅金属层，介质光栅的周期为80～350nm, 占空比为0.3～0.8，厚度为50～200nm，金属层的厚度比介质光栅厚度30nm以上（层间距大于30nm）。本实用新型具有结构简单，易于制作等优点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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