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公开(公告)号：CN103855223B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410095346.4
申请日：2010-03-23
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/045 , H01L29/1045 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第1导电型半导体层；第2导电型的多个主体区域，在从上述半导体层的表面至厚度方向的中间部的区域，在与上述厚度方向垂直的方向空出间隔形成；第1导电型源极区域，在各主体区域的表层部，与上述主体区域的周缘空出间隔形成；栅极绝缘膜，形成在上述半导体层上；和栅极电极，形成在所述栅极绝缘膜上，在上述半导体层，通过从其表面向下挖掘以形成横跨在彼此相邻的2个上述源极区域之间的槽，由上述栅极绝缘膜覆盖上述槽的内面，上述栅极电极具有与上述半导体的表面对置的表面对置部以及在上述槽中埋设的埋设部。
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公开(公告)号：CN102637740B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210110603.8
申请日：2005-02-25
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 三浦峰生
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/1079 , H01L29/1095 , H01L29/66068 , H01L29/7828 , H01L29/7838
Abstract: 一种半导体装置，其是使用了碳化硅半导体基板的双重扩散MOS结构的半导体装置。其中，该半导体装置具备：碳化硅半导体外延层，其被层叠在碳化硅半导体基板的表面上，并具有与碳化硅半导体基板相同的第1导电型；杂质区域，其通过在该碳化硅半导体外延层的表层部掺杂第2导电型杂质而形成，并具有其表面附近的第2导电型杂质浓度相对地小、深部的第2导电型杂质浓度相对地大的分布方案。
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公开(公告)号：CN102362354A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080013440.0
申请日：2010-03-23
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/045 , H01L29/1045 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第1导电型半导体层；第2导电型的多个主体区域，在从上述半导体层的表面至厚度方向的中间部的区域，在与上述厚度方向垂直的方向空出间隔形成；第1导电型源极区域，在各主体区域的表层部，与上述主体区域的周缘空出间隔形成；栅极绝缘膜，形成在上述半导体层上；和栅极电极，形成在所述栅极绝缘膜上，在上述半导体层，通过从其表面向下挖掘以形成横跨在彼此相邻的2个上述源极区域之间的槽，由上述栅极绝缘膜覆盖上述槽的内面，上述栅极电极具有与上述半导体的表面对置的表面对置部以及在上述槽中埋设的埋设部。
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公开(公告)号：CN101414550A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810181249.1
申请日：2004-12-21
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 三浦峰生
IPC: H01L21/00 , H01L21/04 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0445 , H01L21/324 , H01L21/67103
Abstract: 在使用SiC半导体基板(1)的半导体装置的制造工序中，在感受器(23)上装载SiC半导体基板(1)，在该SiC半导体基板(1)的表面上配置碳制的C发热部件(3)，通过使感受器(23)和C发热部件(3)在高温下发热而完成用于在SiC半导体基板(1)的表面上形成杂质区域的退火处理。
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公开(公告)号：CN1902734A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480039187.0
申请日：2004-12-21
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 三浦峰生
IPC: H01L21/265 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0445 , H01L21/324 , H01L21/67103
Abstract: 在使用SiC半导体基板(1)的半导体装置的制造工序中，在感受器(23)上装载SiC半导体基板(1)，在该SiC半导体基板(1)的表面上配置碳制的C发热部件(3)，通过使感受器(23)和C发热部件(3)在高温下发热而完成用于在SiC半导体基板(1)的表面上形成杂质区域的退火处理。
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公开(公告)号：CN118676875A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410747479.9
申请日：2019-10-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明的半导体单元设置在电动机与控制电动机的逆变电路之间。半导体单元包括晶体管和控制部。晶体管设置在对逆变电路供电的电池的正极与逆变电路之间，控制从所述电池向所述逆变电路的电力供给。控制部与晶体管的控制端子连接，控制施加于所述控制端子的电压即控制电压。控制部在从电池向逆变电路的电力供给开始时，控制控制电压使晶体管间歇动作，并且使施加于晶体管的控制端子的控制电压比晶体管全导通时的控制电压低。
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公开(公告)号：CN112913100B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201980070751.1
申请日：2019-10-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明的半导体单元设置在电动机与控制电动机的逆变电路之间。半导体单元包括晶体管和控制部。晶体管设置在对逆变电路供电的电池的正极与逆变电路之间，控制从所述电池向所述逆变电路的电力供给。控制部与晶体管的控制端子连接，控制施加于所述控制端子的电压即控制电压。控制部在从电池向逆变电路的电力供给开始时，控制控制电压使晶体管间歇动作，并且使施加于晶体管的控制端子的控制电压比晶体管全导通时的控制电压低。
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公开(公告)号：CN117039796A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311037639.2
申请日：2019-10-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明的半导体单元包括半导体装置、控制部和电阻部。半导体装置具有设置在电池的正极与逆变电路之间的晶体管，逆变电路与电池电连接。控制部与晶体管的控制端子连接，控制晶体管。电阻部设置在控制端子与控制部之间。控制部以在流过晶体管的电流为阈值以上的情况下使晶体管截止的方式控制晶体管。电阻部的电阻值为100Ω以上。
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公开(公告)号：CN112930632B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201980070740.3
申请日：2019-10-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明的半导体单元包括半导体装置、控制部和电阻部。半导体装置具有设置在电池的正极与逆变电路之间的晶体管，逆变电路与电池电连接。控制部与晶体管的控制端子连接，控制晶体管。电阻部设置在控制端子与控制部之间。控制部以在流过晶体管的电流为阈值以上的情况下使晶体管截止的方式控制晶体管。电阻部的电阻值为100Ω以上。
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公开(公告)号：CN102637740A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210110603.8
申请日：2005-02-25
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 三浦峰生
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/1079 , H01L29/1095 , H01L29/66068 , H01L29/7828 , H01L29/7838
Abstract: 一种半导体装置，其是使用了碳化硅半导体基板的双重扩散MOS结构的半导体装置。其中，该半导体装置具备：碳化硅半导体外延层，其被层叠在碳化硅半导体基板的表面上，并具有与碳化硅半导体基板相同的第1导电型；杂质区域，其通过在该碳化硅半导体外延层的表层部掺杂第2导电型杂质而形成，并具有其表面附近的第2导电型杂质浓度相对地小、深部的第2导电型杂质浓度相对地大的分布方案。
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