公开(公告)号：CN118302839A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202280039520.6

申请日：2022-05-25

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 亚历克西斯·德劳因 ,  格维塔兹·戈丹 ,  S·鲁契尔 ,  W·施瓦岑贝格 ,  J·维迪兹 ,  E·罗兰

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体结构体的方法，该方法包括以下步骤：a)提供由单晶碳化硅制成的施主衬底和由碳化硅制成的载体衬底，b)制备待转移的工作层，其包括：‑在施主衬底的正面上注入轻物质，以便形成损伤曲线，该损伤曲线特别能够通过卢瑟福背散射光谱法测量，该曲线具有限定掩埋的脆性平面(12)的深度缺陷的主峰和限定受损表面层(13)的缺陷的次级峰，‑通过化学蚀刻和/或通过化学‑机械抛光施主衬底的正面来去除受损表面层(13)，以便形成施主衬底的新的正面，掩埋的脆性平面与施主衬底的正面一起界定待转移的工作层，该工作层具有50nm至1400nm的厚度，c)通过分子粘附将施主衬底的正面侧与载体衬底接合，以便形成沿结合界面结合的组件；d)沿掩埋的脆性平面分离，使得工作层转移到载体衬底上，以便形成半导体结构体。

公开(公告)号：CN116686066A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180084342.4

申请日：2021-11-29

Applicant: 法国原子能和替代能源委员会 ,  索泰克公司

Inventor： 格维塔兹·戈丹 ,  I·拉杜 ,  F·佛内尔 ,  J·维迪兹 ,  迪迪埃·朗德吕

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：a)提供由半导体材料制成的工作层；b)提供由半导体材料制成的载体衬底；c)在工作层的待接合的自由面上和/或在载体衬底的待接合的自由面上淀积厚度小于50nm的膜，该膜由与工作层和载体衬底的半导体材料不同的半导体材料构成；d)形成中间结构，形成中间结构的步骤包括：沿着沿主平面延伸的键合界面分别直接接合工作层的待接合的自由面和载体衬底的待接合的自由面，中间结构包括源自在步骤c)淀积的一个或更多个膜的封装膜；e)在高于或等于临界温度的温度对中间结构进行退火，以引起封装膜的分段并且形成半导体结构，该半导体结构包括位于工作层与载体衬底之间的界面区域，所述界面区域包括：‑工作层与载体衬底之间的直接接触区域；以及‑聚集体，该聚集体包括膜的半导体材料并且沿着垂直于主平面的轴线的厚度小于或等于250nm；直接接触区域和聚集体在主平面中是相邻的。

公开(公告)号：CN116250061A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202180048657.3

申请日：2021-06-08

Applicant: 索泰克公司

Inventor： F·阿利伯特 ,  迪迪埃·朗德吕 ,  O·科农丘克 ,  埃里克·圭奥特 ,  格维塔兹·戈丹 ,  J·维迪兹 ,  F·佛内尔

IPC: H01L21/18

Abstract: 本发明涉及一种半导体结构(100)，其包括由单晶半导体材料制成并沿着主平面(x,y)延伸的有用层(10)、由半导体材料制成的支撑基板(30)以及在有用层(10)和支撑基板(30)之间的界面区域(20)，支撑基板平行于主平面(x,y)延伸，该结构(100)的特征在于界面区域(20)包括结节(21)：‑其为导电的，它们包含与有用层(10)和支撑基板(30)形成欧姆接触的金属材料；‑其沿着垂直于主平面(x,y)的轴线(z)具有小于或等于30nm的厚度；‑其为分离的或毗连的，分离结节(21)通过有用层(10)和支撑基板(30)的直接接触区域(22)彼此分离。本发明还涉及一种用于制造该结构(100)的方法。

公开(公告)号：CN109716185B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201780056607.3

申请日：2017-07-27

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 比什-因·阮 ,  格维塔兹·戈丹

IPC: G02B6/132 ,  G02B6/136

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体结构的方法和光子器件，其中，方法包括以下步骤：在载体衬底(101)上方设置氮化硅构图层(102)；在氮化硅构图层(102)上设置第一保形氧化物层(103)，使得其完全覆盖所述氮化硅构图层；以及将第一保形氧化物层(103)平面化至氮化硅构图层(102)上方的预定厚度，以形成平面化氧化物层(103’)。在将第一保形氧化物层(103)平面化的步骤之后，方法还包括以下步骤：清洁氮化硅构图层(102)以形成具有凹陷高度的凹陷氮化硅构图层(102’)；并且随后，在凹陷氮化硅层(102’)上或上方设置第二保形氧化物层(104)。

公开(公告)号：CN104412360B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201380034211.0

申请日：2013-06-05

Applicant: 索泰克公司

Inventor： I·拉杜 ,  M·波卡特 ,  阿诺德·卡斯泰 ,  格维塔兹·戈丹 ,  G·里奥

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L22/12 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29176 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12639 ,  Y10T428/12646 ,  Y10T428/12653 ,  Y10T428/12674

Abstract: 用于制造复合结构(200)的方法，所述方法包括将至少一个第一晶片(220)与第二晶片(230)直接结合，并且包括发起结合波的传播的步骤，其中在发起结合波的传播之后所述第一晶片(220)和所述第二晶片(230)之间的结合界面具有小于或等于0.7J/m2的结合能量。发起结合波的传播的步骤在如下条件中的一个或多个条件下进行：‑将所述晶片放置在压力小于20毫巴的环境中；‑向这两个晶片中的一个晶片施加0.1MPa至33.3MPa之间的机械压力。在发起结合波的传播的步骤之后，所述方法进一步包括：确定在这两个晶片的结合过程中引起的应力水平的步骤，所述应力水平是基于使用如下公式计算的应力参数Ct确定的：Ct＝Rc/Ep，其中：Rc对应于这两个晶片的组件的曲率半径，单位为km；Ep对应于这两个晶片的组件的厚度，单位为μm。该方法进一步包括当所述应力水平Ct大于或等于0.07时确认结合有效的步骤。