公开(公告)号：CN112463648B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202010928134.5

申请日：2020-09-07

申请人： 美光科技公司

发明人： 何德平 ,  N·格勒斯 ,  梁卿 ,  D·A·帕尔默

IPC分类号： G06F12/02

摘要： 本申请涉及经动态调整废料收集工作量。本文中描述用于动态调整废料收集工作量的装置及技术。举例来说，可记录存储器装置闲置时间。可从这些记录的闲置时间导出度量。当前废料收集工作量可基于所述度量分割成几个部分。接着，可在下一闲置时间执行所述经分割废料收集工作量的第一部分。

公开(公告)号：CN114168069B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202110959740.8

申请日：2021-08-20

申请人： 美光科技公司

发明人： 何德平 ,  D·A·帕尔默

IPC分类号： G06F3/06

摘要： 本申请案针对一种具有增强的数据可靠性能力的存储器装置。对于写入操作，存储器装置可从主机装置接收指示第一数据集合的写入命令。所述存储器装置可确定在与高于阈值的可靠性相关联的第一操作模式中操作，且基于在所述第一操作模式中操作而生成将与所述第一数据集合一起存储的第二数据集合。对于读取操作，所述存储器装置可识别从主机装置接收到的读取命令与所述第一操作模式相关联。基于在所述第一操作模式中操作，所述存储器装置可选择一或多个参考阈值(例如，参考阈值的子集)以检索所述第一数据集合且将所述第一数据集合发送到所述主机装置。

公开(公告)号：CN115588456A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210781648.1

申请日：2022-07-04

申请人： 美光科技公司

发明人： 杨春森 ,  何德平

IPC分类号： G11C29/10 ,  G11C29/12 ,  G11C29/50

摘要： 本公开涉及存储器装置中的功率行为检测。一种方法包含：由处理装置接收指示到存储器装置MD的功率循环PC的信令，所述信令具有指示通电操作的第一信号和指示断电操作的第二信号；以及至少部分基于预定时间间隔PTI内到所述MD的功率循环数量(n)以及针对所述PTI内的每一PC的所述第一信号和所述第二信号的接收之间的时间量确定所述MD的平均通电时间APOT。所述PTI内所述第一信号和所述第二信号的接收之间的所述时间量中的每一个的总和提供到所述MD的总通电时间(T)，且所述APOT等于T/n。当所述APOT小于(

公开(公告)号：CN115457994A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202210643310.X

申请日：2022-06-08

申请人： 美光科技公司

发明人： 王军军 ,  刘颜铭 ,  何德平 ,  谭华

IPC分类号： G11C5/14 ,  G06F3/06

摘要： 本申请针对动态功率控制。在一些实例中，存储器装置可被配置成调整用于转变功率模式的第一持续时间。举例来说，所述存储器装置可被配置成在第一功率模式、第二功率模式和第三功率模式中操作。当在第二功率模式中操作时，所述存储器装置可被配置成基于所接收命令之间的第二持续时间增加或减小用于转变到第三功率模式的所述第一持续时间。如果在所述第一持续时间期间未接收到命令，则所述存储器装置可从所述第二功率模式转变到所述第三功率模式。

公开(公告)号：CN113760183A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110608469.3

申请日：2021-06-01

申请人： 美光科技公司

发明人： 梁卿 ,  J·S·帕里 ,  G·卡列洛 ,  何德平

IPC分类号： G06F3/06

摘要： 本申请涉及存储器系统的存取操作状态信令。在一些实例中，存储器系统可以通过执行例如读取或写入操作等存取操作而对来自主机系统的存取命令作出响应。根据本文公开的实例，系统可被配置成支持主机系统与存储器系统之间的存取操作状态信令，这可提高所述系统适应包含当存取操作完成被延迟时在内的各种存取场景的能力。例如，当存储器系统正在执行错误恢复或媒体管理操作时，所述存储器系统可以指示所述错误恢复或媒体管理操作正被执行或以其它方式仍在进行。此类状态信令可以指示所述存储器系统正在主动执行操作，这些操作可以由主机系统用于禁止复位或重新初始化。

