发明授权
- 专利标题： 存储器装置中的多电平编程检验
- 专利标题（英）： Multiple level program verify in a memory device
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申请号： CN201080019967.4申请日： 2010-04-22
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公开(公告)号： CN102422362B公开(公告)日： 2015-03-18
- 发明人: 金泰勋 , 何德平 , 杰弗里·艾伦·克赛尼希
- 申请人： 美光科技公司
- 申请人地址： 美国爱达荷州
- 专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 宋献涛
- 优先权： 12/436,955 2009.05.07 US
- 国际申请： PCT/US2010/031999 2010.04.22
- 国际公布： WO2010/129181 EN 2010.11.11
- 进入国家日期： 2011-11-04
- 主分类号： G11C16/34
- IPC分类号： G11C16/34 ; G11C16/10 ; G11C16/12 ; G11C16/30
摘要：
本发明揭示用于多电平编程检验的方法、存储器装置及存储器系统。在此一种方法中，将一系列编程脉冲施加到待编程的存储器单元。在每一编程脉冲之后将处于初始编程检验电压的编程检验脉冲施加到所述存储器单元。所述初始编程检验电压为已增加快速电荷损失电压的检验电压。在编程脉冲已达到某一参考电压或编程脉冲的数量已达到脉冲计数阈值之后从所述初始编程检验电压中减去所述快速电荷损失电压。
公开/授权文献
- CN102422362A 存储器装置中的多电平编程检验 公开/授权日：2012-04-18
