公开(公告)号：CN109478567B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201780043446.4

申请日：2017-07-13

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 山本兼司 ,  明田正俊 ,  浅原浩和 ,  中村孝 ,  细井卓治 ,  渡部平司 ,  志村考功 ,  东云秀司 ,  柏木勇作

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有MIS结构，所述MIS结构包括半导体层、在所述半导体层上的栅极绝缘膜、以及所述栅极绝缘膜上的栅极电极；所述栅极绝缘膜具有层叠结构，该层叠结构包括基底SiO2层和在所述基底SiO2层上的含有Hf的高k层；所述栅极电极至少在与所述高k层接触的部分，含有由具有比4.6eV更大的功函数的金属材料构成的部分。

公开(公告)号：CN109478567A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043446.4

申请日：2017-07-13

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 山本兼司 ,  明田正俊 ,  浅原浩和 ,  中村孝 ,  细井卓治 ,  渡部平司 ,  志村考功 ,  东云秀司 ,  柏木勇作

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有MIS结构，所述MIS结构包括半导体层、在所述半导体层上的栅极绝缘膜、以及所述栅极绝缘膜上的栅极电极；所述栅极绝缘膜具有层叠结构，该层叠结构包括基底SiO2层和在所述基底SiO2层上的含有Hf的高k层；所述栅极电极至少在与所述高k层接触的部分，含有由具有比4.6eV更大的功函数的金属材料构成的部分。