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公开(公告)号：CN111162453B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202010079229.4
申请日：2020-02-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于半导体微腔激光器领域，为解决六边形回音壁模式品质因子低与三角形回音壁模式出射难的问题：公开了一种半导体六边形微米碟激光器，该装置利用高折射率增益材料的受激辐射物理特性，通过分布式布拉格反射层来降低微腔激光器光学损耗，半导体六边形微米碟作为光学谐振腔与激光增益物质，激光器作为光学泵浦源提供光学增益，当增益超过微腔激光器阈值后产生激光出射；通过控制泵浦源激光光斑位于六边形微米碟角落，在受激辐射后产生双三角回音壁光学谐振模式的激光出射。本发明相比较常规六边形和三角形回音壁光谐振模式的激光器同时具有高的品质因子和易于激光出射的优点。
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公开(公告)号：CN111983827B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202010852605.9
申请日：2020-08-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，包括：衬底，以及覆盖在衬底上的调制层，调制层上通过光刻‑镀膜设有介质层和金属纳米圆柱阵列，金属纳米圆柱阵列作为电极一，调制层上通过镀膜设有电极二，调制层为石墨烯；石墨烯层直接生长或者转移至衬底上，所述石墨烯层上施加有垂直方向的直流偏置电压，介质层的材料为光刻胶，光刻胶通过旋涂机旋涂于调制层的上方，通过二次双光束全息光刻工艺形成介质层，本发明提供一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，以解决现有石墨烯光开关调制深度较低和制备复杂的问题，实现了一种与入射偏振无关，结构和制备相对简单，具有优异调制深度和调制带宽的反射式光开关。
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公开(公告)号：CN111162147A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010079228.X
申请日：2020-02-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件，包括GaN薄膜层、AlN溅射层、石墨烯层、金属电极层；本发明还公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件的制备方法，通过外延生长方式制备，将GaN作为半导体提供局域载流子，AlN溅射层作为电介质层以实现隧穿，石墨烯作为金属电极提供与半导体产生作用的载流子。该发明的有益效果是：制备方法简单容易实现，对于衬底无特殊要求，可以轻易实现柔性，能置于任意柔性衬底并可正常使用，在柔性条件下GaN基MIS器件的性能基本不受影响，而且成本低廉、易于实现。
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公开(公告)号：CN106431382B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201610809230.1
申请日：2016-09-08
Applicant: 苏州大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/28 , C23C14/58
Abstract: 本发明涉及一种制备具有室温宽频大磁电容效应的铁氧体外延薄膜的方法，包括步骤：(1)制备以AFe12‑xMxO19表示组成的铁氧体，其中A为Ba元素或Sr元素中的至少一种，M为Sc元素、Mg元素或Cr元素中的至少一种，x是M的含量：0＜x≤4；(2)在真空背景下，利用脉冲激光对铁氧体进行轰击，将轰击出来的铁氧体材料沉淀在基片上，在基片上生长铁氧体外延薄膜，其中，所述基片为单晶Si基片、Si/Pt基片、单晶Al2O3基片和单晶SrTiO3基片中的一种；(3)在铁氧体外延薄膜生长完后进行降温处理；(4)对铁氧体外延薄膜进行后退火处理。本发明制备的铁氧体外延薄膜具有室温宽频大磁电容效应，弥补了现有单相磁电容薄膜材料室温磁电容效应弱和频率范围窄的缺点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212623437U
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202020675585.8
申请日：2020-04-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型属于光学器件领域，为提高调制器调制深度和带宽提出一种基于石墨烯等离子体的宽带透射式红外光调制器，包括衬底，衬底上覆盖有石墨烯调制层，调制层上通过镀膜‑刻蚀设有非金属光栅层，非金属光栅层上通过镀膜设有金属光栅层，衬底两侧分别通过镀膜设有电极一与电极二。通过将石墨烯与非金属光栅层耦合，利用金属光栅的优异偏振特性和对石墨烯局域表面等离子激元进一步增强的场约束能力，从而大幅提高器件的调制深度和调制带宽，该结构对TE线偏振入射光具有强反射，对TM线偏振入射光可实现在宽波段范围内高调制深度的透射调制，该特性可实现在自然光入射时，对透射光具有高调制深度、宽调制带宽的调制功能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210897977U
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201921983163.0
申请日：2019-11-18
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型属于半导体微腔激光器领域，为解决六边形回音壁模式品质因子低与三角形回音壁模式出射难的问题：公开了一种双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器，该装置利用高折射率增益材料的受激辐射物理特性，通过反射衬底提供底面的光反射来降低微腔激光器垂直方向光学损耗，半导体六边形微米碟作为光学谐振腔与激光增益物质，激光器作为光学泵浦源提供光学增益，当泵浦源功率超过微腔激光器阈值后产生激光出射；通过控制泵浦源激光光斑位于六边形微米碟角落，在受激辐射后产生双三角回音壁光学谐振模式的激光出射。相比较常规六边形和三角形回音壁光谐振模式的激光器同时具有高的品质因子和易于激光出射的优点。
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公开(公告)号：CN212873134U
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202021767611.6
申请日：2020-08-21
Applicant: 苏州大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本实用新型公开了一种利用石墨烯耦合的近红外宽波段光开关装置，包括：衬底，以及覆盖在衬底上的调制层，调制层上通过光刻‑镀膜设有介质层和金属纳米圆柱阵列，金属纳米圆柱阵列作为电极一，调制层上通过镀膜设有电极二，调制层为石墨烯；石墨烯层直接生长或者转移至衬底上，所述石墨烯层上施加有垂直方向的直流偏置电压，介质层的材料为光刻胶，光刻胶通过旋涂机旋涂于调制层的上方，通过二次双光束全息光刻工艺形成介质层，本实用新型提供一种利用石墨烯耦合的近红外宽波段光开关装置，以解决现有石墨烯光开关调制深度较低和制备复杂的问题，实现了一种与入射偏振无关，结构和制备相对简单，具有优异调制深度和调制带宽的反射式光开关。
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公开(公告)号：CN211045977U
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202020151033.7
申请日：2020-02-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型属于半导体微腔激光器领域，为解决六边形回音壁模式品质因子低与三角形回音壁模式出射难的问题：公开了一种半导体六边形微米碟激光器，该装置利用高折射率增益材料的受激辐射物理特性，通过分布式布拉格反射层来降低微腔激光器光学损耗，半导体六边形微米碟作为光学谐振腔与激光增益物质，激光器作为光学泵浦源提供光学增益，当增益超过微腔激光器阈值后产生激光出射；通过控制泵浦源激光光斑位于六边形微米碟角落，在受激辐射后产生双三角回音壁光学谐振模式的激光出射。本实用新型相比较常规六边形和三角形回音壁光谐振模式的激光器同时具有高的品质因子和易于激光出射的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211045463U
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202020151018.2
申请日：2020-02-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本实用新型公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件，包括GaN薄膜层、AlN溅射层、石墨烯层、金属电极层，将GaN作为半导体提供局域载流子，AlN溅射层作为电介质层以实现隧穿，石墨烯作为金属电极提供与半导体产生作用的载流子。该实用新型的有益效果是：制备方法简单容易实现，对于衬底无特殊要求，可以轻易实现柔性，能置于任意柔性衬底并可正常使用，在柔性条件下GaN基MIS器件的性能基本不受影响，而且成本低廉、易于实现。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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