公开(公告)号：CN109478567A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043446.4

申请日：2017-07-13

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 山本兼司 ,  明田正俊 ,  浅原浩和 ,  中村孝 ,  细井卓治 ,  渡部平司 ,  志村考功 ,  东云秀司 ,  柏木勇作

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有MIS结构，所述MIS结构包括半导体层、在所述半导体层上的栅极绝缘膜、以及所述栅极绝缘膜上的栅极电极；所述栅极绝缘膜具有层叠结构，该层叠结构包括基底SiO2层和在所述基底SiO2层上的含有Hf的高k层；所述栅极电极至少在与所述高k层接触的部分，含有由具有比4.6eV更大的功函数的金属材料构成的部分。

公开(公告)号：CN113574655B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202080021447.0

申请日：2020-05-21

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  山本兼司 ,  森诚悟

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: SiC半导体装置包括：具有主面的第一导电型的SiC半导体层；形成于上述主面且具有侧壁以及底壁的源极沟槽；埋设于上述源极沟槽且具有在上述源极沟槽的上述侧壁与上述源极沟槽的开口侧的区域相接的侧壁接触部的源极电极；在上述主面的表层部中形成于沿上述源极沟槽的区域的第二导电型的主体区域；以及在上述主体区域的表层部中与上述源极电极的上述侧壁接触部电连接的第一导电型的源极区域。

公开(公告)号：CN116848643A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202180092481.1

申请日：2021-11-18

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  白神弘章 ,  山本兼司

IPC: H01L29/872

Abstract: SiC半导体装置包含：具有主面的SiC芯片；形成于上述主面的表层部且具有被至少两种5价元素调整了的杂质浓度的n型漂移区域；以及以与上述漂移区域形成pn结部的方式形成于上述漂移区域内的p型杂质区域。

公开(公告)号：CN113574655A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202080021447.0

申请日：2020-05-21

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  山本兼司 ,  森诚悟

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: SiC半导体装置包括：具有主面的第一导电型的SiC半导体层；形成于上述主面且具有侧壁以及底壁的源极沟槽；埋设于上述源极沟槽且具有在上述源极沟槽的上述侧壁与上述源极沟槽的开口侧的区域相接的侧壁接触部的源极电极；在上述主面的表层部中形成于沿上述源极沟槽的区域的第二导电型的主体区域；以及在上述主体区域的表层部中与上述源极电极的上述侧壁接触部电连接的第一导电型的源极区域。

公开(公告)号：CN308617384S

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202130628464.8

申请日：2021-09-22

Applicant: 罗姆股份有限公司

Designer： 中野佑纪 ,  久津间保德 ,  山本兼司

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：电力用半导体元件的壳体。
2.本外观设计产品的用途：本产品用于作为半导体元件使用。
3.本外观设计产品的设计要点：在于实线所示形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
5.设计1后视图与设计1主视图相同，省略设计1后视图;设计1左视图与设计1右视图相同，省略设计1左视图;设计2后视图与设计2主视图相同，省略设计2后视图;设计2左视图与设计2右视图相同，省略设计2左视图。
6.指定设计1为基本设计。
7.其他需要说明的情形其他说明：视图中实线所示部分为希望受保护的部分，点划线为用于区分作为部分外观希望受保护的部分和其他部分的边界线。

公开(公告)号：CN308546282S

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202130628320.2

申请日：2021-09-22

Applicant: 罗姆股份有限公司

Designer： 中野佑纪 ,  山本兼司 ,  久津间保德

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：电力用半导体元件的主体。
2.本外观设计产品的用途：本产品用于作为半导体元件使用。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
5.设计1后视图与设计1主视图相同，省略设计1后视图;设计1左视图与设计1右视图相同，省略设计1左视图;设计2后视图与设计2主视图相同，省略设计2后视图;设计2左视图与设计2右视图相同，省略设计2左视图。
6.指定设计1为基本设计。
7.其他需要说明的情形其他说明：视图中实线所示部分为希望受保护的部分，点划线为用于区分作为部分外观希望受保护的部分和其他部分的边界线。

公开(公告)号：CN307118725S

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202130628037.X

申请日：2021-09-22

Applicant: 罗姆股份有限公司

Designer： 中野佑纪 ,  山本兼司 ,  久津间保德

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：电力用半导体元件。
2.本外观设计产品的用途：本产品用于作为半导体元件使用。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
5.设计1后视图与设计1主视图相同，省略设计1后视图;设计1左视图与设计1右视图相同，省略设计1左视图;设计2后视图与设计2主视图相同，省略设计2后视图;设计2左视图与设计2右视图相同，省略设计2左视图。
6.指定设计1为基本设计。

公开(公告)号：CN307112745S

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202130627700.4

申请日：2021-09-22

Applicant: 罗姆股份有限公司

Designer： 中野佑纪 ,  山本兼司 ,  久津间保德

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：电力用半导体元件。
2.本外观设计产品的用途：本产品用于作为半导体元件使用。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
5.后视图与主视图相同，省略后视图;左视图与右视图相同，省略左视图。