公开(公告)号：CN113127085A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110518251.9

申请日：2015-08-20

申请人： 美光科技公司

发明人： 梁卿 ,  何德平

IPC分类号： G06F9/4401 ,  G11C7/20 ,  G11C16/20

摘要： 本发明的实施例涉及从NAND媒体快速引导的固态存储装置。在一个实施例中，存储器装置可包含可操作地耦合到所述存储器媒体的控制器。所述控制器经配置以：确定在所述存储器媒体的区域处所存储的所述初始化信息是否有效；当有效时，至少部分地基于所述初始化信息而将所述存储器装置初始化；及通过在不首先擦除所述存储器媒体的所述区域的情况下对所述存储器媒体的所述区域进行写入来使在所述存储器媒体的所述区域处所存储的所述初始化信息失效。

公开(公告)号：CN111656329A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201780098243.5

申请日：2017-12-29

申请人： 美光科技公司

发明人： H·桑吉迪 ,  J·黄 ,  K·坦派罗 ,  约翰·张 ,  罗贤钢 ,  何德平 ,  罗婷

IPC分类号： G06F12/02

摘要： 本发明公开应用智能算法以通过利用过多的过量配置来处理ECC错误的NAND装置、固件、系统、方法及装置。在一些实例中，当过量配置块的量超过预定阈值时，可实施第一ECC块错误处理模式，并且当所述过量配置块等于或小于所述预定阈值时，可利用第二ECC块错误处理模式。

公开(公告)号：CN102422362B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201080019967.4

申请日：2010-04-22

申请人： 美光科技公司

发明人： 金泰勋 ,  何德平 ,  杰弗里·艾伦·克赛尼希

IPC分类号： G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/30

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5621

摘要： 本发明揭示用于多电平编程检验的方法、存储器装置及存储器系统。在此一种方法中，将一系列编程脉冲施加到待编程的存储器单元。在每一编程脉冲之后将处于初始编程检验电压的编程检验脉冲施加到所述存储器单元。所述初始编程检验电压为已增加快速电荷损失电压的检验电压。在编程脉冲已达到某一参考电压或编程脉冲的数量已达到脉冲计数阈值之后从所述初始编程检验电压中减去所述快速电荷损失电压。

公开(公告)号：CN102422362A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080019967.4

申请日：2010-04-22

申请人： 美光科技公司

发明人： 金泰勋 ,  何德平 ,  杰弗里·艾伦·克赛尼希

IPC分类号： G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/30

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5621

摘要： 本发明揭示用于多电平编程检验的方法、存储器装置及存储器系统。在此一种方法中，将一系列编程脉冲施加到待编程的存储器单元。在每一编程脉冲之后将处于初始编程检验电压的编程检验脉冲施加到所述存储器单元。所述初始编程检验电压为已增加快速电荷损失电压的检验电压。在编程脉冲已达到某一参考电压或编程脉冲的数量已达到脉冲计数阈值之后从所述初始编程检验电压中减去所述快速电荷损失电压。

公开(公告)号：CN118538270A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410196850.7

申请日：2024-02-22

申请人： 美光科技公司

发明人： 何德平 ,  杨彩霞

IPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/34

摘要： 本申请涉及存储器系统内的关键数据管理。存储器系统可以避免将关键数据写入到弱字线。例如，作为媒体管理操作或主机写入操作(以及其它实例)的一部分，所述存储器系统可以确定哪些数据是关键数据，并且可以确定哪些字线是弱字线，所述弱字线可以指具有满足阈值的位错误率的字线。所述存储器系统可以抑制将关键数据写入到与弱字线耦接的存储器胞元，并且可以代替地将非关键数据或伪数据写入到所述弱字线。所述存储器系统可以保持将关键数据写入到与非弱字线耦接的存储器胞元，所述非弱字线可以指具有未能满足所述阈值的位错误率的字线。